【技术实现步骤摘要】
大功率VCSEL激光器及其制作方法
[0001]本专利技术属于激光器件封装
,具体涉及一种大功率
VCSEL
激光器及其制作方法
。
技术介绍
[0002]垂直腔面发射激光器(
Vertical Cavity Surface
‑
emitting Lasers, VCSEL
)由于具有光束质量好
、
单纵模
、
低阈值
、
易于实现片上测试
、
生产成本低等特点,已在数据传输
、
传感
、
光互连
、
激光打印
、
光信号处理等领域得到了日益广泛的应用
。
其中,应用于汽车领域的
1 mm2垂直腔面发射激光器芯片顶部的扩散器,无法满足汽车
TS16949:2009
规范的标准,该标准测试温度从
‑
40℃
上升到
150℃
,然后再从
150℃
上升到
260℃
为一个循环,在
100
次循环中,容易出现
VCSEL
芯片顶部的扩散器断裂问题
。
[0003]针对
VCSEL
芯片顶部的扩散器断裂问题,目前采用通过更换基底支撑材料从而使得芯片与铜焊盘支架结构
、
铜焊盘支架结构与基底支撑材料之间产生更小的应变,进而减少芯片顶部扩散器的形变,一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种大功率
VCSEL
激光器,其特征在于,包括:支撑基板,具有相对设置的第一表面与第二表面;第一线路层,设置于所述第一表面上;第二线路层,设置于所述第二表面上;
VCSEL
芯片,设置于所述第一线路层上;其中,所述第一线路层与所述第二线路层均采用铜碳复合材料
。2.
根据权利要求1所述的大功率
VCSEL
激光器,其特征在于,所述铜碳复合材料包括铜与碳材料;其中,所述碳材料为石墨
、
石墨烯
、
石墨烯纳米管
、
石墨炔
、
多壁碳纳米管
、C60、
活性炭
、
碳纤维
、
炭黑
、
玻璃碳
、
多孔炭材料
、
碳纳米球中的任一者
。3.
根据权利要求1所述的大功率
VCSEL
激光器,其特征在于,所述支撑基板上穿设有导通柱,所述导通柱的两端分别与所述第一线路层
、
所述第二线路层电连接
。4.
根据权利要求1所述的大功率
VCSEL
激光器,其特征在于,所述第一线路层与所述第二线路层的厚度范围为
100
‑
200
μ
m。5.
根据权利要求1所述的大功率
VCSEL
激光器,其特征在于,所述支撑基板上还设置有至少一个应力释放孔
。6.
根据权利要求1所述的大功率
VCSEL<...
【专利技术属性】
技术研发人员:何锦华,王兢,梁超,金智康,梁月,
申请(专利权)人:博睿光电,
类型:发明
国别省市:
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