【技术实现步骤摘要】
一种低缺陷氧化镓籽晶及其培育方法
[0001]本专利技术涉及氧化镓单晶生长
，尤其涉及氧化镓籽晶培育
，具体涉及一种低缺陷氧化镓籽晶及其培育方法
。
技术介绍
[0002]氧化镓具有相对较低的熔点
(
小于
1800℃)
，可以采取熔体法进行高效快速的大规模生长，打破了化合物半导体因熔点过高等因素而采取的气相传输生长技术所造成的生长速率缓慢的限制
。
随着对大尺寸
、
低缺陷氧化镓单晶衬底的需求日益增长，熔体法生长氧化镓的工艺也在逐渐改进
。
传统的熔体法工艺可成功制备出适用于工业生产的单晶晶圆，随着器件制作的快速发展，更高性能的氧化镓器件需要质量更好的同质衬底以实现高度的晶格匹配性
。
因此，在传统熔体法基础上进行工艺改进和修正是目前氧化镓衬底制备研究中的重要一环
。
[0003]影响氧化镓单晶质量的主要因素是晶体生长过程中引入的缺陷
。
氧化镓熔体法生长的过程包括引晶>、
缩颈<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种基于导模法培育低缺陷氧化镓籽晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、
在导模炉的坩埚中放入纯度
≥99.999
％的氧化镓粉末，将具有缺陷的籽晶固定在提拉杆上，逆时针转动籽晶，使其
[010]
晶向与导模炉轴向呈3°
～8°
的第一倾斜角；
S2、
将所述氧化镓粉末加热为熔体，对籽晶进行烘烤；使籽晶竖直下降与熔体接触，并以第一提拉速率向上提拉提拉杆以形成窄颈；随后将提拉速率减小至第二提拉速率，放肩并逐渐提拉得到第一次新生晶体；将所述第一次新生晶体切割为籽晶大小作为二次生长所需的新籽晶；
S3、
在导模炉的坩埚中放入纯度
≥99.999
％的氧化镓粉末，将步骤
S2
中得到的新籽晶固定在提拉杆上，顺时针转动籽晶，使其
[010]
晶向与导模炉轴向呈3°
～8°
的第二倾斜角；
S4、
按照步骤
S2
中的方法继续生长出第二次新生晶体；将得到的所述第二次新生晶体切割为籽晶大小，得到低缺陷的氧化镓籽晶
。2.
根据权利要求1所述的基于导模法培育低缺陷氧化镓籽晶的方法，其特征在于，所述第二倾斜角与所述第一倾斜角沿导模炉轴向呈镜像对称
。3.
根据权利要求1所述的基于导模法培育低缺陷氧化镓籽晶的方法，其特征在于，步骤
...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟标，魏强民，黄俊，杨冰，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：
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