【技术实现步骤摘要】
自动设定STB的净化模式的方法以及制造半导体晶片的系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年6月14日向韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0072083号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开通过引用以其整体并入本文中。
[0003]本公开的示例性实施方式涉及自动设定轨道侧方缓冲器(STB)的净化模式的方法及可以执行该方法的用于制造半导体晶片的系统。
技术介绍
[0004]当将在一般半导体制造工艺中制造的晶片传递到用于后续工艺的设施时，晶片可以储存在晶片载体(前开式晶片传送盒(front opening unified pod，FOUP)；下文中称为FOUP)中，且在传递期间，晶片可以穿过储存空间和STB，并且可以传递到每个工艺设备。
[0005]在被运送到每个工艺设备时，晶片可能暴露于氧气或灰尘，并因此产生晶片可能被污染的环境，并且半导体生产的产率可能降低。为了防止这种情况，在现有技术中，当储存晶片的FOUP进入ST...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种自动设定轨道侧方缓冲器的净化模式的方法，由包括所述轨道侧方缓冲器和模式确定单元的用于制造半导体晶片的系统执行，所述轨道侧方缓冲器包括净化装置，所述净化装置用于供应惰性气体以排出前开式晶片传送盒的工艺气体，所述模式确定单元用于确定其中安置有所述前开式晶片传送盒的所述轨道侧方缓冲器的所述净化装置能够被驱动的净化模式，所述方法包括：识别与所述净化装置的配置对应的所述净化装置的规格；以及根据识别到的所述净化装置的所述规格从预定的净化模式中确定能够进行驱动的净化模式。2.根据权利要求1所述的方法，其中，识别所述净化装置的规格包括：测量当从连接到所述净化装置的供应线的压力传感器或流量传感器供应预定的气体时所生成的输出，并根据所测量的输出识别所述净化装置的供应单元的规格。3.根据权利要求1所述的方法，其中，识别所述净化装置的规格包括：测量当从连接到所述净化装置的排出线的压力传感器或流量传感器排出气体时所生成的输出，并根据所测量的输出识别所述净化装置的排出单元的规格。4.根据权利要求1所述的方法，其中，识别所述净化装置的规格包括：根据被确定为由所述净化装置供应的惰性气体的类型来识别包括所述净化装置的所述轨道侧方缓冲器的类型。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：在识别所述净化装置的规格之前，通过设置在所述轨道侧方缓冲器的壳体的内侧下部分中的安置传感器来确定在所述轨道侧方缓冲器上是否安置有所述前开式晶片传送盒。6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述输出是由至少一个压力传感器或流量传感器测量的测量值随时间的变化，或者包括由多个压力传感器或流量传感器同时测量的测量值的差。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述压力传感器是安装在所述供应线或所述排出线中的相对于气体流动的方向的前端和后端上的差压传感器。8.根据权利要求2所述的方法，其中，识别所述净化装置的供应单元的规格包括：确定设置在所述净化装置中的供应线的数量以及连接到所述供应线的供应阀的存在与否或类型。9.根据权利要求3所述的方法，其中，识别所述净化装置的排出单元的规格包括：确定设置在所述净化装置中的排出线的数量以及连接到所述排出线的排出阀的存在与否或类型。10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述供应阀是用于定期地供应惰性气体的电磁阀或用于通过根据时间动态地控制所述惰性气体来供应惰性气体的可变阀。11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述排出线是不具有排出阀或包括用于定期地排出惰性气体的电磁阀的管道。12.根据权利要求1所述的方法，其中，识别所述净化装置的规格包括：向nRF读取器通信模块请求由所述净化装置使用的nRF读取器的类型，并基于响应于所述请求而接收到的信息来识别与所述nRF读取器的所述类型对应的所述净化装置的供应单元的规格。13.根据权利要求12所述的方法，还包括：
在设定屏幕上显示所确定的所述能够进行驱动的净化模式，其中，当在所确定的所述能够进行驱动的净化模式中选择净化模式需要设定参数时，在所述...
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