显示组件及其制作方法技术

本申请公开了一种显示组件及其制作方法，该显示组件包括实像素区

【技术实现步骤摘要】
显示组件及其制作方法


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种显示组件及其制作方法
。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED(Micro Light Emitting Diode
，微发光二极管
)
因具有出色的亮度
、
高发光效率
、
低能耗
、
高反应速度
、
高对比度
、
以及超高解析度与色彩饱和度等优点，在显示领域得到广泛重视
。
随着显示行业的发展，人们对显示的分辨率要求越来越高，所以提高分辨率是显示的发展趋势
。
[0003]目前，在高分辨显示器中，为了提高显示分辨率，需要增加相应像素密度单位
(Pixels Per Inch
，
PPI)
与
Micro
‑
LED
数目，而在显示器整体尺寸有限的情况下，不得不通过缩小
Micro
‑
LED
的尺寸来实现，这无疑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示组件，其特征在于，包括实像素区
、
虚像素区
、
发光器件和调制层，所述实像素区
、
所述虚像素区和所述调制层位于所述发光器件的同一侧，且所述调制层不加电场时，所述发光器件的光经所述调制层直接射出以点亮所述实像素区，所述调制层加电场时，所述发光器件的光经所述调制层调制偏转后射出以点亮所述虚像素区，其中，所述虚像素区在所述实像素区所在平面上的投影与所述实像素区至少不完全重合
。2.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述显示组件具有多个呈纵横排布的所述实像素区，所述虚像素区形成于呈斜向排布的所述实像素区所在的直线上且相对所述直线上排布的所述实像素区间隔设置
。3.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述虚像素区环绕所述实像素区设置
。4.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述实像素区与所述虚像素区位于同一平面上
。5.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述实像素区与所述虚像素区同位于调制层上，且光线经过所述调制层射出时所占用的所述调制层的面积区域即为所述实像素区或所述虚像素区
。6.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述调制层包括通电时可导致折射率发生变化的调制子层
、
以及分别位于所述调制子层上表面的上电极层和所述调制子层下表面的下电极层
。7.
根据权利要求6所述的显示组件，其特征在于，所述调制子层为一整面结构
。8.
根据权利要求6所述的显示组件，其特征在于，所述调制层还包括和所述调制子层同层设置的边界层，所述调制子层被所述边界层分割成多个部分
。9.
根据权利要求6所述的显示组件，其特征在于，所述上电极层和所述下电极层均为一整面结构
。10.
根据权利要求6所述的显示组件，其特征在于，所述上电极层和所述下电极层中的至少一个为分割分块状
。11.
根据权利要求6所述的显示组件，其特征在于，所述调制子层为多个，多个所述调制子层层叠设置，且相邻的两个所述调制子层之间为所述上电极层或所述下电极层
。12.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述调制层由液晶
、
以及上电极层和下电极层构成
。13.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述调制层由双折射光子晶体
、
以及上电极层和下电极层构成
。14.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述调制层由全放射光子晶体
、
以及上电极层和下电极层构成
。15.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈书林，张亮，张汝楠，鲁海芳，刘敏，袁泽，
申请(专利权)人：甬江实验室，
类型：发明
国别省市：