一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法技术

本发明专利技术涉及覆铜陶瓷基板加工领域

【技术实现步骤摘要】
一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法


[0001]本专利技术涉及覆铜陶瓷基板的加工
，具体涉及烧结方法
。

技术介绍

[0002]目前覆铜陶瓷基板
((DCB
基板
)
由于受到烧结治具的限制，目前覆铜陶瓷基板
(DCB
基板
)
的铜箔和陶瓷烧结只能在单层治具上进行，每个治具每次只能烧结1片，这种生产工艺条件存在着产能及生产效率低的问题
。
[0003]基于上述问题，公开号为
CN115615197A
公开了一种
DCB
基板双层同时烧结的方法，包括如下步骤：步骤一，将一层待烧结的陶瓷板以及铜箔两者先后依次放置在烧结治具的凹形摆放槽内；步骤二，烧结治具的上端摆放有盖板，将另一层待烧结的陶瓷板以及铜箔两者先后依次放置在盖板上方；步骤三，进行烧结
。
[0004]上述专利虽然可以实现覆铜陶瓷基板的双层烧结，但是，上层直接放置在盖板上，下层放置在凹形摆放槽内，进而导致烧结后，上下两层的覆铜陶瓷基板的性能存有差异
。
同时，由于烧结治具重量较重，放在传送带上后对传送带使用寿命影响较大
。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法，已解决上述至少一个技术问题
。
[0006]本专利技术的技术方案是：一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0007]步骤一，在烧结炉输送带上摆放下陶瓷底板，所述下陶瓷底板上开设有第一镂空结构，所述下陶瓷底板位于所述第一镂空结构的两侧边缘处固定有下瓷条；
[0008]步骤二，在下陶瓷底板的下瓷条上摆放下层待烧结覆铜陶瓷基板；
[0009]步骤三，在下陶瓷底板上搭接上陶瓷底板，上陶瓷底板与下陶瓷底板之间围成容纳下层待烧结覆铜基板的空间，所述上陶瓷底板上开设有第二镂空结构，所述上陶瓷底板位于所述第二镂空结构的两侧边缘处固定有上瓷条；
[0010]步骤四，在上陶瓷底板的上瓷条上摆放上层待烧结覆铜陶瓷基板；
[0011]步骤五，进行烧结
。
[0012]进一步优选的，步骤二中，在下陶瓷底板的下瓷条上从下至上依次摆放下层待烧结陶瓷板以及铜箔；
[0013]步骤四，在上陶瓷底板的上瓷条上从下至上依次摆放上层待烧结陶瓷板以及铜箔
。
[0014]进一步优选的，所述第一镂空结构以及所述第二镂空结构为圆角矩形
。
[0015]进一步有优选的，所述第一镂空结构的长度为
170mm
，宽度为
130mm
，且圆角半径为
15mm
；
[0016]所述第二镂空结构的长度为
170mm
，宽度为
130mm
，且圆角半径为
30mm。
[0017]进一步优选的，所述上陶瓷底板以及所述下陶瓷底板的长度均为
200mm
，宽度均为
160mm,
厚度均为
1mm。
[0018]进一步优选的，所述下陶瓷底板的左右两端固定两个前后设置且用于搭接所述上陶瓷底板的支撑块，所述支撑块上开设有用于搭接所述上陶瓷底板的缺口；
[0019]所述支撑块邻近下陶瓷基板的角部的一侧紧贴所述下陶瓷底板的长边边缘；
[0020]所述支撑块邻近下陶瓷基板的角部的另一侧与所述下陶瓷基板的短边距离
25cm。
[0021]进一步优选的，所述支撑块的长度为
10mm
，宽度为
5mm,
高度为
10mm,
所述缺口的长度为
10mm,
宽度为
5mm,
高度为
10mm。
[0022]进一步优选的，所述上瓷条以及所述下瓷条的长度均为
190mm
，宽度均为
2mm
，高度均为
2mm
；
[0023]所述下瓷条通过有机胶与下陶瓷底板胶粘固定；
[0024]所述上瓷条通过有胶胶与上陶瓷底板胶粘固定
。
[0025]进一步优选的，还包括一上料定位系统，所述上料定位系统包括一用于投影定位画面在输送带上的投影系统，所述定位画面包括用于标识下陶瓷底板放置区域的第一定位图形
、
待烧结陶瓷板的第二定位图形以及待烧结铜箔的第三定位图形；
[0026]所述投影系统与摄像装置并排设置；
[0027]通过摄像装置拍摄存储投影的定位画面与待烧结陶瓷板实际摆放区域的图形信息
。
[0028]避免摆放误差
。
[0029]待烧结陶瓷板实际摆放区域的图形信息指的是待烧结陶瓷板摆放后的画面信息，画面信息包括摆放上待烧结陶瓷板的第一图像以及摆放下待烧结陶瓷板的第二图像
。
