一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板制造技术

本实用新型专利技术涉及氧化镓生长技术领域，公开了一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，所述第一模板和第二模板之间通过销轴对合转动，所述第一模板的对压面开设有第一模腔，所述第二模板的对压面开设有第二模腔，所述第一模板与第二模板之间通过螺栓收紧机构对压固定

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板


[0001]本技术涉及氧化镓生长
，特别涉及一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板
。

技术介绍

[0002]氧化镓由于其高光学透过率
、
高击穿场强
、
低能耗
、
高稳定性的特点，在紫外区
、
高温
、
高频
、
大功率等高功率电力电子器件和航空航天方面有着非常广泛的应用前景，导模法单晶生长技术则具有晶体生长速度快
、
尺寸形状可以精确控制
、
减少加工工序
、
节约成本的优势，是当前人工生长
β
‑
Ga2O3
最具潜力的方法之一
。
[0003]但是由于氧化镓单晶生长过程中存在熔体温度高
(1740
‑
1820℃)、
容易挥发
、
晶体生长各向异性强
、
导热性差
、
容易分解等问题，导致单晶生长过程中热场复杂，大尺寸单晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，其特征在于，包括第一模板
(1)
和第二模板
(2)
；所述第一模板
(1)
和第二模板
(2)
之间通过销轴
(3)
对合转动；所述第一模板
(1)
的对压面开设有第一模腔
(4)
，所述第二模板
(2)
的对压面开设有第二模腔
(5)
，且第一模腔
(4)
与第二模腔
(5)
相互对合；所述第一模板
(1)
与第二模板
(2)
之间通过螺栓收紧机构对压固定
。2.
根据权利要求1所述的一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，其特征在于，所述第一模板
(1)
的对压面正对于第一模腔
(4)
的腔口外侧开设有向内凹陷的密封压槽
(9)
，所述第二模板
(2)
的对压面正对于第二模腔
(5)
的腔口外侧设置有向外延伸的密封压条
(13)
，且密封压槽
(9)
与密封压条
(13)
相互对合密封
。3.
根据权利要求1所述的一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，其特征在于，所述第一模腔
(4)
的料口端开设有第一扩口槽
(7)

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，张秀芳，孙士龙，
申请(专利权)人：青岛芯康半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：