微型发光二极管显示装置及制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了微型发光二极管显示装置及制备方法，包括：基板和多个

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示装置及制备方法


[0001]本专利技术属于
Micro
‑
LED
制造
，具体涉及一种微型发光二极管显示装置及制备方法
。

技术介绍

[0002]微型发光二极管又称
Micro
‑
LED
，是具有多个单像素元件的微型
LED
阵列，因其每一个
LED
单元都能自发光而被广泛应用
。
为提高
LED
单元的发光亮度，需要在
LED
单元的背面设置反射层，将背面的光线反射至
LED
单元的出光面，以提高
LED
单元的整体亮度
。
反射层的材质可以采用金属或分布式布拉格反射器
(DBR)
，金属由于比较活泼，制备工艺难度较高且容易污染
LED
单元，
DBR
虽然材料温度且工艺实现好，但由于其多层的周期性结构以及不导电的特性，使得
LED
单元的接触电阻小，导致微型发光二极管亮度不均匀且功耗增加
。

技术实现思路

[0003]专利技术目的：本专利技术的目的在于提供一种微型发光二极管，通过设置阻挡层保护反射层并减少接触电阻率；本专利技术的另一目的在于提供上述微型发光二极管的制备方法
。
[0004]技术方案：为实现上述专利技术目的，本专利技术提供一种微型发光二极管显示装置，包括：
[0005]基板，所述基板包括驱动电路以及与驱动电路电性连接的多个触点；
[0006]多个
LED
单元，阵列排布于所述基板上，所述
LED
单元通过对应的所述触点单独被驱动；
[0007]键合层，位于所述基板和所述
LED
单元之间；
[0008]布拉格反射器层，位于所述键合层与所述
LED
单元之间；
[0009]第一导电层，覆盖所述布拉格反射器层的侧壁并分别与所述
LED
单元和所述键合层电性连接
。
[0010]在一些实施例中，所述
LED
单元为台阶结构，所述台阶结构包括第一掺杂型半导体层
、
第二掺杂型半导体层和位于两者之间的有源层；所述台阶结构使相邻的
LED
单元的第二掺杂型半导体层
、
有源层和第一掺杂型半导体层分别相互断开且电隔离；
[0011]所述触点位于对应的所述
LED
单元的下方，所述触点通过所述键合层与第一导电层连接，且所述第一导电层与对应的所述第一掺杂型半导体层的侧壁电性连接
。
[0012]在一些实施例中，还包括：
[0013]钝化层和第二导电层，所述钝化层覆盖所述
LED
单元的侧面
、
所述第一导电层以及所述键合层的侧壁，以使所述第二导电层与所述第一掺杂型半导体层
、
所述第一导电层和所述键合层电性隔离；
[0014]所述第二导电层覆盖所述钝化层并将相邻
LED
单元的所述第二掺杂型半导体层电性连接；所述第二导电层上具有暴露所述第二掺杂型半导体层的开口
。
[0015]在一些实施例中，所述
LED
单元为台阶结构，所述台阶结构包括第一掺杂型半导体
层
、
第二掺杂型半导体层和位于两者之间的有源层；所述台阶结构使相邻的
LED
单元的第二掺杂型半导体层
、
有源层和第一掺杂型半导体层分别相互断开且电隔离；
[0016]所述触点位于相邻的所述
LED
单元之间，所述触点与对应的所述
LED
单元的第二掺杂型半导体层电性连接，且所述第一导电层与对应的所述第一掺杂型半导体层的侧壁电性连接
。
[0017]在一些实施例中，还包括：
[0018]钝化层和第二导电层，所述钝化层覆盖所述
LED
单元的侧面
、
所述第一导电层以及所述键合层，以使所述第二导电层与所述第一掺杂型半导体层
、
所述第一导电层和所述键合层电性隔离；
[0019]所述第二导电层覆盖所述钝化层并将所述第二掺杂型半导体层和对应的所述触点电性连接；所述第二导电层上具有暴露所述第二掺杂型半导体层的开口
。
[0020]在一些实施例中，还包括：
[0021]透明导电层，位于所述布拉格反射器层和所述
LED
单元之间，所述透明导电层与所述第一导电层电性连接
。
[0022]在一些实施例中，所述基板为硅基
CMOS
驱动板或薄膜场效应管驱动板
。
[0023]在一些实施例中，所述
LED
单元之间的间距为1～
10
μ
m
；所述
LED
单元的尺寸为1～
10
μ
m。
[0024]在一些实施例中，所述微型发光二极管显示装置满足如下特征中的至少一者：
[0025]a)
所述布拉格反射器层的材质包括层叠交替设置的
TiO2层和
SiO2层；或者，层叠交替设置的
SiO2层和
HfO2层；
[0026]b)
所述键合层的材料选自含有
Au、Ag、Cu、Al
中至少一种元素的金属单质或合金；
[0027]c)
所述第一导电层为具有反射功能的导电材料，所述导电材料选自含有
Au、Ag、Cu、Al
中至少一种元素的金属单质或合金；
[0028]d)
所述第二导电层为具有反射功能的导电材料，所述导电材料选自含有
Au、Ag、Cu、Al
中至少一种元素的金属单质或合金
。
[0029]在一些实施例中，本申请还提供一种微型发光二极管显示装置的制备方法，包括以下步骤：
[0030]提供基板，所述基板包括驱动电路以及与驱动电路电性连接的多个触点提供衬底，所述衬底上形成有
LED
半导体层；
[0031]形成布拉格反射器层，所述布拉格反射器层位于所述
LED
半导体层上；
[0032]形成键合层，所述键合层位于所述布拉格反射器层和
/
或所述基板上；
[0033]将所述基板和所述布拉格反射器层通过所述键合层键合，并移除所述衬底；
[0034]加工所述
LED
半导体层形成多个
LED
单元，所述
LED
单元阵列排布于所述基板上，且通过对应的所述触点单独被驱动；
[0035]形成第一导电层，所述第一导电层覆盖所述布拉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
