半导体封装以及制造半导体封装的方法技术

技术编号:39753032 阅读:11 留言:0更新日期:2023-12-17 23:51
本发明专利技术公开一种半导体封装以及制造半导体封装的方法,其中该半导体封装包含一印刷电路板、一半导体装置、一第一信号打线以及一第一接地打线。该印刷电路板包含一第一印刷电路板接地垫以及一第一印刷电路板信号走线。该半导体装置包含一第一装置接地垫以及一第一装置信号垫。该第一信号打线耦接于该第一装置信号垫与该第一印刷电路板信号走线之间。该第一接地打线耦接于该第一装置接地垫与该第一印刷电路板接地垫之间,其中该第一接地打线跨越该第一信号打线。该第一信号打线。该第一信号打线。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装以及制造半导体封装的方法


[0001]本专利技术涉及串音干扰抑制(crosstalk reduction)技术,尤其是涉及一种具有接地打线(ground bonding wire)跨越信号打线(signal bonding wire)以提供串音干扰抑制的半导体封装(semiconductor package)与相关方法。

技术介绍

[0002]垂直发射(vertical

emitting)光学装置,像是垂直共振腔面射型激光(vertical

cavity surface

emitting laser,VCSEL),是一种激光光束沿着垂直于基底表面的方向发射的激光。垂直共振腔面射型激光阵列(VCSEL array)可于单一芯片中提供多个发射源,以发射单一光束或者多个独立光束。关于垂直共振腔面射型激光阵列的封装,一般会使用打线接合(wire bonding)制作工艺来将每一个垂直共振腔面射型激光的阳极垫(anode pad)与阴极垫(cathode pad)分别连接至印刷电路板(printed circuit board,PCB)上的信号走线(signal trace)以及接地垫(ground pad)。当无驱动电路的(driverless)光学模块采用垂直共振腔面射型激光阵列来实现时,垂直共振腔面射型激光阵列中一个垂直共振腔面射型激光的信号打线上所通过的信号所造成的电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)会耦合至同一垂直共振腔面射型激光阵列中另一个垂直共振腔面射型激光的信号打线上所通过的信号,这会增加无驱动电路的光学模块的串音干扰程度并造成系统效能恶化。因此,需要一种具有串音干扰抑制设计的创新半导体封装(例如光学封装)。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的之一在于提供一种具有接地打线跨越信号打线以提供串音干扰抑制的半导体封装与相关方法。
[0004]在本专利技术的一个实施例中,揭露一种半导体封装。该半导体封装包含一印刷电路板、一半导体装置、一第一信号打线以及一第一接地打线。该印刷电路板包含一第一印刷电路板接地垫以及一第一印刷电路板信号走线。该半导体装置包含一第一装置接地垫以及一第一装置信号垫。该第一信号打线耦接于该第一装置信号垫与该第一印刷电路板信号走线之间。该第一接地打线耦接于该第一装置接地垫与该第一印刷电路板接地垫之间,其中该第一接地打线跨越该第一信号打线。
[0005]在本专利技术的一个实施例中,揭露一种制造一半导体封装的方法。该方法包含:将一半导体装置安装至一印刷电路板之上,其中该印刷电路板包含一第一印刷电路板接地垫以及一第一印刷电路板信号走线,以及该半导体装置包含一第一装置接地垫以及一第一装置信号垫;以及执行一打线接合制作工艺,包含:将一第一信号打线耦接于该第一装置信号垫与该第一印刷电路板信号走线之间,并将一第一接地打线耦接于该第一装置接地垫与该第一印刷电路板接地垫之间,其中该第一接地打线跨越该第一信号打线。
[0006]本专利技术所提出的串音干扰抑制设计使用额外的接地打线来跨越信号打线,除了提
供额外的回流路径,也可提供额外的电磁干扰屏蔽,如此一来,半导体封装的串音干扰程度便可以被有效地降低。
附图说明
[0007]图1为本专利技术一实施例的具有所提出的串音干扰抑制设计的半导体封装的示意图;
[0008]图2为图1所示的半导体封装所采用的串音干扰抑制设计的示意图;
[0009]图3为可被图1所示的半导体封装所采用的串音干扰抑制设计的第1种设计变化的示意图;
[0010]图4为可被图1所示的半导体封装所采用的串音干扰抑制设计的第2种设计变化的示意图;
[0011]图5为可被图1所示的半导体封装所采用的串音干扰抑制设计的第3种设计变化的示意图;
[0012]图6为可被图1所示的半导体封装所采用的串音干扰抑制设计的第4种设计变化的示意图。
[0013]符号说明
[0014]100:半导体封装
[0015]102:印刷电路板
[0016]104:半导体装置
[0017]105_0,105_1,105_2,105_3:半导体元件
[0018]106:数字信号处理器
[0019]108_0,108_1,108_2,108_3:印刷电路板信号走线
[0020]110_0,110_1,110_2,110_3,112_0,112_1,112_2,112_3:印刷电路板接地垫
