显示组件及其制作方法技术

本申请公开了一种显示组件及其制作方法，该显示组件包括实像素区

【技术实现步骤摘要】
显示组件及其制作方法


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种显示组件及其制作方法
。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED(Micro Light Emitting Diode
，微发光二极管
)
因具有出色的亮度
、
高发光效率
、
低能耗
、
高反应速度
、
高对比度
、
以及超高解析度与色彩饱和度等优点，在显示领域得到广泛重视
。
随着显示行业的发展，人们对显示的分辨率要求越来越高，所以提高分辨率是显示的发展趋势
。
[0003]目前，在高分辨显示器中，为了提高显示分辨率，需要增加相应像素密度单位
(Pixels Per Inch
，
PPI)
与
Micro
‑
LED
数目，而在显示器整体尺寸有限的情况下，不得不通过缩小
Micro
‑
LED
的尺寸来实现，这无疑增加了工艺制作难度
。

技术实现思路

[0004]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一
。
为此，本申请提出一种显示组件及其制作方法，无需改变发光器件的本身尺寸即可提高显示分辨率
。
[0005]第一方面，本申请提供了一种显示组件，包括实像素区
、
虚像素区
、
发光器件和调制层，所述实像素区
、
所述虚像素区和所述调制层位于所述发光器件的同一侧，且所述调制层不加电场时，所述发光器件的光经所述调制层直接射出以点亮所述实像素区，所述调制层加电场时，所述发光器件的光经所述调制层调制偏转后射出以点亮所述虚像素区，其中，所述虚像素区在所述实像素区所在平面上的投影与实像素区至少不完全重合
。
[0006]在一些实施例中，所述显示组件具有多个呈纵横排布的所述实像素区，所述虚像素区形成于呈斜向排布的所述实像素区所在的直线上且相对所述直线上排布的所述实像素区间隔设置
。
[0007]在一些实施例中，所述虚像素区环绕所述实像素区设置
。
[0008]在一些实施例中，所述实像素区与所述虚像素区位于同一平面上
。
[0009]在一些实施例中，所述实像素区与所述虚像素区同位于调制层上，且光线经过所述调制层射出时所占用的所述调制层的面积区域即为所述实像素区或所述虚像素区
。
[0010]在一些实施例中，所述调制层包括通电时可导致折射率发生变化的调制子层
、
以及分别位于所述调制子层上表面的上电极层和所述调制子层下表面的下电极层
。
[0011]在一些实施例中，所述调制子层为一整面结构
。
[0012]在一些实施例中，所述调制层还包括和所述调制子层同层设置的边界层，所述调制子层被所述边界层分割成多个部分
。
[0013]在一些实施例中，所述上电极层和所述下电极层均为一整面结构
。
[0014]在一些实施例中，所述上电极层和所述下电极层中的至少一个为分割分块状
。
[0015]在一些实施例中，所述调制子层为多个，多个所述调制子层层叠设置，且相邻的两个所述调制子层之间为所述上电极层或所述下电极层
。
[0016]在一些实施例中，所述调制层由液晶
、
以及上电极层和下电极层构成
。
[0017]在一些实施例中，所述调制层由双折射光子晶体
、
以及上电极层和下电极层构成
。
[0018]在一些实施例中，所述调制层由全放射光子晶体
、
以及上电极层和下电极层构成
。
[0019]在一些实施例中，一个所述发光器件仅对应一个所述实像素区
。
[0020]在一些实施例中，一个所述发光器件对应一个所述实像素区和至少一个所述虚像素区的部分
。
[0021]在一些实施例中，所述发光器件与所述调制层之间设有偏光层
。
[0022]在一些实施例中，所述虚像素区和所述实像素区上设有棱镜
。
[0023]第二方面，本申请还提供了一种显示组件的制作方法，所述显示组件包括实像素区和虚像素区，所述方法包括：
[0024]提供发光器件；
[0025]在所述发光器件的一侧形成调制层；
[0026]其中，所述调制层不加电场时，所述发光器件的光经所述调制层直接射出以点亮所述实像素区，所述调制层加电场时，所述发光器件的光经所述调制层调制偏转后射出以点亮所述虚像素区，且所述虚像素区在所述实像素区所在平面上的投影与实像素区至少不完全重合
。
[0027]在一些实施例中，所述在所述发光器件的一侧形成调制层，包括：
[0028]在所述发光器件的一侧形成下电极层；
[0029]在所述下电极层背离所述发光器件的一侧形成调制子层，所述调制子层通电时可导致折射率发生变化；
[0030]在所述调制子层背离所述下电极层的一侧形成上电极层
。
