【技术实现步骤摘要】
一种DDR5内存性能测试分析辅助系统
[0001]本专利技术涉及内存条参数统计分析领域,尤其是涉及内存性能测试分析辅助系统
,具体为一种DDR5内存性能测试分析辅助系统。
技术介绍
[0002]半导体模组测试的性能测试工序分析DDR5异常不良的时候需要先搜集大量的数据(Test Log&CHIPID LOG存于测试机本地,容易丢失实际不良资材;接着读取所有不良资材的SPDSerial Presence Detect信息,即是通过I2C串行接口的EEPROMElectrically Erasable Programmable Read
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Only Memory,电可擦可编程只读存储器对内存插槽中的模组存在的信息检查;最后根据SPD信息将所有数据手动汇总整理至EXCEL得出结论。由此可见,现有的分析过程冗长和繁琐缺乏直观的数据反映;测试机本地保存测试信息容易丢失,测试信息维护不便,并且DDR5中DIMM构架发生改变采用双通道设计,并且现使用的DDR4测试分析系统仅支持1个通道通信结构测试日 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种DDR5内存性能测试分析辅助系统,其特征在于,包括:测试数据库(1),所述测试数据库(1)接收测试设备中DDR5通电运行的测试结果,建立该编号DDR5的通道测试数据表(2),所述通道测试数据表(2)设置有上下两段分段对应DDR5中0与1两条通道;PC(3),所述PC(3)通过数据传输装置(6)读取并备份测试数据库(1)中通道测试数据表(2),并在所有同批次的通道测试数据表(2)上位建立批次产品分析表(7);数据解析模块(4),所述数据解析模块(4)提取批次产品分析表(7)下位所有同批次的通道测试数据表(2)收集并统计该批次产品从零件到成品的各项收率;查询模块(5),所述查询模块(5)通过数据传输装置(6)远程读取测试数据库(1)中通道测试数据表(2)和批次产品分析表(7)。2.根据权利要求1所述的DDR5内存性能测试分析辅助系统,其特征在于,所述通道测试数据表(2)包括:Rank组(21),所述Rank组(21)显示该内存颗粒被哪个DDR控制器控制;通道组(22),所述通道组(22)显示该内存颗粒属于的通道编号;位置标号(23),所述位置标号(23)显示该内存颗粒的位置编号;起始DQ(24),所述起始DQ(24)显示该内存颗粒的所连接的DQ数据传输通道的起始数量。3.根据权利要求2所述的DDR5内存性能测试分析辅助系统,其特征在于,所述数据解析模块(4)包括:电特性项目的测试结果(41),所述电特性项目的测试结果(41)收集该批次内存条的输入电压与AC与DC中信号电压等运行时的检测参数,统计不良项目类型及占比;量产...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡燕,刘欣,唐奇胜,
申请(专利权)人:海太半导体无锡有限公司,
类型:发明
国别省市:
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