[0021]114_0,114_1,114_2,114_3:信号打线
[0022]116_0,116_1,116_2,116_3:接地打线
[0023]118_0,118_1,118_2,118_3:额外接地打线
[0024]202,204,602:共同接地面
[0025]TX0,TX1,TX2,TX3:输出端口
[0026]SIG_0,SIG_1,SIG_2,SIG_3:装置信号垫
[0027]GND_0,GND_1,GND_2,GND_3:装置接地垫
具体实施方式
[0028]在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属
普通技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件,本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式,而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”及“包括”为一开放式的用语,故应解释成“包含但不限定于”。此外,“耦接”或“耦合”一词在此包含任何直接及间接的电连接手段,因此,若文中描述一第一装置耦接至一第二装置,则代表该第一装置可直接电连接于该第二装置,或者通过其它装置和连接手段间接地电连接至该第二装置。
[0029]图1为本专利技术一实施例的具有所提出的串音干扰抑制设计的半导体封装的示意图。半导体封装100包含一印刷电路板102、一半导体装置104以及一数字信号处理器(digital signal processor,DSP)106。半导体装置104安装于印刷电路板102之上,并包含多个半导体元件105_0、105_1、105_2、105_3。在本专利技术的一些实施例中,半导体装置104可以是光学装置,举例来说,半导体装置104可以垂直共振腔面射型激光阵列,其中半导体元件105_0、105_1、105_2、105_3中的每一者为一垂直共振腔面射型激光。数字信号处理器106是安装于印刷电路板102之上,并用以驱动半导体装置104,如图1所示,数字信号处理器106具有多个输出端口TX0、TX1、TX2、TX3,分别连接至多个印刷电路板信号走线(PCB signal trace)108_0、108_1、108_2、108_3,在本实施例中,半导体装置104可以是无驱动电路的装置,像是使用垂直共振腔面射型激光的无驱动电路的光学装置,因此,半导体装置104是由数字信号处本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装,包含:印刷电路板,包含第一印刷电路板接地垫以及第一印刷电路板信号走线;半导体装置,包含第一装置接地垫以及第一装置信号垫;第一信号打线,耦接于该第一装置信号垫与该第一印刷电路板信号走线之间;以及第一接地打线,耦接于该第一装置接地垫与该第一印刷电路板接地垫之间,其中该第一接地打线跨越该第一信号打线。2.如权利要求1所述的半导体封装,其中该印刷电路板还包含第二印刷电路板接地垫,以及该半导体封装还包含:第二接地打线,耦接于该第一装置接地垫与该第二印刷电路板接地垫之间。3.如权利要求1所述的半导体封装,其中该半导体装置包含多个半导体元件,以及该第一装置接地垫与该第一装置信号垫两者均属于该多个半导体元件中的半导体元件。4.如权利要求1所述的半导体封装,其中该印刷电路板还包含第二印刷电路板接地垫以及第二印刷电路板信号走线;该半导体装置还包含第二装置接地垫以及第二装置信号垫;以及该半导体封装还包含:第二信号打线,耦接于该第二装置信号垫与该第二印刷电路板信号走线之间;以及第二接地打线,耦接于该第二装置接地垫与该第二印电路板接地垫之间,其中该第二接地打线跨越该第二信号打线。5.如权利要求4所述的半导体封装,其中该印刷电路板还包含第三印刷电路板接地垫以及第四印刷电路板接地垫,以及该半导体封装还包含:第三接地打线,耦接于该第一装置接地垫与该第三印刷电路板接地垫之间;以及第四接地打线,耦接于该第二装置接地垫与该第四印刷电路板接地垫之间。6.如权利要求4所述的半导体封装,其中该半导体装置包含多个半导体元件,该第一装置接地垫与该第一装置信号垫两者均属于该多个半导体元件中的半导体元件,以及该第二装置接地垫与该第二装置信号垫两者均属于该多个半导体元件中的另一半导体元件。7.如权利要求4所述的半导体封装,其中该第一印刷电路板接地垫与该第二印刷电路板接地垫均连接至该印刷电路板上的同一接地面。8.如权利要求1所述的半导体封装,其中该第一印刷电路板接地垫连接至该印刷电路板的接地面,该第一装置接地垫连接至该半导体装置的接地面,以及该印刷电路板的该接地面与该半导体装置的该接地面有实体接触。9.如权利要求1所述的半导体封装,其中该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈俊玮柯明吟骆彦彬
申请(专利权)人:达发科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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