一种面向双界面卡的频率自适应电路及相应的双界面卡制造技术

本实用新型专利技术公开了一种面向双界面卡的频率自适应电路及相应的双界面卡

【技术实现步骤摘要】
一种面向双界面卡的频率自适应电路及相应的双界面卡


[0001]本技术涉及一种面向双界面卡的频率自适应电路，同时也涉及相应的双界面卡，属于智能卡

。

技术介绍

[0002]双界面卡是同时兼备接触和非接触两种通信模式的多功能卡，它将非接触
IC
卡的使用方便性和接触
IC
卡的安全可靠性融为一体，使之成为一卡多用的优选载体，代表着未来
IC
卡的主要发展方向
。
双界面卡的接触式接口与非接触式接口通常共享同一个微处理器
、
操作系统和
EEPROM。
双界面卡的内部包括微处理器和与微处理器相连的天线线圈，由读写器产生的电磁场提供能量，通过射频方式实现能量供应和数据传输
。
[0003]在双界面卡只有非接触式接口工作时，无论外部场强高低均采用同样频率的时钟，容易使得微处理器由于外部场强过低而导致掉电复位异常
。
为了满足低场强条件下的正常工作要求，可以设定微处理器工作在较低的时钟频率
(
即主频
)
下，但是这样会极大地影响微处理器的性能
。
[0004]在专利号为
ZL 201410818440.8
的中国专利技术专利中，公开了一种基于场强自适应的时钟管理方法及装置
。
该方法包括以下步骤：芯片被唤醒时，若在非接触界面工作并使能场强自适应时钟切换参数，则目的时钟控制模块根据接收的场强指示信号的值，获取目的时钟值并将所述目的时钟值发送至时钟频率切换控制模块；所述时钟频率切换控制模块根据接收的目的时钟值，调整时钟频率选择值并将调整后的所述时钟频率选择值输出至时钟切换模块；所述时钟切换模块根据接收的所述时钟频率选择值，输出时钟频率结果值
。
该方法根据外部场强的高低配置芯片工作的时钟频率，并逐步切换到相应的目的时钟频率，实现了一种场强自适应的时钟管理方案
。

