一种用于制造技术

本发明专利技术公开了一种用于

【技术实现步骤摘要】
一种用于IGBT基板的表面粗化方法


[0001]本专利技术属于电路板工艺
，特别涉及一种用于
IGBT
基板的表面粗化方法
。

技术介绍

[0002]目前大部分
IGBT
模块均采用
DBC
和
AMB
陶瓷基板制作，陶瓷基板在生产
IGBT
时需要贴装在散热铜基板上，由于陶瓷基板面积过大会崩裂的特性，所以一块
IGBT
模块上基本要贴装三块陶瓷板，这样生产模块时效率低下且由于贴装焊料有空洞率和多块贴装方向摆正等问题引起报废率增加和人工成本增加，而我司目前使用的一体化材料可以替代
DBC
和铜底板，可以帮助减少
DBC
贴装铜板的工序以及减少贴装不良导致的报废，一体化材料是由铜底板
+
绝缘高导热胶膜
+
顶层线路层铜箔，三者厚度和导热参数可灵活选配，最后采用高温压合工艺而来；目前我司为实现金属一体化产品替代
DBC
产品，常规铜箔压合后线路表面光滑，并不能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于
IGBT
基板的表面粗化方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10
，微蚀；
S20
，喷砂；
S30
，水洗烘干；
S40
，表面涂覆抗氧化膜
。2.
根据权利要求1所述的用于
IGBT
基板的表面粗化方法，其特征在于，所述
S10
中采用硫酸与过硫酸钠混合液对覆铜基板进行微蚀并进行溢流水洗，其中，硫酸的浓度为
18.4
～
36.8g/L
，过硫酸钠的浓度为
20
～
40g/L
；包括以下步骤：
S11
，入板后，酸洗；
S12
，溢流水洗2次后，刷板；
S13
，溢流水洗3次后，清水洗；
S14
，干燥，包括依次进行吸干
、
强风吹干和热风烘干
。3.
根据权利要求2所述的用于
IGBT
基板的表面粗化方法，其特征在于，所述
S11
中酸洗压力为
2.0
±
0.5kg/cm2；酸洗槽硫酸添加比例为4％
±1％
。4.
根据权利要求2所述的用于
IGBT
基板的表面粗化方法，其特征在于，所述
S12
中设定溢流水洗压力为
1.5
±
0.5kg/cm2；
S13
中设定溢流水洗压力为
2.0
±
0.5kg/cm2；设定清水洗的水流量为6±
2L/min
；
S14
中设定热风烘干温度为
85
±
5℃。5.
根据权利要求1所述的用于
IGBT
基板的表面粗化方法，其特征在于，所述
S20
中，采用
Al2O3质量百分比为
15
～
20
％的金刚砂悬浊液作为喷砂液，上下喷淋，喷砂角度为
90
°
，喷砂压力为
0.4kg/cm2，喷砂目数
120
目，喷砂枪口到工件距离
200cm
，喷砂时间1分...

【专利技术属性】
技术研发人员：张于均，张强，
申请(专利权)人：浙江德加电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：