硅片承载装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种硅片承载装置，所述硅片承载装置包括基体，活动连接于所述基体上部的上齿槽

【技术实现步骤摘要】
硅片承载装置


[0001]本技术涉及光伏制造
，尤其涉及一种硅片承载装置
。

技术介绍

[0002]单晶硅片在制绒的过程中，将若干单晶硅片装载在承载装置内
(
如：花篮
)
内，浸泡在碱溶液中，碱溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀
,
进而形成金字塔绒面，达到陷光的效果，提升光伏电池短路电流
(Isc)。
目前，单晶硅片的制绒分为两步，第一步在单晶硅片的表面形成金字塔，第二步在金字塔的塔面形成褶皱，进一步提升光线的反射和折射路径，进一步提升
Isc。
[0003]但是，在单晶硅片制绒的过程中，由于承载装置槽间隙较小，相邻的硅片在制绒化学反应过程中容易贴合，贴合的位置周围存在化学品残留，使得金字塔结构不完整，形成贴片印，影响电池片的外观及光电转化效率
。
[0004]有鉴于此，有必要设计一种新的硅片承载装置以解决上述问题
。

技术实现思路

[0005]本技术提供一种硅片承载装置来解决上述问题
。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供的技术方案如下：
[0007]本技术提供一种硅片承载装置，用于盛装硅片，所述硅片承载装置包括：
[0008]基体；
[0009]上压杆，活动连接于所述基体的上部，所述上压杆上设有沿横向间隔排布的若干上齿槽；
[0010]下压杆，固定连接于所述基体的底部，所述下压杆上设有沿横向间隔排布的若干下齿槽；
[0011]所述上齿槽和与该上齿槽对应的下齿槽至少部分错位设置
。
[0012]进一步地，所述上齿槽和与该上齿槽对应的下齿槽均错位设置
。
[0013]进一步地，所有所述上齿槽相对下齿槽的错位方向相同；或者，所述上齿槽相对下齿槽的错位方向以所述上压杆沿横向的中心呈对称设置
。
[0014]进一步地，所述上齿槽和与该上齿槽对应的下齿槽的错位距离与上齿槽的宽度之比范围为
0.75
ˉ
0.9。
[0015]进一步地，所述上齿槽和与该上齿槽对应的下齿槽的错位尺寸范围为
3mm
‑
4mm。
[0016]进一步地，所述上齿槽和下齿槽呈
V
型
。
[0017]进一步地，所述上压杆包括本体
、
设于本体上沿横向排布的若干上压齿，所述上齿槽形成在相邻的两个上压齿之间，所述下压杆上设有沿横向排布的若干下压齿，所述下齿槽形成在相邻的两个下压齿之间，所述上压齿和与该上压齿对应的所述下压齿至少部分错位设置
。
[0018]进一步地，所述基体包括一对连接于所述上压杆与下压杆两端的侧板，所述侧板
上端设有用于固定所述上压杆的固定槽，所述固定槽的上端开口，所述固定槽的开口处设有防止上压杆脱落的止挡部，所述上压杆还包括设于所述本体两端的锁紧部，所述上压齿排布在两个所述锁紧部之间，所述锁紧部与固定槽的内壁相抵接
。
[0019]进一步地，所述上压杆还包括位于锁紧部和上压齿之间的定位部，所述定位部自所述本体沿径向向外突伸形成，其中一个所述定位部朝向侧板的一侧设有定位块，所述定位块为斜面设置
。
[0020]进一步地，所述侧板的内侧设有对所述定位部进行限位的限位槽
。
[0021]与现有技术相比，本技术的有益效果在于：本技术的硅片承载装置通过上齿槽和与该上齿槽对应的下齿槽相互错位的设置，可以减小硅片上端沿横向的活动空间，使得硅片的上端被限位在较小的空间内，防止硅片的上端由于晃动造成的贴片现象，进而提升产品的质量
。
附图说明
[0022]图1为本技术一个实施例的硅片承载装置的立体结构示意图
。
[0023]图2为图1中上压杆和基体相对分开的立体结构示意图
。
[0024]图3为图2中上压杆另一个角度的立体结构示意图
。
[0025]图4为图1中硅片承载装置的左视图
。
[0026]图5为图4中
A
处局部结构放大图
。
[0027]图6为图1中硅片承载装置的上齿槽和下齿槽相互错位的示意图
。
[0028]图7为图1中装有硅片的硅片承载装置的立体结构示意图
。
[0029]图8为图7中硅片承载装置的主视图
。
[0030]图9为图8中
B
处局部结构放大图
。
[0031]其中，1‑
硅片承载装置，
10
‑
基体，
11
‑
侧板，
111
‑
固定槽，
112
‑
止挡部，
113
‑
限位槽，
12
‑
横杆，
13
‑
收容空间，
20
‑
下压杆，
21
‑
下齿槽，
22
‑
下压齿，
30
‑
上压杆，
31
‑
上齿槽，
32
‑
本体，
33
‑
上压齿，
34
‑
锁紧部，
341
‑
长端部，
342
‑
短端部，
35
‑
定位部，
36
‑
定位块，2‑
硅片
。
具体实施方式
[0032]为了使本领域的技术人员更好地理解本技术中的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围
。
[0033]需要说明的是，本技术中指示的方位或位置关系为基于辅图所示的方位或位置关系，仅是为了便于简化描述本技术，而不是指示或暗示所指的装置必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术保护范围的限制
。
[0034]在本技术的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构部分夸大，因此，仅用于图示本技术主题的基本结构
。
[0035]本技术提供一种硅片承载装置，所述硅片承载装置用于盛装硅片，为了便于描述，本技术中以硅片的排布方向为横向
。
[0036]如图1至图9所述，所述硅片承载装置1包括基体...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种硅片承载装置，其特征在于，所述硅片承载装置包括：基体；上压杆，活动连接于所述基体的上部，所述上压杆上设有沿横向间隔排布的若干上齿槽；下压杆，固定连接于所述基体的底部，所述下压杆上设有沿横向间隔排布的若干下齿槽；所述上齿槽和与该上齿槽对应的下齿槽至少部分错位设置
。2.
如权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述上齿槽和与该上齿槽对应的下齿槽均错位设置
。3.
如权利要求2所述的硅片承载装置，其特征在于，所有所述上齿槽相对下齿槽的错位方向相同；或者，所述上齿槽相对下齿槽的错位方向以所述上压杆沿横向的中心呈对称设置
。4.
如权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述上齿槽和与该上齿槽对应的下齿槽的错位距离与上齿槽的宽度之比范围为
0.75
ˉ
0.9。5.
如权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述上齿槽和与该上齿槽对应的下齿槽的错位尺寸范围为
3mm
ˉ
4mm。6.
如权利要求1至5任一项所述的硅片承载装置，其特征在于，所述上齿槽和下齿槽均呈
V

【专利技术属性】
技术研发人员：李醒，籍永兴，张海明，
申请(专利权)人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：