技术实现思路

[0005]本技术所要解决的首要技术问题在于提供一种面向双界面卡的频率自适应电路
。
[0006]本技术所要解决的另一技术问题在于提供一种包括上述频率自适应电路的双界面卡
。
[0007]为实现上述技术目的，本技术采用以下的技术方案：
[0008]根据本技术实施例的第一方面，提供一种面向双界面卡的频率自适应电路，包括天线线圈
、
整流限幅单元
、AD
量化单元
、
数字控制单元；
[0009]其中，天线线圈与整流限幅单元的输入端连接；整流限幅单元的输出端与
AD
量化单元的输入端连接；
AD
量化单元的输出端与数字控制单元的输入端连接；数字控制单元的输出端输出自适应调整后的主频
。
[0010]其中较优地，所述整流限幅单元包括整流单元
、
镜像电流镜单元
、
泄放单元和限幅电流检测单元；
[0011]其中，整流单元和泄放单元分别通过第一天线端口与第二天线端口连接双界面卡的天线线圈，从中获得耦合的交流电源
。
整流单元和泄放单元，分别与镜像电流镜单元连接
。
限幅电流检测单元与整流单元连接
。
[0012]其中较优地，所述整流单元包括起整流作用的第一二极管和第二二极管；
[0013]其中，第一天线端口与第二二极管的阳极连接，第二天线端口与第一二极管的阳极连接，第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接
。
[0014]其中较优地，所述镜像电流镜单元包括第一
MOS
管
、
第二
MOS
管
、
第一电阻
、
第二电阻；
[0015]其中，整流单元分别与第一
MOS
管的源极
、
第二
MOS
管的源极连接，第一
MOS
管的漏极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端接地；第一
MOS
管的栅极与第二
MOS
管的栅极连接，第二
MOS
管的漏极与第三
MOS
管的栅极
、
第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端接地
。
[0016]其中较优地，所述泄放单元包括起泄放作用的第三二极管和第四二极管，起泄放单元开关作用的第三
MOS
管；
[0017]其中，第一天线端口与第四二极管的阳极连接，第二天线端口与第三二极管的阳极连接，第三
MOS
管的漏极分别与第三二极管的阴极
、
第四二极管的阴极连接，第三
MOS
管的栅极与镜像电流镜单元中的第二
MOS
管的漏极连接，第三
MOS
管的源极接地
。
[0018]其中较优地，所述限幅电流检测单元包括第三电阻和第四
MOS
管；
[0019]其中，第三电阻的一端分别与第一二极管的阴极
、
第二二极管的阴极连接，第三电阻的另一端与第四
MOS
管的漏极连接并输出电压信号；第四
MOS
管的栅极与第二
MOS
管的漏极连接，第四
MOS
管的源极接地
。
[0020]其中较优地，第四
MOS
管将镜像电流镜单元的限幅电流通过第三电阻转化为所述电压信号
。
[0021]其中较优地，当限幅电流增大，则当前的场强增强；当限幅电流减小，则当前的场强减弱
。
[0022]其中较优地，当整流电压未达到预设值时，所述电压信号降低，所述主频增大；当整流电压逼近预设值时，所述电压信号升高，所述主频减小
。
[0023]根据本技术实施例的第二方面，提供一种双界面卡，其中包括前述的频率自适应电路
。
[0024]与现有技术相比较，本技术通过整流限幅单元检测限幅电流以及整流电压的幅值，以便及时调整主频频率，实现双界面卡的通信距离和通信速度的双优化
。
附图说明
[0025]图1为本技术提供的一种面向双界面卡的频率自适应电路的结构图；
[0026]图2为本技术实施例中，整流限幅单元的电路原理图
。
具体实施方式
[0027]下面结合附图和具体实施例对本技术的
技术实现思路
进行详细具体的说明
。
[0028]如图1所示，本技术实施例提供的一种面向双界面卡的频率自适应电路，至少
包括天线线圈
、
整流限幅单元
、AD(
模数
)
量化单元
、
数字控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种面向双界面卡的频率自适应电路，其特征在于包括天线线圈
、
整流限幅单元
、AD
量化单元
、
数字控制单元；其中，所述天线线圈与整流限幅单元的输入端连接；整流限幅单元的输出端与
AD
量化单元的输入端连接；
AD
量化单元的输出端与数字控制单元的输入端连接；数字控制单元的输出端输出自适应调整后的主频
。2.
如权利要求1所述的频率自适应电路，其特征在于：所述整流限幅单元包括整流单元
、
镜像电流镜单元
、
泄放单元和限幅电流检测单元；其中，整流单元和泄放单元分别通过第一天线端口与第二天线端口连接双界面卡的天线线圈，从中获得耦合的交流电源；整流单元和泄放单元，分别与镜像电流镜单元连接；限幅电流检测单元与整流单元连接
。3.
如权利要求2所述的频率自适应电路，其特征在于：所述整流单元包括起整流作用的第一二极管和第二二极管；其中，第一天线端口与第二二极管的阳极连接，第二天线端口与第一二极管的阳极连接，第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接
。4.
如权利要求2所述的频率自适应电路，其特征在于：所述镜像电流镜单元包括第一
MOS
管
、
第二
MOS
管
、
第一电阻
、
第二电阻；其中，所述整流单元分别与第一
MOS
管的源极
、
第二
MOS
管的源极连接，第一
MOS
管的漏极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端接地；第一
MOS
管的栅极与第二
MOS
管的栅极连接，第二
MOS
管的漏极与第三
MOS

【专利技术属性】
技术研发人员：马洪祥，李立，杨磊，王东旺，王韩，吕晓鹏，范振伟，刘占利，汪标，于飞洋，
申请(专利权)人：北京兆讯恒达技术有限公司，
类型：新型
国别省市：