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本申请涉及一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用。所述方法包括如下步骤：S1，将模具放置在装有原料的坩埚内，且使模具的使用面朝下，然后加热所述坩埚使坩埚内的原料熔化为熔体；S2，上升位于所述模具的使用面垂直下方的籽晶杆直至籽晶与所述模具的使...
该专利属于北京铭镓半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京铭镓半导体有限公司授权不得商用。

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