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实施方式提供能够在抑制沿着长度方向延伸的孔隙的产生的同时对沟槽进行填充的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法包括：通过以将第1沟槽的一部分覆盖的方式形成掩模膜，而在长度方向上对所述第1沟槽进行分割来形成一个以上的...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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