光检测装置和电子设备制造方法及图纸

本公开涉及一种被构造为改善传感器特性的光电检测装置和电子设备

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测装置和电子设备


[0001]本公开涉及一种光检测装置和电子设备，尤其涉及能够改善传感器特性的光检测装置和电子设备
。

技术介绍

[0002]在固态成像装置中，已知具有在彼此相邻的像素之间形成的像素间遮光膜的构成
。
专利文献1公开了一种其中像素间遮光膜形成为贯通防反射膜并且与沟槽接触的结构
。
[0003]引用文献列表
[0004][
专利文献
][0005][
专利文献
1]：美国专利申请公开第
2020/0083268
号

技术实现思路

[0006][
技术问题
][0007]然而，对于专利文献1中公开的技术，可能无法获得足够的传感器特性
。
因此，希望改善传感器特性
。
[0008]本公开是鉴于这种情况而作出的
。
本公开是为了使得改善传感器特性成为可能
。
[0009][
问题的解决方案
][0010]根据本公开一个方面的光检本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种光检测装置，包括：多个像素，每个像素具有光电转换区域，其中在形成有所述光电转换区域的半导体基板上以在平面图中观察时的格子状形成结构体，所述结构体具有包含第一材料的第一膜和包含与第一材料不同的第二材料的第二膜
。2.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中第一膜是其中第一材料具有预定折射率的低折射率膜
。3.
根据权利要求2所述的光检测装置，其中第二膜是其中第二材料具有比第一材料高的折射率的高折射率膜
。4.
根据权利要求3所述的光检测装置，其中第二材料是铝氧化物
(AlOx)。5.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述结构体具有在截面图中观察时到达在所述半导体基板中形成的元件隔离区域的结构
。6.
根据权利要求5所述的光检测装置，其中所述结构体具有在截面图中观察时比所述元件隔离区域更细的结构
。7.
根据权利要求5所述的光检测装置，其中所述结构体具有在截面图中观察时比在所述元件隔离区域的内部形成的区域更细的结构
。8.
根据权利要求5所述的光检测装置，其中所述结构体具有在截面图中观察时比所述元件隔离区域更粗的结构
。9.
根据权利要求5所述的光检测装置，其中所述结构体具有在截面图中观察时上部和下部的粗细彼此不同的两段结构
。10.
根据权利要求9所述的光检测装置，其中所述上部具有比所述下部更粗的结构
。11.
根据权利要求9所述的光检测装置，其中所述上部具有比所述下部更细的结构
。12.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述结构体具有在截面图中观察时未贯通所述半导体基板的结构
。13.
根据权利要求
12
所述的光检测装置，其中所述结构体具有在截面图中观察时上部和下部的粗细彼此不同的两段结构
。14.
根据权利要求
13
所述的光检测装置，其中所述上部具有比所述下部更粗的结构
。15.
根据权利要求
13
所述的光检测装置，其中所述上部具有比所述下部更细的结构
。16.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述结构体具有在截面图中观察时未贯通形成在所述半导体基板上的防反射膜的一部分层的结构
。17.
根据权利要求
16
所述的光检测装置，其中所述结构体具有在截面图中观察时上部和下部的粗细彼此不同的两段结构
。
18.
根据权利要求
17
所述的光检测装置，其中所述上部具有比所述下部更粗的结构
。19.
根据权利要求
17
所述的光检测装置，其中所述上部具有比所述下部更细的结构
。20.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中第二膜形成为覆盖整个第一膜，和所述结构体形成在滤色器的侧面上，并且相对于所述滤色器以在平面图中观察时的格子状形成
。21.
一种电子设备，包括：光检测装置，所述光检测装置包括多个像素，每个像素具有光电转换区域，其中在形成有所述光电转换区域的半导体基板上以在平面图中观察时的格子状形成结构体，所述结构体具有包含第一材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭岛匡，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：