一种整流桥可控硅的模块制造技术

本实用新型专利技术涉及整流桥可控硅技术领域，特别涉及整流桥可控硅的模块，其包括整流桥模块

【技术实现步骤摘要】
一种整流桥可控硅的模块


[0001]本技术涉及整流桥可控硅
，特别涉及整流桥可控硅的模块
。

技术介绍

[0002]随着如今电子产品的种类越来越多，对元器件的要求也越来越多，例如应用在调压的产品，一方面要求大功率，一方面要求体积小
。
现在市面上无整流桥和可控硅结合的产品，目前大部分应用都是采用分立元器件，焊接到
PCB
进行应用，非常不利于小型化
。
[0003]综上，现有技术至少存在以下技术问题：
[0004]第一
、
采用分立元件，元器件占用空间大；
[0005]第二
、
整流桥和可控硅都需要加散热片，需要安装散热片的面积大；
[0006]第三
、
抗干扰能力差，可控硅容易被干扰；
[0007]第四
、
大电流应用对
PCB
的要求高
。

技术实现思路

[0008]本技术的一个目的在于，解决或者缓解上述第一个技术问题
。
[0009]本技术采取的手段为，一种整流桥可控硅的模块，其包括整流桥模块
、
电路载体以及外接电极脚；所述整流桥模块包括整流二极管
D1、
整流二极管
D2、
整流二极管
D3、
整流二极管
D4
以及单向可控硅
Q1
；外接电极脚包括输出负极
、
交流输入极
、/>第二交流输入极
、
输出
K
极
、
输出正
A
极以及控制
G
极；整流二极管
D1
的正极
、
负极分别与交流输入极
、
输出负极电性连接；整流二极管
D2
的正极
、
负极分别与输出正
A
极
、
交流输入极电性连接；整流二极管
D3
的正极
、
负极分别与第二交流输入极
、
输出负极电性连接；整流二极管
D4
的正极
、
负极分别与输出正
A
极
、
第二交流输入极电性连接；单向可控硅
Q1
的
A
极
、G
极
、K
极分别与输出正
A
极
、
控制
G
极
、
输出
K
极电性连接
。
[0010]本技术达到的效果为，能够减少模块整体所占据的空间以及人工组装过程中的工艺步骤
。
[0011]进一步地，还包括电路载体以及硬质的连接片，电路载体包括第一载体
、
第二载体
、
第三载体以及第四载体；第一载体包括横向设置的第一横向部而整体为
T
字形；第四载体包括横向设置的第四横向部而整体为
L
形；整流二极管
D1
固定在第二载体上；整流二极管
D2、
整流二极管
D4
均固定在第四横向部上；整流二极管
D3
固定在第三载体上；整流二极管
D1
与第一横向部
、
整流二极管
D2
与第二载体
、
整流二极管
D3
与第一横向部
、
整流二极管
D4
与第三载体均通过竖直的连接片连接
。
[0012]在减少模块整体所占据的空间的同时能够确保连接强度
。
[0013]进一步地，电路载体为导热导电材料制成
。
[0014]在确保强度的同时还能够提高散热效果
。
[0015]进一步地，还包括为环氧塑料的封装外壳，封装外壳包围电路载体以及所述整流桥模块
。
[0016]进一步地，封装外壳开设有固定螺丝孔和
/
或脱模顶针位
。
附图说明
[0017]图1是本技术的实施例的整流桥可控硅的模块的俯视示意图
。
[0018]图2是本技术的实施例的整流桥可控硅的模块的侧视示意图
。
[0019]图3是本技术的实施例的整流桥可控硅的模块的俯视示意图；未画出
。
[0020]图4是本技术的实施例的整流桥可控硅的模块的电路逻辑图
。
[0021]外接电极脚1；输出负极
11
；交流输入极
12
；第二交流输入极
13
；输出
K
极
14
；输出正
A
极
15
；控制
G
极
16
；
[0022]电路载体2；第一载体
21
；第一横向部
211
；第二载体
22
；第三载体
23
；第四载体
24
；第四横向部
241
；整流二极管
D1
；整流二极管
D2
；整流二极管
D3
；整流二极管
D4
；单向可控硅
Q1
；连接片7；键合线8；封装外壳9；固定螺丝孔
92
；脱模顶针位
93。
具体实施方式
[0023]下面将对照说明书附图，对本技术的具体实施方式进行说明
。
[0024]作为具体的实施例，本技术的实施例的整流桥可控硅的模块，其包括整流桥模块
、
电路载体2以及外接电极脚
1。
[0025]所述整流桥模块包括整流二极管
D1、
整流二极管
D2、
整流二极管
D3、
整流二极管
D4
以及单向可控硅
Q1。
[0026]外接电极脚1包括输出负极
11、
交流输入极
12、
第二交流输入极
13、
输出
K
极
14、
输出正
A
极
15
以及控制
G
极
16。
[0027]整流二极管
D1
的正极
、
负极分别与交流输入极
12、
输出负极
11
电性连接；整流二极管
D2
的正极
、
负极分别与输出正
A
极
15、
交流输入极
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种整流桥可控硅的模块，其特征是，其包括整流桥模块
、
电路载体
(2)
以及外接电极脚
(1)
；所述整流桥模块包括整流二极管
D1、
整流二极管
D2、
整流二极管
D3、
整流二极管
D4
以及单向可控硅
Q1
；外接电极脚
(1)
包括输出负极
(11)、
交流输入极
(12)、
第二交流输入极
(13)、
输出
K
极
(14)、
输出正
A
极
(15)
以及控制
G
极
(16)
；整流二极管
D1
的正极
、
负极分别与交流输入极
(12)、
输出负极
(11)
电性连接；整流二极管
D2
的正极
、
负极分别与输出正
A
极
(15)、
交流输入极
(12)
电性连接；整流二极管
D3
的正极
、
负极分别与第二交流输入极
(13)、
输出负极
(11)
电性连接；整流二极管
D4
的正极
、
负极分别与输出正
A
极
(15)、
第二交流输入极
(13)
电性连接；单向可控硅
Q1
的
A
极
、G
极
、K
极分别与输出正
A
极
(15)、
控制
G
极
(16)、
输出
K
极
(14)
电性连接
。2.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊权，徐海洪，
申请(专利权)人：广东瑞淞电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：