显示装置及其制造方法制造方法及图纸

第二检查部

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及显示装置及其制造方法
。

技术介绍

[0002]近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光
(electroluminescence
，以下也称为“EL”)
元件的自发光型的有机
EL
显示装置受到关注
。
该有机
EL
显示装置例如具备
TFT
层，该
TFT
层在构成显示区域的各子像素中设置有用于驱动有机
EL
元件的薄膜晶体管
(thin film transistor
，以下也称为“TFT”)。
[0003]例如，在专利文献1中，作为用于评价
TFT
的特性的评价用元件
(test element group
，以下也称为“TEG”)
，公开了一种半导体装置，其设置有杂质区域的一部分具有未被金属硅化物化的
Si
区域的半导体元件
。
现有技术文献专利文献
[0004]专利文献1：日本特开
2007
‑
13125
号公报

技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题
[0005]然而，在通过电流控制进行灰度显示的有机
EL
显示装置中，与通过电压控制进行灰度显示的液晶显示装置不同，期望电流
‑
电压特性
(Id
‑/>Vg
曲线
)
的波形的倾斜平缓
、
即
S
值
(
亚阈值系数
)
大的
TFT。
但是，若
TFT
的
S
值变大，则
S
值的偏差也变大，因此，即使在显示区域的周围的边框区域设置
TEG
，例如，通过测量
TEG
的电阻值，进行工序检查，从而管理设置在显示区域的
TFT
的特性，由于
TEG
的电阻值的再现性差，因此，难以通过工序检查来管理
TFT
的特性
。
[0006]本专利技术是鉴于这一点而完成的，其目的在于通过工序检查可靠地管理薄膜晶体管的特性
。
用于解决技术问题的技术方案
[0007]为了达成上述目的，本专利技术的显示装置具备：基底基板；薄膜晶体管层，其设置在所述底基板之上，依次层叠有半导体层
、
栅极绝缘膜
、
第一配线层
、
层间绝缘膜及第二配线层；以及发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层之上，与构成显示区域的多个子像素对应地排列有多个发光元件，在所述显示区域的周围设置有边框区域，在所述边框区域设置有检查部，所述检查部具备以彼此相邻的方式设置的第一检查部及第二检查部，所述第一检查部具备：第一检查半导体层，其与所述半导体层由相同的材料形成在同一层；所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜，以覆盖所述第一检查半导体层的方式设置；以及第一检查第一端子
、
第一检查第二端子
、
第一检查第三端子及第一检查第四端子，设置在所述层间绝缘膜上，并经由形成在所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜的层叠膜的各接触孔与所述第一检查半导体层电连接，所述第二检查部具备：第二检查半导体层，其与所述半导体层由相同的材
料形成在同一层；所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜，以覆盖所述第二检查半导体层的方式设置；以及第二检查第一端子
、
第二检查第二端子
、
第二检查第三端子和第二检查第四端子，设置在所述层间绝缘膜上，并经由形成在所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜的层叠膜的各接触孔与所述第二检查半导体层电连接，在所述第二检查部的所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜的层叠膜上，在所述第二检查第一端子
、
所述第二检查第二端子
、
所述第二检查第三端子及所述第二检查第四端子的至少一个之间设置有向上方开口的开口部
。
有益效果
[0008]根据本专利技术，能够通过工序检查可靠地管理薄膜晶体管的特性
。
附图说明
[0009]图1是表示本专利技术的第一实施方式的有机
EL
显示装置的概略构成的平面图
。
图2是本专利技术的第一实施方式的有机
EL
显示装置的显示区域的平面图
。
图3是本专利技术的第一实施方式的有机
EL
显示装置的显示区域的剖视图
。
图4是构成本专利技术的第一实施方式的有机
EL
显示装置的
TFT
层的等效电路图
。
图5是表示构成本专利技术的第一实施方式的有机
EL
显示装置的有机
EL
层的剖视图
。
图6是构成本专利技术的第一实施方式的有机
EL
显示装置的第一检查部的平面图
。
图7是沿图6中的
VII
‑
VII
线的第一检查部的剖视图
。
图8是构成本专利技术的第一实施方式的有机
EL
显示装置的第二检查部的平面图
。
图9是沿着图8中的
IX
‑
IX
线的第二检查部的剖视图
。
图
10
是表示本专利技术的第一实施方式的有机
EL
显示装置的实施例中的电流
‑
电压特性的波形的曲线图
。
图
11
是表示本专利技术的第一实施方式的有机
EL
显示装置的比较例中的电流
‑
电压特性的波形的曲线图
。
图
12
是表示本专利技术第二实施方式的有机
EL
显示装置的概略构成的平面图
。
具体实施方式
[0010]以下，基于附图对本专利技术的实施方式进行详细说明
。
另外，本专利技术并不限定于以下的各实施方式
。
[0011]《
第一实施方式
》
图1～图
11
表示本专利技术的显示装置及其制造方法的第一实施方式
。
另外，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件的显示装置，例示具备有机
EL
元件的有机
EL
显示装置
。
在此，图1是表示本实施方式的有机
EL
显示装置
50a
的概略构成的平面图
。
此外，图2及图3是有机
EL
显示装置
50a
的显示区域
D
的平面图及剖视图
。
此外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种显示装置，其特征在于，其具备：基底基板；薄膜晶体管层，其设置在所述底基板之上，依次层叠有半导体层
、
栅极绝缘膜
、
第一配线层
、
层间绝缘膜及第二配线层；以及发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层之上，与构成显示区域的多个子像素对应地排列有多个发光元件，在所述显示区域的周围设置有边框区域，在所述边框区域设置有检查部，所述检查部具备以彼此相邻的方式设置的第一检查部及第二检查部，所述第一检查部具备：第一检查半导体层，其与所述半导体层由相同的材料形成在同一层；所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜，以覆盖所述第一检查半导体层的方式设置；以及第一检查第一端子
、
第一检查第二端子
、
第一检查第三端子及第一检查第四端子，设置在所述层间绝缘膜上，并经由形成在所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜的层叠膜的各接触孔与所述第一检查半导体层电连接，所述第二检查部具备：第二检查半导体层，其与所述半导体层由相同的材料形成在同一层；所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜，以覆盖所述第二检查半导体层的方式设置；以及第二检查第一端子
、
第二检查第二端子
、
第二检查第三端子和第二检查第四端子，设置在所述层间绝缘膜上，并经由形成在所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜的层叠膜的各接触孔与所述第二检查半导体层电连接，在所述第二检查部的所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜的层叠膜上，在所述第二检查第一端子
、
所述第二检查第二端子
、
所述第二检查第三端子及所述第二检查第四端子的至少一个之间设置有向上方开口的开口部
。2.
根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述开口部以贯通所述第二检查部中的所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜的层叠膜的方式设置
。3.
根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述开口部设置在所述第二检查第一端子
、
所述第二检查第二端子
、
所述第二检查第三端子和所述第二检查第四端子的各个之间的区域整体
。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一检查半导体层和所述第二检查半导体层分别形成为在俯视时沿四个方向分支，所述第一检查第一端子
、
所述第一检查第二端子
、
所述第一检查第三端子以及所述第一检查第四端子与所述第一检查半导体层的分支的前端分别电连接，所述第二检查第一端子
、
所述第二检查第二端子
、
所述第二检查第三端子...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤贵翁，神崎庸辅，山中雅贵，三轮昌彦，孙屹，藤原正树，
申请(专利权)人：夏普显示科技株式会社，
类型：发明
国别省市：