基于反向光刻技术的全版图亚分辨率辅助图形插入方法技术

本发明专利技术公开基于反向光刻技术的全版图亚分辨率辅助图形插入方法

【技术实现步骤摘要】
基于反向光刻技术的全版图亚分辨率辅助图形插入方法


[0001]本专利技术涉及集成电路光刻
，尤其涉及一种应用
CT
层的基于反向光刻技术的全版图亚分辨率辅助图形插入方法
。

技术介绍

[0002]在光刻工艺中中工艺窗口
(Process Window
，
PW)
非常重要，工艺窗口的大小直接影响半导体器件制造的良率，工艺窗口越大，后续半导体制造良率也就越高
。
亚分辨辅助图形
(Sub
‑
Resolution Assist Feature
，
SRAF)
被添加到半孤立或孤立主图形之间以加大工艺窗口
。
[0003]传统的亚分辨率辅助图形插入方法主要采用的是基于规则的亚分辨率辅助图形插入方法，具体表现为当主图形之间的间距大于等于某个值时，添加若干条矩形的亚分辨率辅助图形，插入规则包含的参数主要有亚分辨率辅助图形的宽度
(SW)、
亚分辨率辅助图形到亚分辨率辅助图形的间距
(STS)
以及亚分辨率辅助图形到主图形的间距
(STM)
以及添加亚分辨率辅助图形的数目
。
基于规则的亚分辨率辅助图形插入方法中亚分辨率辅助图形的形状和种类简单，且规则的确立比较依赖工程师的经验和半导体制造产线的数据，往往需要根据工程师的经验进行多次迭代才能得到较为合适的参数，有时间周期长
、
工艺窗口小的缺点，降低了半导体制造良率，拉长了半导体制造周期
。
[0004]反向光刻技术
(Inverse Lithography Technology
，
ILT)
是一种根据硅片目标图形反演计算得到相应掩膜图形的技术，通过对版图运用反向光刻技术可以得到修正后版图，其包含了修正后的主图形和亚分辨率辅助图形
。
反向光刻技术是像素级别的修正技术，将版图离散化成像素点阵进行修正，因此反向光刻技术计算及其复杂，版图通过反向光刻技术修正得到较为理想的修正结果的计算运行时间比传统的光学邻近效应修正要长一个数量级，计算运行消耗的算力资源也比传统的光学临近效应修正多得多，且随着版图的面积增大计算运行时间和计算运行消耗的算力资源呈指数级上升，在追求效率的半导体制造流程中是不可接受的，所以不能用于全版图修正，且通过反向光刻技术得到的亚分辨率辅助图形形状和位置都很复杂，也不能直接提取规则
。
[0005]因此，需提供一种应用于
CT
层的基于反向光刻技术的亚分辨率辅助图形插入方法来解决上述问题
。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是针对现有技术的不足，提供了一种应用于
CT
层的基于反向光刻技术的亚分辨率辅助图形插入方法
。
该方法首先根据目标层的工艺关键尺寸
(CD)
建立测试图形版图
A
，然后利用反向光刻技术对测试图形版图进行处理，得到测试图形版图
B
，测试图形版图
B
带有亚分辨率辅助图形
。
然后对测试图形版图
B
中亚分辨率辅助图形根据规则进行简化处理，提取亚分辨率辅助图形插入规则
。
本专利技术利用反向光刻技术结合简化技术得到一种较为简单的亚分辨率辅助图形插入方法，该方法具有工艺窗口大
、
节约时间的优势
。
[0007]一种应用于
CT
层的基于反向光刻技术的亚分辨率辅助图形插入方法，其特征在于所述方法具体是：
[0008]S1
：选定
CT
层，根据
CT
层的工艺关键尺寸，建立测试图形
A
，得到包含测试图形
A
的版图；
[0009]所述
CT
层的关键尺寸包括最小孔状图形的边长
(Critical Dimension
，
CD)
；
[0010]在集成电路掩膜制造及光刻工艺中为评估及控制工艺的图形处理精度，特意设置的专用线条图形的线宽，反映了集成电路特征线条宽度；
CT
层的关键尺寸是
CT
层的最小特征图形的边长，即最小孔状图形的边长；
[0011]S2
：利用反向光刻技术对包含测试图形
A
的版图进行处理，得到包含测试图形
B
的版图；具体是：
[0012]2‑1：将包含测试图形
A
的版图利用反向光刻技术进行修正，得到包含待验证测试图形
