一种瓷砖烧制炉及其温控系统技术方案

本发明专利技术提供了一种瓷砖烧制炉及其温控系统

【技术实现步骤摘要】
一种瓷砖烧制炉及其温控系统、方法


[0001]本专利技术涉及瓷砖烧制
，具体涉及一种瓷砖烧制炉及其温控系统
、
方法
。

技术介绍

[0002]瓷砖，是以耐火的金属氧化物及半金属氧化物，经由研磨
、
混合
、
压制
、
施釉
、
烧结之过程，而形成的一种耐酸碱的瓷质或石质等建筑或装饰材料，其原材料多由粘土
、
石英砂等混合而成
。
瓷砖在烧制过程中需要用到烧制炉，烧制炉将燃料燃烧的热量作用于瓷砖，使瓷砖内部的水分全部蒸发，现有的烧制炉通常采用下部燃烧，然后上部烧制的方式进行烧制，在烧制的过程中容易造成瓷砖受热不均，并且瓷砖上下面不能进行翻转，在烧制的过程中会出现瓷砖上下面烧制程度不均的现象，从而影响瓷砖质量
。
[0003]在瓷砖烧成时，经历了由常温加热至高温，再由高温冷却到常温的过程
。
随着温度的变化，瓷砖坯体发生了一系列物理化学变化，致使坯体发生不同程度的体积膨胀收缩
。
瓷砖在不同烧制阶段的膨胀收缩情况不同，在升温阶段，坯体由于结晶水被排出，有机物氧化，碳酸盐分解等，体积会收缩；在烧成阶段，坯体会因高温而产生体积膨胀；在冷却阶段，坯体因发生石英晶型转变，体积会收缩
。
[0004]烧成过程中，烧成温度不当，升温速率不合理，坯体上
、
下表面温度差不合适时，都有可能造成坯体表面上
、
下膨胀收缩不相同，出现上凸或者下凹的情况，严重时甚至还会出现波浪变形
。
这些变形不仅大大降低了瓷砖的合格率和质量，同时还造成了资源上的浪费
。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种瓷砖烧制炉及其温控系统
、
方法，可以有效控制瓷砖烧制过程中的温度变化，使得瓷砖受热均匀，有效防止烧制过程中瓷砖表面出现不平整
。
[0006]为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种瓷砖烧制炉，包括：烧制室，其内部转动连接有水平设置的转轴；电机，与所述转轴相传动连接；第一安装部，垂直设于所述转轴上；第二安装部，垂直设于所述转轴上且与所述第一安装部对称；第一放置箱，设于所述第一安装部上；第二放置箱，设于所述第二安装部上；多个温度传感器，设于所述第一放置箱和第二放置箱内，分别用于检测所述第一放置箱上下层和所述第二放置箱上下层的温度；燃烧室，与所述烧制室连通且位于所述烧制室的正下方；点火器，设于所述燃烧室的底部，且连接有燃料管；耐高温风机，其进风端与所述烧制室的上部连通；冂型管，其下部开口通过三通管分别与所述耐高温风机的出风端和燃烧室连通；多个拉瓦尔喷管，沿所述烧制室内壁设置，且通过电磁阀与所述冂型管连通
。
[0007]在一些实施例中，所述第一放置箱的上层壁和下层壁均为镂空结构，所述第一放置箱的上层壁的左中右三个位置均设有所述温度传感器，所述第一放置箱的下层壁的左中右三个位置均设有所述温度传感器；所述第二放置箱的上层壁和下层壁均为镂空结构，所述第二放置箱的上层壁的左中右三个位置均设有所述温度传感器，所述第二放置箱的下层壁的左中右三个位置均设有所述温度传感器
。
[0008]在一些实施例中，所述第一放置箱和第二放置箱均有4个，4个所述第一放置箱沿第一安装部的长度方向呈矩形分布，4个所述第二放置箱沿第二安装部的长度方向呈矩形分布
。
