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本发明涉及一种半导体晶圆的刷胶方法,在第一次刷胶处理之前,预先在半导体晶圆的背面形成图案化的无机介质层,该无机介质层覆盖半导体晶圆的切割道,进而可以避免在切割道处形成半导体晶圆和第一胶层的接合界面,进而可以有效避免在切割过程中胶层剥离现象<...该专利属于天水天光半导体有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过天水天光半导体有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及一种半导体晶圆的刷胶方法,在第一次刷胶处理之前,预先在半导体晶圆的背面形成图案化的无机介质层,该无机介质层覆盖半导体晶圆的切割道,进而可以避免在切割道处形成半导体晶圆和第一胶层的接合界面,进而可以有效避免在切割过程中胶层剥离现象<...