二极管制造技术

本技术涉及电子元件技术领域，具体公开了一种二极管，该二极管包括两个引出件、一个芯片和一个封装件，其中，引出件包括头连接部、尾连接部和中间连接部，尾连接部由至少部分第一柱体打扁而成，中间连接部包括第二柱体，头连接部和第二柱体的一端连接，第二柱体的另一端和第一柱体的一端连接，第一柱体的直径尺寸大于第二柱体的直径尺寸；芯片设于两个引出件的两个头连接部之间；封装件包裹于芯片以及两个头连接部外周。借助上述设置使得在折弯后打扁第一柱体时或者直接打扁第一柱体时，会降低传递至芯片的应力，从而改善芯片的受力情况，提高二极管的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元件，尤其涉及一种二极管。

技术介绍

1、二极管具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。现有的常规轴向二极管的打扁工艺，是在轴向二极管封装完后，进行打扁或者先折弯再打扁，这种工艺存在着明显的风险点，在打扁过程，引线越粗，产生的应力越大，越容易使芯片产生损伤，导致二极管成品率降低。

2、为此，亟需研究一种二极管，以改善打扁过程对芯片的影响，从而提高二极管的成品率。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种二极管，以改善打扁过程对芯片的影响，从而提高二极管的成品率。

2、为达上述目的，本技术采用以下技术方案：

3、本技术提供一种二极管，该二极管包括：

4、两个引出件，所述引出件包括头连接部、尾连接部和中间连接部；所述尾连接部由至少部分第一柱体打扁而成，所述中间连接部包括第二柱体，所述头连接部和所述第二柱体的一端连接，所述第二柱体的另一端和所述第一柱体的一端连接，所述第一柱体的直径尺寸大于所述第二柱体的直径尺寸；

5、芯片，所述芯片设于两个所述引出件的两个所述头连接部之间；

6、封装件，包裹于所述芯片以及两个所述头连接部外周。

7、在一些实施例中，所述第一柱体的外径为d1，所述第二柱体的外径为d2，且d1和d2的比值大于或等于2.5；和/或

8、所述第一柱体为圆柱结构；所述第二柱体为圆柱结构。

9、在一些实施例中，所述第一柱体的外径d1的范围为3mm-5mm，和/或

10、所述第二柱体的外径d2的范围为1mm-2mm。

11、在一些实施例中，所述第二柱体于所述封装件和所述第一柱体之间的尺寸为l0，且1mm≤l0≤2mm；和/或

12、所述第一柱体的长度尺寸为l1和所述第二柱体的长度尺寸为l2，且l1和l2的比值大于或等于2。

13、在一些实施例中，所述尾连接部设有外连接孔，汇流条穿接于所述外连接孔中。

14、在一些实施例中，所述外连接孔为长条状，且所述外连接孔的延伸方向垂直于所述第二柱体的轴线方向。

15、在一些实施例中，所述尾连接部包括相连接的第一尾部和第二尾部，所述第一尾部呈梯形，所述第一尾部的短边和所述第二柱体连接，所述第一尾部的长边和所述第二尾部连接，所述第二尾部呈长条形，所述第二尾部的延伸方向垂直于所述第二柱体的轴线方向。

16、在一些实施例中，所述第二尾部呈平板状，且所述第二尾部的厚度尺寸小于所述第二柱体的直径尺寸，所述第一尾部沿所述第二尾部的垂线的方向厚度逐渐从所述第二柱体的外径尺寸减小至所述第二尾部的厚度尺寸。

17、在一些实施例中，所述第二尾部的沿垂直于所述第二柱体的轴线方向的两端均为圆弧结构。

18、在一些实施例中，所述封装件的外周设有指向标识，用于标记所述芯片的正反面。

19、本技术的有益效果为：

20、本技术提供一种二极管，该二极管包括两个引出件、一个芯片和一个封装件，其中，引出件包括头连接部、尾连接部和中间连接部，尾连接部由至少部分第一柱体打扁而成，中间连接部包括第二柱体，头连接部和第二柱体的一端连接，第二柱体的另一端和第一柱体的一端连接，第一柱体的直径尺寸大于第二柱体的直径尺寸；芯片设于两个引出件的两个头连接部之间；封装件包裹于芯片以及两个头连接部外周。借助上述设置使得在折弯后打扁第一柱体时或者直接打扁第一柱体时，会降低传递至芯片的应力，从而改善芯片的受力情况，提高二极管的成品率。

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【技术保护点】

1.二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第一柱体(140)的外径为D1，所述第二柱体的外径为D2，且D1和D2的比值大于或等于2.5；和/或

3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述第一柱体(140)的外径D1的范围为3mm-5mm，和/或

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第二柱体于所述封装件(300)和所述第一柱体(140)之间的尺寸为L0，且1mm≤L0≤2mm；和/或

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述尾连接部(120)设有外连接孔(1221)，汇流条穿接于所述外连接孔(1221)中。

6.根据权利要求5所述的二极管，其特征在于，所述外连接孔(1221)为长条状，且所述外连接孔(1221)的延伸方向垂直于所述第二柱体的轴线方向。

7.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述尾连接部(120)包括相连接的第一尾部(121)和第二尾部(122)，所述第一尾部(121)呈梯形，所述第一尾部(121)的短边和所述第二柱体连接，所述第一尾部(121)的长边和所述第二尾部(122)连接，所述第二尾部(122)呈长条形，所述第二尾部(122)的延伸方向垂直于所述第二柱体的轴线方向。

8.根据权利要求7所述的二极管，其特征在于，所述第二尾部(122)呈平板状，且所述第二尾部(122)的厚度尺寸小于所述第二柱体的直径尺寸，所述第一尾部(121)沿所述第二尾部(122)的垂线的方向厚度逐渐从所述第二柱体的外径尺寸减小至所述第二尾部(122)的厚度尺寸。

9.根据权利要求7所述的二极管，其特征在于，所述第二尾部(122)的沿垂直于所述第二柱体的轴线方向的两端均为圆弧结构。

10.根据权利要求1-9任一项所述的二极管，其特征在于，所述封装件(300)的外周设有指向标识(310)，用于标记所述芯片(200)的正反面。

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【技术特征摘要】

1.二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第一柱体(140)的外径为d1，所述第二柱体的外径为d2，且d1和d2的比值大于或等于2.5；和/或

3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述第一柱体(140)的外径d1的范围为3mm-5mm，和/或

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第二柱体于所述封装件(300)和所述第一柱体(140)之间的尺寸为l0，且1mm≤l0≤2mm；和/或

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述尾连接部(120)设有外连接孔(1221)，汇流条穿接于所述外连接孔(1221)中。

6.根据权利要求5所述的二极管，其特征在于，所述外连接孔(1221)为长条状，且所述外连接孔(1221)的延伸方向垂直于所述第二柱体的轴线方向。

7.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述尾连接部(12...

【专利技术属性】
技术研发人员：奚斌，许浩良，彭丽霞，
申请(专利权)人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：