一种整流桥可控硅的模块制造技术

本实用新型专利技术涉及整流桥可控硅技术领域，特别涉及整流桥可控硅的模块，其包括整流桥模块

【技术实现步骤摘要】
一种整流桥可控硅的模块


[0001]本技术涉及整流桥可控硅
，特别涉及整流桥可控硅的模块
。

技术介绍

[0002]随着如今电子产品的种类越来越多，对元器件的要求也越来越多，例如应用在调压的产品，一方面要求大功率，一方面要求体积小
。
现在市面上无整流桥和可控硅结合的产品，目前大部分应用都是采用分立元器件，焊接到
PCB
进行应用，非常不利于小型化
。
[0003]综上，现有技术至少存在以下技术问题：
[0004]第一
、
采用分立元件，元器件占用空间大；
[0005]第二
、
整流桥和可控硅都需要加散热片，需要安装散热片的面积大；
[0006]第三
、
抗干扰能力差，可控硅容易被干扰；
[0007]第四
、
大电流应用对
PCB
的要求高
。

技术实现思路

[0008]本技术的一个目的在于，解决或者缓解上述第一个技术问题
。
[0009本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种整流桥可控硅的模块，其特征是，其包括整流桥模块
、
电路载体
(2)
以及外接电极脚
(1)
；所述整流桥模块包括整流二极管
D1、
整流二极管
D2、
整流二极管
D3、
整流二极管
D4
以及单向可控硅
Q1
；外接电极脚
(1)
包括输出负极
(11)、
交流输入极
(12)、
第二交流输入极
(13)、
输出
K
极
(14)、
输出正
A
极
(15)
以及控制
G
极
(16)
；整流二极管
D1
的正极
、
负极分别与交流输入极
(12)、
输出负极
(11)
电性连接；整流二极管
D2
的正极
、
负极分别与输出正
A
极
(15)、
交流输入极
(12)
电性连接；整流二极管
D3
的正极
、
负极分别与第二交流输入极
(13)、
输出负极
(11)
电性连接；整流二极管
D4
的正极
、
负极分别与输出正
A
极
(15)、
第二交流输入极
(13)
电性连接；单向可控硅
Q1
的
A
极
、G
极
、K
极分别与输出正
A
极
(15)、
控制
G
极
(16)、
输出
K
极
(14)
电性连接
。2.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊权，徐海洪，
申请(专利权)人：广东瑞淞电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：