[0031]在一些实施例中，在形成所述调制子层之前，还包括：在所述下电极层背离所述发光器件的一侧形成边界层，所述边界层包括多个凹槽；
[0032]所述在所述下电极层背离所述发光器件的一侧形成调制子层，包括：在所述凹槽中形成所述调制子层，以使所述调制子层被所述边界层分割成多个部分
。
[0033]在一些实施例中，所述调制子层的材料包括液晶
、
双折射光子晶体或全放射光子晶体
。
[0034]在一些实施例中，所述显示组件具有多个呈纵横排布的所述实像素区，所述虚像素区形成于呈斜向排布的所述实像素区所在的直线上且相对所述直线上排布的所述实像素区间隔设置
。
[0035]在一些实施例中，所述虚像素区环绕所述实像素区设置
。
[0036]在一些实施例中，所述实像素区与所述虚像素区位于同一平面上
。
[0037]在一些实施例中，所述实像素区与所述虚像素区同位于调制层上，且光线经过所述调制层射出时所占用的所述调制层的面积区域即为所述实像素区或所述虚像素区
。
[0038]本申请提供的显示组件及其制作方法，通过设置调制层，且使调制层不加电场时，发光器件的光经调制层直接射出以点亮实像素区，调制层加电场时，发光器件的光经调制层调制偏转后射出以点亮虚像素区，也即发光器件能在不同时刻点亮不同区域，使实像素区和虚像素区均能成为发光的像素区，从而能在发光器件数量和本身尺寸不变的情况下，有效增大像素区的面积，增大像素密度单位，提高显示分辨率
。
是图1中沿
A
‑
A
线的剖视结构示意图
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示组件，其特征在于，包括实像素区
、
虚像素区
、
发光器件和调制层，所述实像素区
、
所述虚像素区和所述调制层位于所述发光器件的同一侧，且所述调制层不加电场时，所述发光器件的光经所述调制层直接射出以点亮所述实像素区，所述调制层加电场时，所述发光器件的光经所述调制层调制偏转后射出以点亮所述虚像素区，其中，所述虚像素区在所述实像素区所在平面上的投影与所述实像素区至少不完全重合
。2.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述显示组件具有多个呈纵横排布的所述实像素区，所述虚像素区形成于呈斜向排布的所述实像素区所在的直线上且相对所述直线上排布的所述实像素区间隔设置
。3.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述虚像素区环绕所述实像素区设置
。4.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述实像素区与所述虚像素区位于同一平面上
。5.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述实像素区与所述虚像素区同位于调制层上，且光线经过所述调制层射出时所占用的所述调制层的面积区域即为所述实像素区或所述虚像素区
。6.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述调制层包括通电时可导致折射率发生变化的调制子层
、
以及分别位于所述调制子层上表面的上电极层和所述调制子层下表面的下电极层
。7.
根据权利要求6所述的显示组件，其特征在于，所述调制子层为一整面结构
。8.
根据权利要求6所述的显示组件，其特征在于，所述调制层还包括和所述调制子层同层设置的边界层，所述调制子层被所述边界层分割成多个部分
。9.
根据权利要求6所述的显示组件，其特征在于，所述上电极层和所述下电极层均为一整面结构
。10.
根据权利要求6所述的显示组件，其特征在于，所述上电极层和所述下电极层中的至少一个为分割分块状
。11.
根据权利要求6所述的显示组件，其特征在于，所述调制子层为多个，多个所述调制子层层叠设置，且相邻的两个所述调制子层之间为所述上电极层或所述下电极层
。12.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述调制层由液晶
、
以及上电极层和下电极层构成
。13.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述调制层由双折射光子晶体
、
以及上电极层和下电极层构成
。14.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，所述调制层由全放射光子晶体
、
以及上电极层和下电极层构成
。15.
根据权利要求1所述的显示组件，其特征在于，一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈书林，张亮，张汝楠，鲁海芳，刘敏，袁泽，
申请(专利权)人：甬江实验室，
类型：发明
国别省市：