显示装置制造方法及图纸

提供一种新颖的显示装置

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置
。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述

。
作为本说明书等公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置
、
显示装置
、
发光装置
、
蓄电装置
、
存储装置
、
电子设备
、
照明装置
、
输入装置
、
输入输出装置
、
它们的驱动方法或它们的制造方法
。

技术介绍

[0003]近年来，智能手机及平板终端等具备显示装置的电子设备广泛普及
。
作为显示装置，典型地可以举出液晶显示装置
、
具备有机
EL(Electro Luminescence)
元件
、
发光二极管
(LED
：
Light Emitting Diode)
等发光元件的发光装置
、
以电泳方式等进行显示的电子等
。
[0004]例如，有机
EL
元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光性有机化合物的层的结构
。
通过对该元件施加电压，可以得到来自发光性有机化合物的发光
。
由于应用上述有机
EL
元件的显示装置不需要液晶显示装置等所需要的背光源，所以可以实现薄型
、r/>轻量
、
高对比度且低功耗的显示装置
。
例如，专利文献1公开了使用有机
EL
元件的显示装置的例子
。
[0005]另外，在专利文献2中公开了如下电路结构，即在控制有机
EL
元件的发光亮度的像素电路中，按每个像素校正晶体管的阈值不均匀，而提高显示装置的显示品质
。[
先行技术文献
][
专利文献
][0006][
专利文献
1]日本专利申请公开第
2002
‑
324673
号公报
[
专利文献
2]日本专利申请公开第
2015
‑
132816
号公报

