一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用技术

本申请涉及一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用。所述方法包括如下步骤：S1，将模具放置在装有原料的坩埚内，且使模具的使用面朝下，然后加热所述坩埚使坩埚内的原料熔化为熔体；S2，上升位于所述模具的使用面垂直下方的籽晶杆直至籽晶与所述模具的使用面接触，熔接后向下移动籽晶杆，完成引晶；S3，对所述坩埚进行降温，直至晶体的生长区域铺满所述模具，完成放肩；S4，对所述坩埚继续进行降温，使晶体等径生长，直至所述原料耗尽；S5，晶体脱模后，停止移动籽晶杆，对晶体降温退火后晶体生长结束。本申请采用向下生长的晶体生长方法，有效解决了现有技术中生长的晶体质量较差的问题，使生长的晶体质量更高。使生长的晶体质量更高。使生长的晶体质量更高。

【技术实现步骤摘要】
一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用


[0001]本申请涉及晶体制备
，尤其是涉及一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用。

技术介绍

[0002]物质在一定温度、压力、浓度、介质、pH等条件下由气相、液相、固相转化，形成特定线度尺寸晶体的过程称为晶体生长。晶体生长方法主要有火焰法、提拉法、导模法、坩埚下降法、泡生法、定向凝固法等。
[0003]导模法又称边缘限定
‑
薄膜供料(EFG)法，主要用于生长特定形状的晶体，实际上它是提拉法的一种变形。导模法由于能直接从熔体中生长出片、丝、管、棒、板等晶体，而且晶体生长速度快、尺寸可以精确控制，大大简化了晶体的加工程序，节省了材料、时间和能源，降低生产成本，提交经济效益，因而越来越受到人们的重视。
[0004]传统导模法是将生长原料放置在设置有模具的坩埚内，升温使原料熔化后再在模具上侧进行引晶生长，然后进行放肩膀、等径、收尾等工艺流程。但采用传统导模法进行晶体生长的过程中，会产生挥发物，受气体对流影响，挥发物会随气流向上移动；而传统导模法晶体生长时，籽晶在熔体上侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种向下生长的导模法晶体生长方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1，将模具放置在装有原料的坩埚内，且使模具的使用面朝下，然后加热所述坩埚使坩埚内的原料熔化为熔体；S2，上升位于所述模具的使用面垂直下方的籽晶杆直至籽晶杆顶端的籽晶与所述模具的使用面接触，熔接后向下移动籽晶杆，完成引晶；S3，对所述坩埚进行降温，直至晶体的生长区域铺满所述模具，完成放肩；S4，对所述坩埚继续进行降温，使晶体等径生长，直至所述原料耗尽；S5，晶体脱模后，停止移动籽晶杆，对晶体降温退火后晶体生长结束。2.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述坩埚包括原料区，所述原料区不位于所述模具的使用面的垂直下方。3.根据权利要求1或2所述的晶体生长方法，其特征在于，所述模具上设置有模具桥，所述模具桥放置于所述坩埚的原料区；所述模具和模具桥内均设置有毛细缝，且所述模具和模具桥内的毛细缝相连通，原料熔化的熔体通过所述毛细缝的毛细作用流动至所述模具的使用面。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡开朋，吕进，赵德刚，吴忠亮，
申请(专利权)人：北京铭镓半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：