半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供能够在抑制沿着长度方向延伸的孔隙的产生的同时对沟槽进行填充的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法包括：通过以将第1沟槽的一部分覆盖的方式形成掩模膜，而在长度方向上对所述第1沟槽进行分割来形成一个以上的第2沟槽；在所述第2沟槽填充第1绝缘膜；将所述掩模膜除去；以及以将所述第1沟槽的整体覆盖的方式形成第2绝缘膜。方式形成第2绝缘膜。方式形成第2绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法及半导体装置
[0001]本申请享受以日本特许申请2022
‑
095084号(申请日：2022年6月13日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。

技术介绍

[0003]具有对埋入于沟槽(trench)的预定膜进行了接触等加工的半导体装置。当沟槽的纵横比变高时，预定膜的埋入性会降低，作为其结果，有时会产生在沟槽的长度方向上延伸的孔隙(void)。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术课题在于，提供能够在抑制沿着长度方向延伸的孔隙的产生的同时对沟槽进行填充的半导体装置的制造方法及半导体装置。
[0005]实施方式的半导体装置的制造方法包括：通过以将第1沟槽的一部分覆盖的方式形成掩模膜，从而在长度方向上对所述第1沟槽进行分割来形成一个以上的第2沟槽；在所述第2沟槽填充第1绝缘膜；将所述掩模膜除去；以及以将所述第1沟槽的整体覆盖的方式形成第2绝缘膜。
附图说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：通过以将第1沟槽的一部分覆盖的方式形成掩模膜，从而在长度方向上对所述第1沟槽进行分割来形成一个以上的第2沟槽；在所述第2沟槽填充第1绝缘膜；将所述掩模膜除去；以及以将所述第1沟槽的整体覆盖的方式形成第2绝缘膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，形成所述掩模膜，以使得作为构成所述第2沟槽的轮廓的边的、所述第1沟槽的宽度方向上的第1边的长度成为所述第1沟槽的长度方向上的第2边的长度以上。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述第1绝缘膜和所述第2绝缘膜中的至少任一者通过AL...

【专利技术属性】
技术研发人员：大理知哉，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：