一种晶圆的清洗方法技术

本申请公开了一种晶圆的清洗方法，包括以下步骤：执行第一清洗步骤：第一清洗步骤包括采用流体清洗和第一兆声波清洗晶圆至少一面；流体包括水和

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的清洗方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种晶圆的清洗方法
。

技术介绍

[0002]碳化硅由于具有宽带隙
、
高电击穿场
、
高导热性和高载流子饱和速度等特点，是一种有潜力的半导体材料，可以在高功率
、
高温
、
高频等极端条件下使用，近年来，由于其优异的性能得到了广泛的研究
。
然而，由于碳化硅材料还有许多工艺尚待解决，例如碳化硅清洗工艺，目前使用的最多的是用于硅清洗的
RCA
工艺，但是碳化硅和硅的物化性能不同，
RCA
清洗工艺使用了大量的化学试剂，存在安全方面问题，因此需开发高效，安全，污染少的清洗工艺
。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种晶圆的清洗方法，可以解决上述技术问题
。
[0004]本申请实施例提供一种晶圆的清洗方法，包括以下步骤：
[0005]执行第一清洗步骤，所述第一清洗步骤包括：采用流体清洗和第一兆声波清洗所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶圆的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：执行第一清洗步骤，所述第一清洗步骤包括：采用流体清洗和第一兆声波清洗所述晶圆
(1)
至少一面；所述流体包括水和
N2；执行第二清洗步骤，所述第二清洗步骤包括：采用第一溶液清洗所述晶圆
(1)
的至少一面；所述第一溶液中包括碱和第一氧化剂；执行第三清洗步骤，所述第三清洗步骤包括：采用第二溶液清洗所述晶圆
(1)
的至少一面；所述第二溶液包括第二氧化剂；执行第四清洗步骤，所述第四清洗步骤包括：采用第三溶液清洗所述晶圆
(1)
的至少一面；所述第三溶液包括酸
。2.
根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述流体的压力为
0.1MPa
～
0.5MPa
，所述流体的温度为
25℃
～
50℃。3.
根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第一兆声波清洗的频率为
400kHz
～
2000kHz。4.
根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述碱和所述第一氧化剂的质量比为
(0.5
～
1)
：
(0.5
～
1)。5.
根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第一溶液的温度为
25℃
～
80℃。6.
根据权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗步骤还包括：采用所述第一溶液清洗后，对所述晶圆
(1)
...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹帅，王彦君，孙晨光，陈海波，孙国峰，孙远军，孙涛，王鼎文，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：