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0007]另一方面，根据有机
EL
元件的结构，驱动有时需要高电压
。
为了驱动这种有机
EL
元件，需要设置用来生成高电压的电源
。
[0008]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种实现小型化的显示装置
。
另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种实现高颜色再现性的显示装置
。
另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高清晰的显示装置
。
另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置
。
另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗得到降低的显示装置
。
另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置
。
[0009]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在
。
注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的
。
另外，可以从说明书
、
附图
、
权利要求书等的记载抽出上述以外的目的
。
解决技术问题的手段
[0010](1)
本专利技术的一个方式是一种包括第一及第二晶体管
、
第一至第五开关
、
第一至第三电容器以及显示元件的半导体装置，其中，第一晶体管包括背栅极，第一晶体管的栅极与第一开关电连接，在第一晶体管的栅极与源极之间包括第二开关及第一电容器，第一晶体
管的背栅极与第三开关电连接，在第一晶体管的背栅极与源极之间包括第二电容器，第一晶体管的源极与第四开关及第二晶体管的漏极电连接，第二晶体管的栅极与第五开关电连接，在第二晶体管的栅极与源极之间包括第三电容器，并且，第二晶体管的源极与显示元件的一个端子电连接
。
[0011]此外，在
(1)
中，第一开关也可以具有选择第一布线与第一晶体管的栅极间的导通或非导通的功能
。
此外，第二开关也可以具有选择第一晶体管的栅极与源极间的导通或非导通的功能
。
此外，第三开关也可以具有选择第二布线与第一晶体管的背栅极间的导通或非导通的功能
。
第四开关也可以具有选择第三布线与第一晶体管的源极间的导通或非导通的功能
。
第五开关也可以具有选择第四布线与第二晶体管的栅极间的导通或非导通的功能
。
[0012]另外，在
(1)
中，作为第一至第五开关可以使用晶体管
。
第四开关及第五开关也可以为
p
沟道型晶体管
。
此外，第四开关及第五开关也可以为在形成沟道的半导体层中包含硅的晶体管
。
[0013](2)
本专利技术的另一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括第一及第二晶体管
、
第一至第五开关
、
第一至第三电容器
、
第一显示元件以及第二显示元件，其中，第一晶体管包括背栅极，第一晶体管的栅极与第一开关电连接，在第一晶体管的栅极与源极之间包括第二开关及第一电容器，第一晶体管的背栅极与第三开关电连接，在第一晶体管的背栅极与源极之间包括第二电容器，第一晶体管的源极与第四开关及第二晶体管的漏极电连接，第二晶体管的栅极与第五开关电连接，在第二晶体管的栅极与源极之间包括第三电容器，并且，第二晶体管的源极与第一显示元件的一个端子及第二显示元件的一个端子电连接
。
[0014]此外，在
(2)
中，第一开关也可以具有选择第一布线与第一晶体管的栅极间的导通或非导通的功能
。
第二开关也可以具有选择第一晶体管的栅极与源极间的导通或非导通的功能
。
第三开关也可以具有选择第二布线与第一晶体管的背栅极间的导通或非导通的功能
。
第四开关也可以具有选择第三布线与第一晶体管的源极间的导通或非导通的功能
。
第五开关也可以具有选择第四布线与第二晶体管的栅极间的导通或非导通的功能
。
[0015]此外，在
(2)
中，第一电容器也可以具有保持第一晶体管的栅极与源极间的电位差的功能
。
第二电容器也可以具有保持第一晶体管的背栅极与源极间的电位差的功能
。
第三电容器也可以具有保持第二晶体管的栅极与源极间的电位差的功能
。
[0016]此外，在
(2)...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体装置，包括：第一及第二晶体管；第一至第五开关；第一至第三电容器；以及显示元件，其中，所述第一晶体管包括背栅极，所述第一晶体管的栅极与所述第一开关电连接，在所述第一晶体管的栅极与源极之间包括所述第二开关及所述第一电容器，所述第一晶体管的背栅极与所述第三开关电连接，在所述第一晶体管的背栅极与源极之间包括所述第二电容器，所述第一晶体管的源极与所述第四开关及所述第二晶体管的漏极电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第五开关电连接，在所述第二晶体管的栅极与源极之间包括所述第三电容器，并且，所述第二晶体管的源极与所述显示元件的一个端子电连接
。2.
根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一开关具有选择第一布线与第一晶体管的栅极间的导通或非导通的功能，所述第二开关具有选择第一晶体管的栅极与源极间的导通或非导通的功能，所述第三开关具有选择第二布线与第一晶体管的背栅极间的导通或非导通的功能，所述第四开关具有选择第三布线与第一晶体管的源极间的导通或非导通的功能，并且所述第五开关具有选择第四布线与第二晶体管的栅极间的导通或非导通的功能
。3.
根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一至第五开关为晶体管
。4.
根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述第四开关及所述第五开关为
p
沟道型晶体管
。5.
根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中所述第四开关及所述第五开关为在形成沟道的半导体层中包含硅的晶体管
。6.
根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管在形成沟道的半导体层中包含氧化物半导体
。7.
根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体包含铟和锌中的至少一个
。8.
根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中所述显示元件为具有串联结构的有机
EL
元件
。9.
一种半导体装置，包括：第一及第二晶体管；第一至第五开关；第一至第三电容器；第一显示元件；以及第二显示元件，其中，所述第一晶体管包括背栅极，
所述第一晶体管的栅极与所述第一开关电连接，在所述第一晶体管的栅极与源极之间包括所述第二开关及所述第一电容器，所述第一晶体管的背栅极与所述第三开关电连接，在所述第一晶体管的背栅极与源极之间包括所述第二电容器，所述第一晶体管的源极与所述第四开关及所述第二晶体管的漏极电连接，所述第二晶体管的栅极与所述第五开关电连接，在所述第二晶体管的栅极与源极之间包括所述第三电容器，并且，所述第二晶体管的源极与所述第一显示元件的一个端子及所述第二显示元件的一个端子电连接
。10.
根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第一开关具有选择第一布线与第一晶体管的栅极间的导通或非导通的功能，所述第二开关具有选择第一晶体管的栅极与源极间的导通或非导通的功能，所述第三开关具有选择第二布线与第一晶体管的背栅极间的导通或非导通的功能，所述第四开关具有选择第三布线与第一晶体管的源极间的导通或非导通的功能，并且所述第五开关具有选择第四布线与第二晶体管的栅极间的导通或非导通的功能
。11.
根据权利要求9或
10
所述的半导体装置，其中所述第一电容器具有保持第一晶体管的栅极与源极间的电位差的功能，所述第二电容器具有保持第一晶体管的背栅极与源极间的电位差的功能，并且所述第三电容器具有保持第二晶体管的栅极与源极间的电位差的功能
。12.
根据权利要求9至
11
中任一项所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的漏极与第五布线电连接
。13.
根据权利要求9至
12
中任一项所述的半导体装置，其中所述第一显示元件的另一个端子与第六布线电连接，并且所述第二显示元件的另一个端子与第七布线电连接
。14.
根据权利要求9至
13
中任一项所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的形成沟道的半导体包含氧化物半导体
。15.
根据权利要求
14
所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体包含铟和锌中的至少一个
。16.
根据权利要求9至
15
中任一项所述的半导体装置，其中所述第二晶体管的形成沟道的半导体包含氧化物半导体
。17.
根据权利要求
16
所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体包含铟和锌中的至少一个
。18.
根据权利要求9至
17
中任一项所述的半导体装置，其中所述显示元件为具有串联结构的有机
EL
元件
。19.
一种显示装置，其中，权利要求9至
18
中任一项所述的半导体装置配置为矩阵状，所述第一显示元件配置在奇数行，所述第二显示元件配置在偶数行，并且，所述显示装置具有：
在奇数帧期间使所述第一显示元件发光的功能；以及在偶数帧期间使所述第二显示元件发光的功能
。20.
一种半导体装置，包括：第一至第八晶体管；第一至第三电容器；以及显示元件，其中，所述第一晶体管的栅极及所述第六晶体管的栅极与第一布线电连接，所述第三晶体管的栅极及所述第四晶体管的栅极与第二布线电连接，所述第七晶体管的栅极与第三布线电连接，所述第八晶体管的栅极与第四布线电连接，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与第五布线电连接，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极
、
所述第三晶体管的源极和漏极中的一个及所述第一电容器的一个端子电连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与第六布线电连接，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个与第七布线电连接，所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二电容器的一个端子电连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个
、
所述第一电容器的另一个端子
、
所述第二电容器的另一个端子
、
所述第五晶体管的源极和漏极中的一个及所述第六晶体管的源极和漏极中的一个电连接，所述第七晶体管的源极和漏极中的一个与所述第七布线电连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本佑树，川岛进，大贯达也，小林英智，上妻宗广，松崎隆徳，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：