一种半导体级四（二甲胺基）锡的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体级四

【技术实现步骤摘要】
一种半导体级四(二甲胺基)锡的制备方法


[0001]本专利技术涉及材料制备
，具体涉及一种半导体级四
(
二甲胺基
)
锡的制备方法
。

技术介绍

[0002]半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料
。
半导体是指一种导电性可控，介于绝缘体与导体之间的材料
。
存在的形式多种多样，固体
、
液体
、
气体
、
等离子体等
。
有些元素本身具有半导体与金属两种形态如
Sn、As、Sb。
半导体在集成电路
、
消费电子
、
通信系统
、
光伏发电
、
照明
、
大功率电源转换等领域都有应用，半导体制造业属于将原材料和零部件通过一系列制造工艺转化为芯片等电子元器件的过程，半导体制造是一项高度精细和复杂的工艺，有着许多独特的特点
。
首先，半导体制造需要使用高纯度的原材料和化学试剂，以保证本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体级四
(
二甲胺基
)
锡的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)
在惰性气体的保护下，首先先用惰性气体将反应器内吹扫置换干净，置换次数
20
～
50
次，主要目的除去反应器中的空气和水分；
(2)
再向反应器中分别加入有机锂化合物和烃类溶剂，然后将混合溶液降温至
‑
45℃
～
‑
25℃
，达到温度后，向其中通入二甲胺气体，通入的过程要缓慢，温度保持在
‑
45℃
～
‑
25℃
，以免副反应过多，反应时间为
10h
～
20h
，制得二甲胺基锂；
(3)
再向反应器中加入四氯化锡，此步反应温度控制在
‑
50℃
‑
35℃
，加入方式为滴加，反应时间为
8h
～
15h
，制得四
(
二甲胺基
)
锡，再通过精馏，即可得到半导体级四
(
二甲胺基
)
锡
。2.
如权利要求1所述的半导体级四
(
二甲胺基
)
锡的制备方法，其特征在于，所述烃类溶剂为4～8个碳原子数的正烷烃
。3.
如权利要求2所述的半导体级四
(
二甲胺基
)
锡的制备方法，其特征在于，所述烃类溶剂为正己烷
。4.
如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘璧，鲍坚仁，徐学强，
申请(专利权)人：南通艾佩科半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：