基板处理方法技术

基板处理方法具备：对基板的表面供给药液的工序

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法、基板处理装置以及干燥处理液


[0001]本专利技术涉及一种用以处理基板的技术以及使用于基板的处理的干燥处理液
。
[0002][
相关申请案的参照
][0003]本申请主张
2021
年4月
16
日所申请的日本专利申请
JP2021
‑
069639
的优先权，将日本专利申请
JP2021
‑
069639
的全部的揭示内容援用于本申请案
。

技术介绍

[0004]以往，在半导体基板
(
以下简称为“基板”)
的制造工序中对基板施予各种处理
。
例如，对基板的表面供给蚀刻液等药液并进行药液处理
。
此外，在药液处理结束后，对基板供给冲洗
(rinse)
液并进行冲洗处理后，进行基板的干燥处理
。
[0005]在基板的表面形成有细微的图案
(pattern)
的情形中，液体的表面张力作用至形成于图案间的液面
(
亦即液体与空气之间的界面
)
与图案之间的接触位置
。
由于典型上作为上述冲洗液所使用的水的表面张力大，因此会有在冲洗处理后的干燥处理中图案倒塌的担心
。
[0006]因此，在日本特开
2017
‑
117954
号公报
(
文献
1)/>中揭示了一种技术：为了抑制图案的倒塌，将表面张力比水还小的
IPA(isopropyl alcohol
；异丙醇
)
供给至冲洗处理后的基板上并与水置换后，从基板上将该
IPA
去除从而进行基板的干燥处理
。
在文献1中，作为取代
IPA
的液体，亦能例举表面张力比水还小的
HFE(hydrofluoroether
；氢氟醚
)、
甲醇
、
乙醇等
。
[0007]此外，在日本特开
2013
‑
157625
号公报
(
文献
2)
中揭示了一种技术：为了抑制图案的倒塌，将
IPA
供给至冲洗处理后的基板上并与水置换后，将疏水化剂供给至基板上从而将基板的上表面疏水化，进一步地将
IPA
供给至基板上与疏水化剂置换后，从基板上将该
IPA
去除从而进行基板的干燥处理
。
在文献2中，作为取代
IPA
的液体，亦能例举表面张力比水还小的
HFE、HFC(hydrofluorocarbon
；氢氟碳
)、
甲醇
、
乙醇等
。
[0008]近年来，伴随着基板上的图案的高纵横比
(high aspect ratio)
化，图案变得容易倒塌，故谋求干燥处理时进一步地抑制图案的倒塌
。

技术实现思路

[0009]本专利技术着眼于一种用以处理基板的基板处理方法，目的在于抑制干燥处理时的图案的倒塌
。
[0010]本专利技术的较佳的一方式的基板处理方法具备：工序
a)
，对基板的表面供给药液；工序
b)
，在所述工序
a)
之后，对所述基板的表面供给冲洗液；工序
c)
，在所述工序
b)
之后，使经过加热的干燥处理液接触至所述基板的所述表面；以及工序
d)
，在所述工序
c)
之后，从所述基板的所述表面去除所述干燥处理液，由此使所述基板干燥
。
所述干燥处理液的表面张力比所述冲洗液的表面张力低
。
所述干燥处理液的沸点比所述冲洗液的沸点高
。
在所述工序
c)
中接触至所述基板的所述表面的所述干燥处理液的温度为所述冲洗液的沸点以上且小于所述干燥处理液的沸点的规定的接触温度
。
[0011]依据该基板处理方法，能抑制干燥处理时的图案的倒塌
。
[0012]较佳为，所述基板处理方法还具备：工序
e)
，在所述工序
d)
之后，加热所述基板，由此去除吸附于所述基板的所述表面的所述干燥处理液的分子
。
[0013]较佳为，所述工序
d)
以及所述工序
e)
在同一个腔室
(chamber)
内进行
。
[0014]较佳为，所述基板处理方法在所述工序
b)
与所述工序
c)
之间还具备以下工序：对所述基板的所述表面供给置换液，将接触至所述基板的所述表面的所述冲洗液置换成所述置换液
。
在所述工序
c)
中，接触至所述基板的所述表面的所述置换液被置换成所述干燥处理液
。
[0015]较佳为，在所述工序
c)
中，预先被加热至所述接触温度的所述干燥处理液被供给至所述基板的所述表面
。
[0016]较佳为，在所述工序
c)
中，对接触至所述基板的所述表面后的所述干燥处理液进行，由此使所述干燥处理液升温至所述接触温度
。
[0017]较佳为，所述接触温度与所述干燥处理液的沸点的差为
65℃
以下
。
[0018]较佳为，在所述工序
c)
中，所述接触温度的所述干燥处理液对于所述基板的所述表面的接触时间为
10
秒以上
。
[0019]较佳为，所述干燥处理液包含含氟醇
(fluorine
‑
containing alcohol)。
[0020]较佳为，所述含氟醇在末端具有－
CF2H。
[0021]较佳为，所述含氟醇在末端具有－
CF3。
[0022]较佳为，所述含氟醇的分子式所含有的
C
的数量为4以上
。
[0023]本专利技术亦着眼于一种用以处理基板的基板处理装置
。
本专利技术的较佳的一方式的基板处理装置具备：药液供给部，对基板的表面供给药液；冲洗液供给部，对所述基板的所述表面供给冲洗液；干燥处理液供给部，对所述基板的所述表面供给经过加热的干燥处理液；以及干燥处理部，从所述基板的所述表面去除所述干燥处理液，由此使所述基板干燥
。
所述干燥处理液的表面张力比所述冲洗液的表面张力低
。
所述干燥处理液的沸点比所述冲洗液的沸点高
。
接触至所述基板的所述表面的所述干燥处理液的温度为所述冲洗液的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种基板处理方法，用以处理基板，其中，具备：工序
a)
，对基板的表面供给药液；工序
b)
，在所述工序
a)
之后，对所述基板的所述表面供给冲洗液；工序
c)
，在所述工序
b)
之后，使经过加热的干燥处理液接触至所述基板的所述表面；以及工序
d)
，在所述工序
c)
之后，从所述基板的所述表面去除所述干燥处理液，由此使所述基板干燥；所述干燥处理液的表面张力比所述冲洗液的表面张力低；所述干燥处理液的沸点比所述冲洗液的沸点高；在所述工序
c)
中接触至所述基板的所述表面的所述干燥处理液的温度为所述冲洗液的沸点以上且小于所述干燥处理液的沸点的规定的接触温度
。2.
如权利要求1所述的基板处理方法，其中，还具备：工序
e)
，在所述工序
d)
之后，加热所述基板，由此去除吸附于所述基板的所述表面的所述干燥处理液的分子
。3.
如权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述工序
d)
以及所述工序
e)
在同一个腔室内进行
。4.
如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，在所述工序
b)
与所述工序
c)
之间还具备以下工序：对所述基板的所述表面供给置换液，将接触至所述基板的所述表面的所述冲洗液置换成所述置换液；在所述工序
c)
中，接触至所述基板的所述表面的所述置换液被置换成所述干燥处理液
。5.
如权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，在所述工序
c)
中，预先被加热至所述接触温度的所述干燥处理液被供给至所述基板的所述表面
。6.
如权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中，在所述工序
c)
中，对接触至所述基板的所述表面后的所述干燥处理液进行加热，由此使所述干燥处理液升温至所述接触温度
。7.
如权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，所述接触温度与所述干燥处理液的沸点的差为
65℃
以下
。8.
如权利要求1至7中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：石津岳明，小林健司，太田乔，並川敬，细田一辉，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：