本发明涉及三极管倒置技术领域，且公开了一种双极型晶体三极管倒置设备，包括驱动装置、底板、前板及控制中心，所述驱动装置的前端设置有前板，前板的前端表面固定连接有控制中心，控制中心外接电源，驱动装置的左右两侧均固定连接有底板，驱动装置内部底...

本技术涉及蓝宝石晶圆加工技术领域，公开了一种用于蓝宝石晶圆加工的吹扫清洁装置，所述喷吹箱与集尘箱相互堆放设置，且喷吹箱的箱体内部安装有机械喷吹机构，所述集尘箱的箱体内部安装有正对于机械喷吹机构正下方的除尘工位机构。本技术在将蓝宝石晶圆衬...

本技术涉及打磨设备技术领域，公开了一种蓝宝石晶圆生产加工用打磨设备，所述旋转工位装配于加工箱架的箱体中部，两组料仓机构呈对称形式装配于旋转工位的两侧，每组取料机构依次装配于料仓机构与旋转工位之间，所述打磨机构立放装配于旋转工位的后侧。本...

本发明涉及双极性器件检测技术领域，尤其涉及一种双极性器件外观缺陷检测平台，包括检测平台，所述检测平台表面设有呈对称分布的固定板，固定板通过转动机构连接有支撑架，固定板通过转动机构连接有固定座，固定座相互靠近的一面均设有槽体，槽体内部设有...

本技术涉及氧化镓加工技术领域，公开了一种氧化镓生产用高温煅烧炉，所述煅烧炉的炉体内部设置有煅烧室，且煅烧炉的炉体下方设置有正对于煅烧室的升降台机构，所述煅烧炉的炉体上方设置有正对于煅烧室的冷却机构。本技术在对氧化镓进行煅烧时，通过利用升...

本技术涉及氧化镓单晶生长技术领域，公开了一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具，所述第一导模板的狭缝面底部设置有第一虹吸倒角，所述第一导模板的下半部板面排布开设有多组第一虹吸排孔，所述第二导模板的狭缝面底部设置有第二虹吸倒角，所述第二导模板...

本技术涉及蓝宝石加工器具技术领域，公开了一种蓝宝石晶圆加工用吸附装置，所述工装架的板面沿其周向排布开设有多组校位滑槽，且每组校位滑槽的滑轨内部均贯通卡合有吸盘机构，所述吸盘机构的管道端套设有正对于工装架板架上下端的收紧定位机构。本技术通...

本技术涉及蓝宝石加工技术领域，公开了一种蓝宝石晶圆加工用清洗治具，所述升降滑架的支架上方呈对称形式安装有与安装顶座连接的两组电动推杆，且升降滑架的支架下方安装有套设在升降导杆外部的下压支板，两组所述升降导杆的臂杆下半部套设有定支板，且定...

本实用新型涉及氧化镓生长技术领域，公开了一种氧化镓单晶生长的半封闭式导模板，所述第一模板和第二模板之间通过销轴对合转动，所述第一模板的对压面开设有第一模腔，所述第二模板的对压面开设有第二模腔，所述第一模板与第二模板之间通过螺栓收紧机构对...

本实用新型涉及氧化镓衬底加工技术领域，公开了一种用于氧化镓衬底的清洗装置，所述栅格板的网板中部安装有旋转电机，所述旋转电机的输出端安装有旋转盘，且旋转盘的板面中部安装有夹具机构，所述清洗箱的箱体内部沿旋转盘的圆台周向排布设置有多组清洗喷...

本实用新型涉及氧化镓衬底生产技术领域，公开了一种用于低表面粗糙度氧化镓衬底生产的研磨装置，第一传动轴B的轴杆端套设有第一研磨辊，且第一研磨筒的筒壁设置有与第一研磨辊相错开的第一研磨壁，第二传动轴的轴杆端套设有第二研磨辊，且第二研磨筒的筒...

本实用新型涉及晶片生产技术领域，公开了一种晶片生产用气动下蜡装置，所述导轨架的轨道前后端呈两两对称形式对称贯通卡合有两组导向滑扣，所述气动吸附组件包括贯通安装在两组导向滑扣内部的两组吸盘机构，每组吸盘机构的数量均为两个，且相邻的两个吸盘...

本实用新型涉及氧化镓生长技术领域，公开了一种氧化镓晶体生长用籽晶杆，所述上支座和下支座之间通过冷风筒固定连接，所述冷风筒的筒道一侧开设有进气管口，且冷风筒的筒道另一侧开设有出气管口，所述冷风筒的筒道内部安装有离心桨。本实用新型在对氧化镓...

本实用新型涉及晶片生产技术领域，公开了一种晶片生产用陶瓷盘运载工装，所述支撑筒架的圆筒外侧沿其筒杆方向套设有多组装载盘，所述升降导杆的臂杆一侧设置有传动齿条，所述导向套筒的套筒内部安装有与传动齿条相啮合的传动齿轮，所述升降导杆的臂杆底端...

本发明公开了一种蓝宝石衬底自动缺陷检测分类的方法和系统，涉及半导体缺陷检测技术领域，包括：基于图像采集设备采集位于参照基板上的蓝宝石衬底，以获取侧视蓝宝石衬底图像；针对侧视蓝宝石衬底图像进行缺陷初步分析，以获取若干幅缺陷蓝宝石衬底图像；...

本发明公开了一种晶片加工用在线厚度监视和测量方法及系统，其获取待监测晶圆的截面图像和参考晶圆的截面图像；采用基于深度学习的人工智能技术，以待测晶片的厚度特征与参考晶片的厚度特征在高维特征空间中的特征分布差异作为待监测数据和参考数据之间的...