A1
和待验证亚分辨率辅助图形
A2
的版图；
[0013]2‑2：对包含待验证测试图形
A1
和待验证亚分辨率辅助图形
A2
的版图进行光刻成像仿真，得到仿真硅片曝光图像；
[0014]2‑3：将仿真硅片曝光图像与硅片目标图像进行对比，若对比结果超过允许误差，则调整步骤2‑1反向光刻技术的修正工艺参数，再重复执行步骤2‑1至步骤2‑3，直到对比结果不超过允许误差时，将当前包含待验证测试图形
A1
和待验证亚分辨率辅助图形
A2
的版图作为包含测试图形
B1
和环形亚分辨率辅助图形
B2
的版图；
[0015]S3
：从包含测试图形
B1
和环形亚分辨率辅助图形
B2
的版图中分离出环形亚分辨率辅助图形
B2
，然后利用同心圆对环形亚分辨率辅助图形
B2
进行圆拟合，得到多个同心圆，从这些同心圆中提取出环形亚分辨率辅助图形
B2
的特征参数；具体是：
[0016]3‑1：分离出环形亚分辨率辅助图形
B2
；
[0017]3‑2：对环形亚分辨率辅助图形
B2
提取边缘坐标信息；
[0018]3‑3：对提取的边缘坐标信息进行同心圆拟合，通过调整允许误差范围，得到多个同心圆；
[0019]3‑4：根据步骤3‑3得到的同心圆的半径参数计算得到亚分辨率辅助图形的宽度
(SW)、
亚分辨率辅助图形到测试图形
A
的距离
(STM)、
相邻亚分辨率辅助图形的距离
(STS)。
[0020]S4
：根据提取出的特征参数，即亚分辨率辅助图形的宽度
、
亚分辨率辅助图形到测试图形
A
的距离
、
相邻亚分辨率辅助图形的距离，利用矩形亚分辨率辅助图形组合代替环形亚分辨率辅助图形
B2
；
[0021]所述矩形亚分辨率辅助图形组合包括多个矩形亚分辨率辅助图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
基于反向光刻技术的全版图亚分辨率辅助图形插入方法，其特征在于所述方法具体是：
S1
：选定
CT
层，根据
CT
层的关键尺寸，建立测试图形
A
，得到包含测试图形
A
的版图；所述
CT
层的关键尺寸包括最小孔状图形的边长
CD
；
S2
：利用反向光刻技术对包含测试图形
A
的版图进行处理，得到包含测试图形
B
的版图；具体是：2‑1：将包含测试图形
A
的版图利用反向光刻技术进行修正，得到包含待验证测试图形
A1
和待验证亚分辨率辅助图形
A2
的版图；2‑2：对包含待验证测试图形
A1
和待验证亚分辨率辅助图形
A2
的版图进行光刻成像仿真，得到仿真硅片曝光图像；2‑3：将仿真硅片曝光图像与硅片目标图像进行对比，若对比结果超过允许误差，则调整步骤2‑1反向光刻技术的修正工艺参数，再重复执行步骤2‑1至步骤2‑3，直到对比结果不超过允许误差时，将当前包含待验证测试图形
A1
和待验证亚分辨率辅助图形
A2
的版图作为包含测试图形
B1
和环形亚分辨率辅助图形
B2
的版图；
S3
：从包含测试图形
B1
和环形亚分辨率辅助图形
B2
的版图中分离出环形亚分辨率辅助图形
B2
，然后利用同心圆对环形亚分辨率辅助图形
B2
进行圆拟合，得到多个同心圆，从这些同心圆中提取出环形亚分辨率辅助图形
B2
的特征参数；
S4
：根据提取出的特征参数，利用矩形亚分辨率辅助图形组合代替环形亚分辨率辅助图形
B2
；所述矩形亚分辨率辅助图形组合包括多个矩形亚分辨率辅助图形，且相邻矩形亚分辨率辅助图形存在间隙，所述间隙符合掩膜设计规则检查；
S5
：对步骤
S4
中矩形亚分辨率辅助图形组合提取插入规则；根据插入规则对测试图形
A
进行矩形亚分辨率辅助图形插入，然后进行光刻成像仿真，若仿真硅片曝光图形的形状落在硅片目标图像的误差范围内，则保留该插入规则，并可用于
CT
层的全版图修正；若仿真硅片曝光图形的形状不在硅片目标图像的误差范围内，则返回步骤
S4。2.
根据权利要求1所述方法，其特征在于步骤
S3
具体是：3‑1：分离出...

【专利技术属性】
技术研发人员：金耀，任堃，高大为，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：