金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号：39639840 阅读：11 留言：0更新日期：2023-12-09 11:03

本公开提供一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的金属氧化物薄膜晶体管稳定性较差的问题。本公开的金属氧化物薄膜晶体管包括：基底、位于基底上的金属氧化物半导体层；金属氧化物半导体层的霍尔迁移率大于或等于25cm2/V.s；金属氧化物薄膜晶体管还包括：位于基底与金属氧化物半导体层之间的栅极及栅极绝缘层；栅极绝缘层包括：叠层设置的第一氮化硅层、第二氮化硅层和第一氧化硅层；其中，第一氧化硅层与金属氧化物半导体层接触，第二氮化硅层的两个表面分别与第一氮化硅层和第一氮化硅层接触；第二氮化硅层中至少部分区域的氢原子含量小于第一氮化硅层中至少部分区域的氢原子含量的30％。含量的30％。含量的30％。含量的30％。