[0030]或者，还包括一上料定位系统，所述上料定位系统包括用于获取定位下陶瓷底板的位置信息的摄像装置；
[0031]所述下陶瓷底板的四个角部中的三个角部存有信息识别标识，所述摄像装置通过对信息识别标识进行定位标记，获得下陶瓷底板的信息识别标识的坐标点位置信息
、
中心点位置信息
、
下陶瓷底板的长度信息以及宽度信息；
[0032]根据坐标点位置信息，控制系统判断下陶瓷底板是否摆放正确；
[0033]所述输送带的一侧安装有用于对下陶瓷底板位置进行矫正的矫正机构，所述矫正机构包括两个分别推动下陶瓷底板第一直线方向不同侧的伸缩杆，两个伸缩杆用于下陶瓷底板的周向扭转；
[0034]所述伸缩杆的端部安装有滑动连接下陶瓷底板的滑轨；
[0035]所述矫正机构还包括推动下陶瓷底板的第二直线方向上的侧壁的摆臂，所述摆臂用于下陶瓷底板第一直线方向上沿着滑轨滑动；
[0036]待烧结陶瓷板以及待烧结铜箔进行上料时，一旦待烧结陶瓷板以及待烧结铜箔的尺寸信息与所述下陶瓷底板的长度信息以及宽度信息不匹配，控制系统进行故障提醒；
[0037]控制系统控制待烧结陶瓷板以及待烧结铜箔的中心点位置信息作为摆放中心点进行摆放
。
[0038]有益效果：
[0039]1)
采用中间镂空的上陶瓷底板以及下陶瓷底板，烧结时上陶瓷底板以及下陶瓷底
板上可同时摆放1枚待烧结产品，实现两层同时烧结，烧结炉烧结产能及生产效率提高一倍以上
。
[0040]2)
上陶瓷底板以及下陶瓷底板中间镂空，同时由于且底板厚度簿，材质和待烧结产品的陶瓷相同，对烧结炉内的温度热平衡影响小，保证了产品烧结良率和产品性能
。
[0041]3)
上陶瓷底板以及下陶瓷底板摆放容易
。
同时制作方便，可反复使用，治具生产成本低
。
附图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在烧结炉的输送带上摆放下陶瓷底板，所述下陶瓷底板上开设有第一镂空结构，所述下陶瓷底板位于所述第一镂空结构的两侧边缘处固定有下瓷条；步骤二，在下陶瓷底板的下瓷条上摆放下层待烧结覆铜陶瓷基板；步骤三，在下陶瓷底板上搭接上陶瓷底板，上陶瓷底板与下陶瓷底板之间围成容纳下层待烧结覆铜基板的空间，所述上陶瓷底板上开设有第二镂空结构，所述上陶瓷底板位于所述第二镂空结构的两侧边缘处固定有上瓷条；步骤四，在上陶瓷底板的上瓷条上摆放上层待烧结覆铜陶瓷基板；步骤五，进行烧结
。2.
根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法，其特征在于：步骤二中，在下陶瓷底板的下瓷条上从下至上依次摆放待烧结陶瓷板以及铜箔；步骤四，在上陶瓷底板的上瓷条上从下至上依次摆放待烧结陶瓷板以及铜箔
。3.
根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法，其特征在于：所述第一镂空结构以及所述第二镂空结构为圆角矩形
。4.
根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法，其特征在于：所述第一镂空结构的长度为
170mm
，宽度为
130mm
，且圆角半径为
15mm
；所述第二镂空结构的长度为
170mm
，宽度为
130mm
，且圆角半径为
30mm。5.
根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法，其特征在于：所述上陶瓷底板以及所述下陶瓷底板的长度均为
200mm
，宽度均为
160mm,
厚度均为
1mm。6.
根据权利要求1所述的一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法，其特征在于：所述下陶瓷底板的左右两端固定两个前后设置且用于搭接所述上陶瓷底板的支撑块，所述支撑块上开设有用于搭接所述上陶瓷底板的缺口；所述支撑块邻近下陶瓷基板的角部的一侧紧贴所述下陶瓷底板的长边边缘；所述支撑块邻近下陶瓷基板的角部的另一侧与所述下陶瓷基板的短边距离
25cm。7.
根据权利要求6所述的一种覆铜陶瓷基板双层烧结的烧结方法，其特征在于：所述支撑块的长度为
10mm
，宽度为
5mm,
高度为
10mm,
所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙见，陈欢，阳强俊，戴洪兴，
申请(专利权)人：上海富乐华半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：