一种半导体晶圆的刷胶方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体晶圆的刷胶方法，在第一次刷胶处理之前，预先在半导体晶圆的背面形成图案化的无机介质层，该无机介质层覆盖半导体晶圆的切割道，进而可以避免在切割道处形成半导体晶圆和第一胶层的接合界面，进而可以有效避免在切割过程中胶层剥离现象

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆的刷胶方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体晶圆的刷胶方法
。

技术介绍

[0002]固晶又称为
Die Bond
或装片
。
固晶即通过胶体把晶片粘结在支架的指定区域，形成热通路或电通路，为后序的打线连接提供条件的工序，而随着芯片尺寸的越来越小，贴片机无法对小尺寸芯片进行点胶，传统的固晶工艺的操作会十分困难
。
目前解决这种问题的通常做法是采用晶圆背面刷胶技术，即背胶工艺，具体而言，首先在整片晶圆的背面涂布胶材，然后再将整片晶片切割成单个芯片，最后将涂布有胶材的单个芯片放置在承载基座上并与其接合
。
目前常规的刷胶工艺为两次刷胶，第一次刷胶后完全固化，第二次刷胶后半固化
。
第一胶层完全覆盖晶圆的背面，即同时覆盖晶圆的芯片区和切割道，在后续的切割工艺中容易造成胶层剥离
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体晶圆的刷胶方法<br/>。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体晶圆的刷胶方法，其特征在于：所述半导体晶圆的刷胶方法包括以下步骤：步骤（1）：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个呈矩阵排布的半导体芯片单元，相邻半导体芯片单元之间具有切割道，所述半导体晶圆包括正面以及所述正面相对的背面；步骤（2）：在所述半导体晶圆的背面沉积一无机介质层；步骤（3）：对所述无机介质层进行图案化处理，进而在所述无机介质层中对应每个半导体芯片单元的区域形成开口，且保留对应所述切割道的区域的无机介质层；步骤（4）：在所述无机介质层的表面形成多个第一凹坑；步骤（5）：在所述半导体晶圆的背面进行第一次刷胶处理形成第一胶层；步骤（6）：对所述第一胶层进行第一次固化处理，使得所述第一胶层完全固化；步骤（7）：在完全固化的所述第一胶层上形成多个随机排布的第二凹坑；步骤（8）：接着在完全固化的所述第一胶层上进行第二次刷胶处理形成第二胶层，对所述第二胶层进行第二次固化处理，使得所述第二胶层完全固化；步骤（9）：在完全固化的所述第二胶层上形成多个随机排布的第三凹坑；步骤（
10
）：接着在完全固化的所述第二胶层上进行第三次刷胶处理形成第三胶层，对所述第三胶层进行半固化处理，使得所述第三胶层部分固化
。2.
根据权利要求1所述的半导体晶圆的刷胶方法，其特征在于：在所述步骤（2）中，所述无机介质层的材质包括氧化硅
、
氮化硅
、
氮氧化硅
、
氧化铝
、
氧化锆
、
氧化铪中的一种或多种，所述无机介质层为单层结构或叠层结构
。3.

【专利技术属性】
技术研发人员：马霞，黄彦国，马玉霞，梁小龙，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：