成像器件制造技术

一种成像器件

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成像器件、电子装置和用于制造成像器件的方法


本专利技术涉及成像器件
、
电子装置和用于制造成像器件的方法
。

技术介绍

作为使用光电转换元件检测电磁辐射并产生电荷的成像器件
(
图像传感器
)
，
(
电荷耦合器件
(charge coupled device
，
CCD))
图像传感器和
(
互补金属氧化物半导体
(complementary metal oxide semiconductor
，
CMOS))
图像传感器已经投入实际使用
。CCD
图像传感器和
CMOS
图像传感器作为数码相机
、
摄像机
、
监控摄像机
、
医用内窥镜
、
个人计算机
(personal computer
，
PC)、
移动电话和其他便携式终端
(/>移动设备
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种成像器件，其特征在于，包括：衬底，包括光电二极管；浮动扩散，包括布线连接位置；源极跟随器件，所述源极跟随器件电连接到所述浮动扩散，并包括栅极
、
源极
、
沟道和漏极；其中所述源极跟随器的所述源极包括布线连接位置，并且所述源极跟随器的所述漏极包括布线连接位置，其中在所述衬底的平面图中，所述源极的所述布线连接位置和所述漏极的所述布线连接位置中的至少一个相对于所述源极跟随器件的所述栅极放置在所述浮动扩散的相对侧
。2.
根据权利要求1所述的成像器件，其特征在于，还包括：第一传输栅极和第二传输栅极，其中在所述衬底的平面图中，所述源极跟随器件的所述源极和所述漏极放置在所述第一传输栅极与所述第二传输栅极之间
。3.
根据权利要求1或2所述的成像器件，其特征在于，所述源极跟随器包括有源区，并且在所述衬底的平面图中，所述有源区为
U
形
。4.
根据权利要求1或2所述的成像器件，其特征在于，所述源极跟随器包括有源区，并且在所述衬底的平面图中，所述有源区为
L
形
。5.
根据权利要求1至4中任一项所述的成像器件，其特征在于在所述衬底的平面图中，所述源极跟随器件的所述沟道的最短宽度比所述源极和所述漏极的最短宽度窄
。6.
根据权利要求1至4中任一项所述的成像器件，其特征在于在所述衬底的平面图中，所述源极跟随器件的所述源极的最短宽度比所述沟道和所述漏极的最短宽度窄
。7.
根据权利要求1至6中任一项所述的成像器件，其特征在于，所述源极跟随器件的所述漏极不包括轻掺杂漏极植入物
。8.
根据权利要求1至7中任一项所述的成像器件，其特征在于，所述源极跟随器件的所述栅极是三栅极结构
。9.
根据权利要求1至8中任一项所述的成像器件，其特征在于，在所述衬底的平面图中，所述源极
、
所述沟道和所述漏极放置在由穿过所述栅极的线限定的区域内，所述线平行于所述源极跟随器件的所述栅极和所述浮动扩散的排布方向
。10.
根据权利要求1至9中任一项所述的成像器件，其特征在于，在所述衬底的平面图中，所述栅极在所述源极跟随器件的所述栅极和所述浮动扩散的所述排布方向上的宽度比最短有源区的宽度宽
。11.
根据权利要求2所述的成像器件，其特征在于，所述第一传输栅极和所述第二传输栅极中的每一个包括布线连接位置，在所述衬底的平面图中，所述布线连接位置在垂直于所述源极跟随器件的所述栅极和所述浮动扩散的排布方向的方向上放置在距所述浮动扩散的最远点处
。12.
根据权利要求1至
11
中任一项所述的成像器件，其特征在于，至少两个光电二极管共享一个浮动扩散
。13.
根据权利要求1至
12
中任一项所述的成像器件，其特征在于，至...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥诚司，龚丹，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：