横向氮化镓基功率器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种横向氮化镓基功率器件及其制备方法，功率器件包括：形成于衬底上依次层叠的氮化铝成核层

【技术实现步骤摘要】
横向氮化镓基功率器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种横向氮化镓基功率器件及其制备方法
。

技术介绍

[0002]以氮化镓
(GaN)
为代表的第三代宽禁带半导体材料以其优越的物理和化学性质，如禁带宽度大
、
击穿电场强度高
、
饱和电子漂移速度大
、
抗辐射能力强
、
化学稳定性好等，特别适合制作高耐压
、
高耐温
、
高频
、
大功率电力电子器件
。GaN
材料另一突出的特点就是利用自身的极化效应，在非掺杂的
AlGaN/GaN
就可以形成电子面密度达到
10
13
cm
‑2量级的高浓度二维电子气
(Two
‑
dimensional electron gas
，
2DEG)。2DEG
面密度大
、
在沟道二维平面内迁移率高，利用这一特性制作的横本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种横向氮化镓基功率器件，其特征在于，包括：形成于衬底上依次层叠的氮化铝成核层
、
氮化镓缓冲层以及碳掺杂氮化镓绝缘层，其中所述碳掺杂氮化镓绝缘层具有多个沟槽；形成于所述碳掺杂氮化镓绝缘层表面的铝镓氮
/
氮化镓异质结；形成于所述铝镓氮
/
氮化镓异质结表面的源极
、
漏极和栅极，所述多个沟槽位于栅极和漏极之间耐压区，且在介于栅极和漏极之间耐压区的所述铝镓氮
/
氮化镓异质结部分表面覆盖有辅助耗尽层；以及，形成于任意相邻两个所述沟槽之间凸起部上方的所述辅助耗尽层表面的重掺杂
P
型氮化镓层，所述重掺杂
P
型氮化镓层通过连接结构跨过所述栅极与所述源极形成连接
。2.
根据权利要求1所述的横向氮化镓基功率器件，其特征在于，所述辅助耗尽层为轻掺杂
P
型氮化镓层，厚度介于3～
500nm。3.
根据权利要求1所述的横向氮化镓基功率器件，其特征在于，所述沟槽的深度为
0.1
～5μ
m。4.
根据权利要求1所述的横向氮化镓基功率器件，其特征在于，所述沟槽的刻蚀角为
90
°
～
135
°
。5.
根据权利要求1所述的横向氮化镓基功率器件，其特征在于，所述铝镓氮
/
氮化镓异质结的铝镓氮势垒层厚度介于3～
50nm。6.
一种横向氮化镓...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋其梦，姬源，黄森，王鑫华，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：