[0009]在一些实施例中，至少2个所述拉瓦尔喷管由上往下分别对着位于上方的2个所述第一放置箱或第二放置箱，至少2个所述拉瓦尔喷管分别对着位于上方的2个所述第一放置箱和下方的2个所述第一放置箱之间的左侧空间和右侧空间，至少2个所述拉瓦尔喷管分别对着靠近所述转轴的2个所述第一放置箱与所述转轴之间的左侧空间和右侧空间，至少2个所述拉瓦尔喷管分别对着位于上方的2个所述第二放置箱和下方的2个所述第二放置箱之间的左侧空间和右侧空间，至少2个所述拉瓦尔喷管分别对着靠近所述转轴的2个所述第二放置箱与所述转轴之间的左侧空间和右侧空间
。
[0010]在一些实施例中，所述耐高温风机有2个，所述冂型管的下部其中一个开口通过三通管分别与其中一个所述耐高温风机的出风端和燃烧室连通，所述冂型管的下部另一个开口通过三通管分别与另一个所述耐高温风机的出风端和燃烧室连通
。
[0011]第二方面，本专利技术提供了一种瓷砖烧制炉的温控系统，包括：上述中任一项所述的瓷砖烧制炉；控制电路，与所述温度传感器连接，用于根据所述温度传感器的检测温度控制所述电磁阀和电机工作；其中，所述控制电路包括处理器
、
第一继电器和第二继电器，所述第一继电器的线圈和第二继电器的线圈均与所述处理器连接，所述处理器与所述温度传感器连接，所述第一继电器的常开触点串联在所述电磁阀的工作电路上，所述第二继电器的常开触点串联在所述电机的工作电路上
。
[0012]在一些实施例中，所述温度传感器配置有测量电路，所述测量电路包括主控电路
、
第一铂电阻电路
、
第二铂电阻电路
、
第一热电偶电路
、
第二热电偶电路和电源电路，所述主控电路
、
第一铂电阻电路
、
第二铂电阻电路
、
第一热电偶电路和第二热电偶电路均与所述电源电路连接，所述第一铂电阻电路
、
第二铂电阻电路
、
第一热电偶电路和第二热电偶电路均与所述主控电路连接；其中，一个所述温度传感器由一个第一铂电阻
、
一个第二铂电阻
、
一个第一热电偶和一个第二热电偶组成
。
[0013]在一些实施例中，所述主控电路包括主控芯片
U1A、
主控芯片
U1B、
调试接口
P1、
电阻
R7、
二极管
D2、
电容
C4、
电容
C5、
电容
C6、
接口芯片
U5、
电容
C21、
电阻
R18、
电阻
R19、
电阻
R30、
电容
C13、
电容
C14、
晶振
Y2、
电阻
R12、
电容
C8、
电容
C7、
电阻
R10、
电阻
R3
和晶振
Y1
；所述主控芯片
U1A
的引脚
28
通过所述电阻
R3
接地，所述主控芯片
U1A
的引脚5与所述电阻
R10
的一端
、
晶振
Y1
的一端和接地的电容
C8
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种瓷砖烧制炉，其特征在于，包括：烧制室，其内部转动连接有水平设置的转轴；电机，与所述转轴相传动连接；第一安装部，垂直设于所述转轴上；第二安装部，垂直设于所述转轴上且与所述第一安装部对称；第一放置箱，设于所述第一安装部上；第二放置箱，设于所述第二安装部上；多个温度传感器，设于所述第一放置箱和第二放置箱内，分别用于检测所述第一放置箱上下层和第二放置箱上下层的温度；燃烧室，与所述烧制室连通且位于所述烧制室的正下方；点火器，设于所述燃烧室的底部，且连接有燃料管；耐高温风机，其进风端与所述烧制室的上部连通；冂型管，其下部开口通过三通管分别与所述耐高温风机的出风端和燃烧室连通；多个拉瓦尔喷管，沿所述烧制室内壁设置，且通过电磁阀与所述冂型管连通
。2.
根据权利要求1所述的瓷砖烧制炉，其特征在于：所述第一放置箱的上层壁和下层壁均为镂空结构，所述第一放置箱的上层壁的左中右三个位置均设有所述温度传感器，所述第一放置箱的下层壁的左中右三个位置均设有所述温度传感器；所述第二放置箱的上层壁和下层壁均为镂空结构，所述第二放置箱的上层壁的左中右三个位置均设有所述温度传感器，所述第二放置箱的下层壁的左中右三个位置均设有所述温度传感器
