获取磁性随机存储器短路故障地址的方法以及测试系统技术方案

本申请提供了一种获取磁性随机存储器短路故障地址的方法以及测试系统

【技术实现步骤摘要】
获取磁性随机存储器短路故障地址的方法以及测试系统


[0001]本申请涉及微电子
，具体而言，涉及一种获取磁性随机存储器短路故障地址的方法以及测试系统
。

技术介绍

[0002]磁性随机存储器
(Magnetic Random Access Memory
，
MRAM)
是一种极具潜力的新型存储器，它的核心存储单元包括1个磁性隧道结
(MTJ)、1
个场效应管
(CMOS)。
其中，
MTJ
的相关制造工艺可能出现部分相邻位置的接触短路现象，在
MTJ
和
CMOS
间的位置，发生垂直与
BL
方向的短路故障，则短路的两
MTJ
所在的
BL
上的所有
MTJ(
短路的两
MTJ
除外
)
发生误读，同时短路的
MTJ
则会存在误写问题，导致测试结果不准确，影响良率判断
。
[0003]该故障类型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种获取磁性随机存储器短路故障地址的方法，其特征在于，包括：对所述磁性随机存储器进行初始化，使得所述磁性随机存储器达到初始状态，并对处于所述初始状态的各磁性随机存储器地址进行初始读操作，根据所述初始读操作得到的值确定第一地址；按照第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写操作和第一读操作，并根据所述第一读操作得到的值确定第二地址；按照第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写操作和第二读操作，并根据所述第二读操作得到的值确定第三地址；至少根据所述第一地址
、
所述第二地址以及所述第三地址，计算目标地址，所述目标地址为短路故障的地址
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写操作和第一读操作，并根据所述第一读操作得到的值确定第二地址，包括：按照所述第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写0操作和第一读0操作，得到对应的第一读0值；确定所述第一读0值不为0的地址为所述第二地址
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写操作和第一读操作，并根据所述第一读操作得到的值确定第二地址，还包括：按照所述第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写1操作和第一读1操作，得到对应的第一读1值；确定所述第一读1值不为1的地址为所述第二地址
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写操作和第二读操作，并根据所述第二读操作得到的值确定第三地址，包括：按照所述第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写0操作和第二读0操作，得到对应的第二读0值；确定所述第二读0值不为0的地址为所述第三地址
。5.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照第...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯嘉，王明，何世坤，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，
类型：发明
国别省市：