晶体管及其制备方法技术

本申请实施例提供了一种晶体管及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
晶体管及其制备方法、存储器、电子设备


[0001]本申请涉及存储
，具体而言，本申请涉及一种晶体管及其制备方法
、
存储器
、
电子设备
。

技术介绍

[0002]为了更好的适应器件尺寸按比例缩小的要求，半导体工艺逐渐开始从平面金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管
(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)
向具有更高功效的三维立体式的场效应晶体管过渡
。
立体式
MOSFET
器件相较于平面
MOSFET
器件，具有更强的栅对沟道的控制能力，能够很好的抑制短沟道效应，具有更好的现有的集成电路制作技术的兼容性
。
[0003]为了不断提高电流的驱动能力且抑制短沟道效应，环栅
(Gate All Around,GAA)
场效应场效应晶体管场效应晶体管的概念被提出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶体管，其特征在于，包括：硅层，所述硅层上分别具有沿行方向延伸的多个相互平行的第一沟槽
、
沿列方向延伸的多个相互平行的第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽相互交叉，所述硅层形成位于所述第一沟槽和所述第二沟槽底部的衬底和垂直于所述衬底的多个行列分布且相互独立的硅柱；相邻两列所述硅柱之间的所述第二沟槽包括在垂直于所述衬底方向上相贯通的子通孔和第一子沟槽，所述第一子沟槽位于所述子通孔和所述衬底之间，所述第一子沟槽的最大开口宽度大于所述子通孔的平均开口宽度；同一行的各所述硅柱和所述衬底之间设置有导电线，所述导电线与所述同一行的各硅柱之间连接，所述导电线为所述同一行的各硅柱对应的晶体管的位线
。2.
根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，连接所述同一行的各硅柱的所述导电线为含有金属和硅的硅化物导电线
。3.
根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：栅极绝缘层，环绕所述硅柱的侧壁设置，形成环形绝缘层，所述环形绝缘层具有内表面和外表面，所述内表面与所述硅柱接触；栅极层，环绕所述栅极绝缘层的外表面设置且所述外表面与所述栅极层接触；所述栅极绝缘层在所述硅柱上的正投影覆盖所述栅极层在所述硅柱上的正投影
。4.
根据权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述硅柱上未被所述栅极层的正投影覆盖的区域包括靠近所述衬底一侧的第一区域和远离所述衬底一侧的第二区域；所述第一区域和所述第二区域中其中一者为源极区，另一者为漏极区
。5.
根据权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述硅柱上被所述栅极层的正投影覆盖的区域掺杂的元素包括砷
、
镓
、
磷或铟，所述硅柱的第一区域和第二区域掺杂的元素包括铝
、
钨或钽
。6.
一种晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供硅层，在所述硅层上沿行方向形成第一沟槽；在所述硅层上形成有所述第一沟槽的基础上，沿列方向形成与所述第一沟槽交叉的第二初始沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二初始沟槽的深度，所述第一沟槽和所述第二初始沟槽的底部为衬底；不同的交叉位置形成垂直于所述衬底且行列分布的多个硅柱；在所述第二初始沟槽的侧面形成含硅的绝缘层露出底部的所述衬底，对所述第二初始沟槽底部的所述衬底进行刻蚀，保留所述侧面形成含氮化硅绝缘层，所述氮化硅绝缘层对应的所述第二初始沟槽形成子通孔，刻蚀得到的沟槽为第一子沟槽，所述第一子沟槽位于所述子通孔下方且与所述子通孔相贯通形成第二沟槽；所述第一子沟槽的内壁为硅，所述第一子沟槽的最大开口宽度大于所述子通孔的平均开口宽度；在所述第二沟槽内形成金属
。7.
根据权利要求6所述的晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述第二沟槽之前，在所述第一沟槽中填充氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层填充到不低于所述硅柱的顶部；在所述第二初始沟槽的侧面形成含硅的绝缘层时，同时在所述硅柱的顶部也形成所述氮化硅绝缘层，使得在形成所述第一子沟槽时所述硅柱受所述氮化硅绝缘层保护
。8.
根据权利要求7所述的晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第二初始沟槽的侧面
形成含硅的绝缘层露出下面的所述衬底，包括：采用化学气相沉积法在所述第二初始沟槽内以及所述硅柱顶部形成所述氮化硅绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟敬恒，李永杰，罗东，韩宝东，尹晓明，平延磊，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：