本申请公开了像素、包括像素的显示装置和制造显示装置的方法。像素包括：电容器，连接到第一电压线；发光元件，连接到第二电压线；第一晶体管，包括连接到电容器的第一栅电极；第二晶体管，连接到数据线并且包括连接到第一扫描线的第二栅电极；第三晶体管，包括连接到第二扫描线的第三栅电极；以及第四晶体管，包括连接到第三扫描线的第四栅电极，其中，第三晶体管和第四晶体管中的至少一个晶体管包括彼此间隔开的多个有源区，公共导电区在多个有源区之间，并且其中，在平面图中，第三栅电极和第四栅电极当中的、所述至少一个晶体管的至少一个栅电极与多个有源区和公共导电区中的每一个重叠。重叠。重叠。
【技术实现步骤摘要】
像素、包括像素的显示装置和制造显示装置的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年6月9日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2022
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0070223号的优先权和权益，在此通过引用并入其全部内容。
[0003]本公开涉及像素、包括像素的显示装置和制造显示装置的方法。
技术介绍
[0004]诸如电视、移动电话、平板电脑、导航设备和游戏机的显示装置可以包括通过显示屏向用户提供图像的多个像素。像素中的每一个可以包括生成光的发光元件和控制流到发光元件的电流的电路单元。然而，当在像素的电路单元中出现泄漏电流时，流到发光元件的电流的量可能被改变，并且因此显示装置的显示质量可能劣化。
技术实现思路
[0005]实施例的方面涉及防止显示质量的劣化的像素和包括像素的显示装置。
[0006]另外的方面将部分地在下面的描述中阐述并且部分地将根据该描述而显而易见，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。
[0007]根据本公开的实施例，像素包括：电容器，连接到第一电压线；发光元件，连接到第二电压线；第一晶体管，包括连接到电容器的第一栅电极；第二晶体管，连接到数据线并且包括连接到第一扫描线的第二栅电极；第三晶体管，包括连接到第二扫描线的第三栅电极；以及第四晶体管，包括连接到第三扫描线的第四栅电极，其中，第三晶体管和第四晶体管中的至少一个晶体管包括彼此间隔开的多个有源区，公共导电区在多个有源区之间，并且其中，在平面图中，第三栅电极和第四栅电极当中的、所述至少一个晶体管的至少一个栅电极与多个有源区和公共导电区中的每一个重叠。
[0008]在实施例中，第一晶体管可以进一步包括连接到第一电压线的第一电极和连接到发光元件的第二电极，并且第二晶体管可以进一步包括连接到数据线的第一电极和连接到第一晶体管的第一电极的第二电极。
[0009]在实施例中，第三晶体管可以进一步包括：第一公共导电区；多个第一有源区，彼此间隔开，第一公共导电区在多个第一有源区之间；第一电极，连接到第一栅电极；以及第二电极，连接到第一晶体管的第二电极，其中，第三晶体管的第一电极和第二电极可以彼此间隔开，多个第一有源区在第三晶体管的第一电极和第二电极之间。
[0010]在实施例中，在平面图中，第三栅电极可以与多个第一有源区和第一公共导电区重叠。
[0011]在实施例中，第三晶体管和第四晶体管可以是P型晶体管。
[0012]在实施例中，第一扫描线和第二扫描线可以被一体地形成并且传输相同的第一扫描信号。
[0013]在实施例中，第一扫描线和第二扫描线可以被配置为分别传输彼此区别的第一扫描信号和第二扫描信号(即，第二扫描信号区别于第一扫描信号)。
[0014]在实施例中，第四晶体管可以进一步包括：第二公共导电区；多个第二有源区，彼此间隔开，第二公共导电区在多个第二有源区之间；第一电极，连接到第一栅电极；以及第二电极，连接到用于传输初始化电压的第三电压线，其中，第四晶体管的第一电极和第二电极可以彼此间隔开，多个第二有源区在第四晶体管的第一电极和第二电极之间。
[0015]在实施例中，在平面图中，第四栅电极可以与多个第二有源区和第二公共导电区重叠。
[0016]在实施例中，像素可以进一步包括：第五晶体管，包括连接到发射控制线的第五栅电极并且电连接在第一电压线与第一晶体管之间；以及第六晶体管，包括连接到发射控制线的第六栅电极并且电连接在第一晶体管与发光元件之间。
[0017]在实施例中，像素可以进一步包括第七晶体管，第七晶体管包括连接到第三扫描线的第七栅电极并且电连接在传输初始化电压的第三电压线与第六晶体管之间。
[0018]在实施例中，像素可以进一步包括：第七晶体管，包括连接到第四扫描线的第七栅电极并且电连接在传输初始化电压的第三电压线与第六晶体管之间；以及第八晶体管，包括连接到第四扫描线的第八栅电极并且电连接在传输偏置电压的第四电压线与第二晶体管之间。
[0019]在本公开的实施例中，显示装置包括多个像素，其中，多个像素中的每一个包括：电容器，电连接到第一电压线；发光元件，电连接到第二电压线；驱动晶体管，包括连接到电容器的栅电极并且电连接在第一电压线与发光元件之间；开关晶体管，电连接在数据线与驱动晶体管之间；补偿晶体管，电连接在驱动晶体管的栅电极与驱动晶体管的半导体图案之间；以及初始化晶体管，电连接在补偿晶体管与第三电压线之间，并且其中，补偿晶体管和初始化晶体管中的至少一个包括：多个有源区，彼此间隔开，公共导电区在多个有源区之间；以及栅电极，在平面图中与公共导电区和多个有源区重叠。
[0020]在实施例中，多个有源区中的每一个可以包括多晶硅。