微型发光二极管显示装置，其特征在于，包括：基板
(10)
，所述基板
(10)
包括驱动电路以及与驱动电路电性连接的多个触点
(101)
；多个
LED
单元
(20)
，阵列排布于所述基板
(10)
上，所述
LED
单元
(20)
通过对应的所述触点
(101)
单独被驱动；键合层
(30)
，位于所述基板
(10)
和所述
LED
单元
(20)
之间；布拉格反射器层
(40)
，位于所述键合层
(30)
与所述
LED
单元
(20)
之间；第一导电层
(50)
，覆盖所述布拉格反射器层
(40)
的侧壁并分别与所述
LED
单元
(20)
和所述键合层
(30)
电性连接
。2.
根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述
LED
单元
(20)
为台阶结构，所述台阶结构包括第一掺杂型半导体层
(201)、
第二掺杂型半导体层
(202)
和位于两者之间的有源层
(203)
；所述台阶结构使相邻的
LED
单元
(20)
的第二掺杂型半导体层
(202)、
有源层
(203)
和第一掺杂型半导体层
(201)
分别相互断开且电隔离；所述触点
(101)
位于对应的所述
LED
单元
(20)
的下方，所述触点
(101)
通过所述键合层
(30)
与第一导电层
(50)
连接，且所述第一导电层
(50)
与对应的所述第一掺杂型半导体层
(201)
的侧壁电性连接
。3.
根据权利要求2所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，还包括：钝化层
(60)
和第二导电层
(70)
，所述钝化层
(60)
覆盖所述
LED
单元
(20)
的侧面
、
所述第一导电层
(50)
以及所述键合层
(30)
的侧壁，以使所述第二导电层
(70)
与所述第一掺杂型半导体层
(201)、
所述第一导电层
(50)
和所述键合层
(30)
电性隔离；所述第二导电层
(70)
覆盖所述钝化层
(60)
并将相邻
LED
单元
(20)
的所述第二掺杂型半导体层
(202)
电性连接；所述第二导电层
(70)
上具有暴露所述第二掺杂型半导体层
(202)
的开口
(701)。4.
根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述
LED
单元
(20)
为台阶结构，所述台阶结构包括第一掺杂型半导体层
(201)、
第二掺杂型半导体层
(202)
和位于两者之间的有源层
(203)
；所述台阶结构使相邻的
LED
单元
(20)
的第二掺杂型半导体层
(202)、
有源层
(203)
和第一掺杂型半导体层
(201)
分别相互断开且电隔离；所述触点
(101)
位于相邻的所述
LED
单元
(20)
之间，所述触点
(101)
与对应的所述
LED
单元
(20)
的第二掺杂型半导体层
(202)
电性连接，且所述第一导电层
(50)
与对应的所述第一掺杂型半导体层
(201)
的侧壁电性连接
。5.
根据权利要求4所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，还包括：钝化层
(60)
和第二导电层
(70)
，所述钝化层
(60)
覆盖所述
LED
单元
(20)
的侧面
、
所述第一导电层
(50)
以及所述键合层
(30)
，以使所述第二导电层
(70)
与所述第一掺杂型半导体层
(201)、
所述第一导电层
(50)
和所述键合层
(30)
电性隔离；所述第二导电层
(70)
覆盖所述钝化层
(60)
并将所述第二掺杂型半导体层
(202)
和对应的所述触点
(101)
电性连接；所述第二导电层
(70)
上具有暴露所述第二掺杂型半导体层
(202)
的开口
(701)。6.
根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，还包括：透明导电层
(80)
，位于所述布拉格反射器层
(40)
和所述
LED
单元
(20)
之间，所述透明导电层
(80)
与所述第一导电层
(50)
电性连接
。
7.
根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述
LED
单元
(20)
之间的间距为1～
10
μ
m
；所述
LED
单元
(20)
的尺寸为1～
10
μ
m。8.
根据权利要求3或5所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述微型发光二极管显示装置满足如下特征中的至少一者：
a)
所述布拉格反射器层
(40)
的材质包括层叠交替设置的
TiO2层和
SiO2层；或者，层叠交替设置的
SiO2层和
HfO2层；
b)
所述键合层
(30)
的材料选自含有
Au、Ag、Cu、Al
中至少一种元素的金属单质或合金；
c)
所述第一导电层
(50)
为具有反射功能的导电材料，所述导电材料选自含有
Au、Ag、Cu、Al
中至少一种元素的金属单质或合金；
d)
所述第二导电层
(70)
为具有发射功能的导电材料，所述导电材料选自含有
Au、Ag、Cu、Al
中至少一种元素的金属单质或合金
。9.
微型发光二极管显示装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基板
(10)
，所述基板
(10)
包括驱动电路以及与驱动电路电性连接的多个触点

【专利技术属性】
技术研发人员：张盼盼，庄永漳，仉旭，
申请(专利权)人：镭昱光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：