。3.
根据权利要求2所述的瓷砖烧制炉，其特征在于：所述第一放置箱和第二放置箱均有4个，4个所述第一放置箱沿第一安装部的长度方向呈矩形分布，4个所述第二放置箱沿第二安装部的长度方向呈矩形分布
。4.
根据权利要求3所述的瓷砖烧制炉，其特征在于：至少2个所述拉瓦尔喷管由上往下分别对着位于上方的2个所述第一放置箱或第二放置箱，至少2个所述拉瓦尔喷管分别对着位于上方的2个所述第一放置箱和下方的2个所述第一放置箱之间的左侧空间和右侧空间，至少2个所述拉瓦尔喷管分别对着靠近所述转轴的2个所述第一放置箱与所述转轴之间的左侧空间和右侧空间，至少2个所述拉瓦尔喷管分别对着位于上方的2个所述第二放置箱和下方的2个所述第二放置箱之间的左侧空间和右侧空间，至少2个所述拉瓦尔喷管分别对着靠近所述转轴的2个所述第二放置箱与所述转轴之间的左侧空间和右侧空间
。5.
根据权利要求4所述的瓷砖烧制炉，其特征在于：所述耐高温风机有2个，所述冂型管的下部其中一个开口通过三通管分别与其中一个所述耐高温风机的出风端和燃烧室连通，所述冂型管的下部另一个开口通过三通管分别与另一个所述耐高温风机的出风端和燃烧室连通
。6.
一种瓷砖烧制炉的温控系统，其特征在于，包括：权利要求1至5中任一项所述的瓷砖烧制炉；控制电路，与所述温度传感器连接，用于根据所述温度传感器的检测温度控制所述电
磁阀和电机工作；其中，所述控制电路包括处理器
、
第一继电器和第二继电器，所述第一继电器的线圈和第二继电器的线圈均与所述处理器连接，所述处理器与所述温度传感器连接，所述第一继电器的常开触点串联在所述电磁阀的工作电路上，所述第二继电器的常开触点串联在所述电机的工作电路上
。7.
根据权利要求6所述的瓷砖烧制炉的温控系统，其特征在于：所述温度传感器配置有测量电路，所述测量电路包括主控电路
、
第一铂电阻电路
、
第二铂电阻电路
、
第一热电偶电路
、
第二热电偶电路和电源电路，所述主控电路
、
第一铂电阻电路
、
第二铂电阻电路
、
第一热电偶电路和第二热电偶电路均与所述电源电路连接，所述第一铂电阻电路
、
第二铂电阻电路
、
第一热电偶电路和第二热电偶电路均与所述主控电路连接；其中，一个所述温度传感器由一个第一铂电阻
、
一个第二铂电阻
、
一个第一热电偶和一个第二热电偶组成
。8.
根据权利要求6所述的瓷砖烧制炉的温控系统，其特征在于：所述主控电路包括主控芯片
U1A、
主控芯片
U1B、
调试接口
P1、
电阻
R7、
二极管
D2、
电容
C4、
电容
C5、
电容
C6、
接口芯片
U5、
电容
C21、
电阻
R18、
电阻
R19、
电阻
R30、
电容
C13、
电容
C14、
晶振
Y2、
电阻
R12、
电容
C8、
电容
C7、
电阻
R10、
电阻
R3
和晶振
Y1
；所述主控芯片
U1A
的引脚
28
通过所述电阻
R3
接地，所述主控芯片
U1A
的引脚5与所述电阻
R10
的一端
、
晶振
Y1
的一端和接地的电容
C8
连接，所述主控芯片
U1A
的引脚6与所述电阻
R10
的另一端
、
晶振
Y1
的另一端和接地的电容
C7
连接，所述主控芯片<...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧军，陈娟，罗燕，
申请(专利权)人：四川利弘陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：