[0021]在实施例中，补偿晶体管可以包括半导体图案和设置在补偿晶体管的半导体图案上的栅电极，其中，补偿晶体管的半导体图案可以包括：第一公共导电区；多个第一有源区，彼此间隔开，第一公共导电区在多个第一有源区之间；以及源区和漏区，彼此间隔开，多个第一有源区在源区和漏区之间。补偿晶体管的第一公共导电区、源区和漏区中的每一个可以被掺杂有掺杂剂，并且在平面图中，补偿晶体管的栅电极可以与多个第一有源区和第一公共导电区重叠。
[0022]在实施例中，在平面图中，补偿晶体管的栅电极可以不与源区和漏区重叠。
[0023]在实施例中，第一公共导电区、源区和漏区的掺杂浓度可以彼此相等。
[0024]在实施例中，第一公共导电区、源区和漏区的掺杂浓度可以彼此不同。
[0025]在实施例中，第一公共导电区的掺杂浓度可以小于源区和漏区中的每一个的掺杂浓度。
[0026]在本公开的实施例中，提供制造显示装置的方法。该方法包括：在基底基板上形成初步半导体图案；在初步半导体图案上形成光致抗蚀剂层；通过在光致抗蚀剂层上提供包括透射区和半透射区的掩模，来从光致抗蚀剂层形成与半透射区重叠的光致抗蚀剂图案；
通过掺杂初步半导体图案来形成第一半导体图案和第二半导体图案；以及分别在第一半导体图案和第二半导体图案上形成第一栅电极和第二栅电极，其中，第一半导体图案包括与光致抗蚀剂图案相对应并且与第一栅电极重叠的多个第一有源区，并且其中，第二半导体图案包括与光致抗蚀剂图案相对应并且与第二栅电极重叠的第二有源区。
附图说明
[0027]附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图图示本公开的实施例，并且与描述一起用于说明本公开的原理。在附图中：
[0028]图1是根据本公开的实施例的显示装置的框图；
[0029]图2A和图2B是根据本公开的实施例的像素的等效电路图；
[0030]图3是根据本公开的实施例的显示装置的截面图；
[0031]图4A至图4D是根据本公开的实施例的分级图示像素的平面结构的平面图；
[0032]图5A至图5F是图示根据本公开的实施例的制造本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种像素，包括：电容器，连接到第一电压线；发光元件，连接到第二电压线；第一晶体管，包括连接到所述电容器的第一栅电极；第二晶体管，连接到数据线并且包括连接到第一扫描线的第二栅电极；第三晶体管，包括连接到第二扫描线的第三栅电极；以及第四晶体管，包括连接到第三扫描线的第四栅电极，其中，所述第三晶体管和所述第四晶体管中的至少一个晶体管包括彼此间隔开的多个有源区，公共导电区在所述多个有源区之间，并且其中，在平面图中，所述第三栅电极和所述第四栅电极当中的、所述至少一个晶体管的至少一个栅电极与所述多个有源区和所述公共导电区中的每一个重叠。2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管进一步包括连接到所述第一电压线的第一电极和连接到所述发光元件的第二电极，并且其中，所述第二晶体管进一步包括连接到所述数据线的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述第一电极的第二电极。3.根据权利要求2所述的像素，其中，所述第三晶体管进一步包括：第一公共导电区；多个第一有源区，彼此间隔开，所述第一公共导电区在所述多个第一有源区之间；第一电极，连接到所述第一栅电极；以及第二电极，连接到所述第一晶体管的所述第二电极，其中，所述第三晶体管的所述第一电极和所述第二电极彼此间隔开，所述多个第一有源区在所述第三晶体管的所述第一电极和所述第二电极之间。4.根据权利要求3所述的像素，其中，在所述平面图中，所述第三栅电极与所述多个第一有源区和所述第一公共导电区重叠。5.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第三晶体管和所述第四晶体管是P型晶体管。6.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线被一体地提供并且被配置为传输相同的第一扫描信号。7.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线被配置为分别传输彼此区别的第一扫描信号和第二扫描信号。8.根据权利要求1至7中任一项所述的像素，其中，所述第四晶体管进一步包括：第二公共导电区；多个第二有源区，彼此间隔开，所述第二公共导电区在所述多个第二有源区之间；第一电极，连接到所述第一栅电极；以及第二电极，连接到用于传输初始化电压的第三电压线，其中，所述第四晶体管的所述第一电极和所述第二电极彼此间隔开，所述多个第二有源区在所述第四晶体管的所述第一电极和所述第二电极之间。9.根据权利要求8所述的像素，其中，在所述平面图中，所述第四栅电极与所述多个第二有源区和所述第二公共导电区重叠。10.根据权利要求1所述的像素，进一步包括：
第五晶体管，包括连接到发射控制线的第五栅电极，并且电连接在所述第一电压线与所述第一晶体管之间；以及第六晶体管，包括连接到所述发射控制线的第六栅电极，并且电连接在所述第一晶体管与所述发光元件之间。11.根据权利要求10所述的像素，进一步包括：第七晶体管，包括连接到所述第三扫描线的第七栅电极，并且电连接在传输初始化电压的第三电压线与所述第六晶体管之间。12....
【专利技术属性】
技术研发人员：金根佑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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