改善制造技术

本发明专利技术提供一种改善

【技术实现步骤摘要】
改善Q
‑
time的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善
Q
‑
time
的方法
。

技术介绍

[0002]40EF
产品在硬掩膜层刻蚀
、
清洗后到通孔光刻前的这段等待时间较长
(
也即是
Q
‑
time
易超时
)
，从而将会导致金属层刻蚀受到影响，这是由于硬掩膜层包括氮化钛
(TiN)
，在对其进行刻蚀形成沟槽时，沟槽侧壁的表面形成有氧化钛，氧化钛使得氟离子在侧壁处聚集，氟离子与
H2O
发生反应生成
HF
，
HF
与氧化钛发生反应生成
TiOF
聚合物，而且氟离子越多，形成的
TiOF
聚合物也就越多
(
如图1所示
)。
在这种情况下，即使对硬掩膜层进行清洗，但清洗后仍有少量残留，因此，在等待通孔光刻作业过程中，
line
关键尺寸较小的位置若产生聚合物缺陷，聚合物缺陷可能会阻挡刻蚀，从而导致
line
断线，进而造成产品晶圆报废
。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善
Q
‑
time
的方法，用于解决现有的进行通孔光刻前因
Q
‑
time
超时导致晶圆产生聚合物缺陷的问题
。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善
Q
‑
time
的方法，所述方法包括：
[0005]提供一半导体结构，所述半导体结构自下而上包括
NDC
层
、LK
层
、TiN
层
、PEOX
层及
BARC
层；
[0006]通过刻蚀工艺刻蚀所述
BARC
层
、
所述
PEOX
层及所述
TiN
层以形成沟槽；
[0007]对刻蚀后的所述半导体结构进行清洗；
[0008]对清洗后的所述半导体结构进行热处理；
[0009]于所述沟槽的底部及侧壁形成保护层以等待进行后续工艺
。
[0010]可选地，在通过刻蚀工艺刻蚀所述
BARC
层
、
所述
PEOX
层及所述
TiN
层之前，所述方法还包括：于所述
BARC
层表面形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理的步骤
。
[0011]可选地，在通过刻蚀工艺形成所述沟槽时，所述方法还包括刻蚀部分厚度的所述
LK
层，以使得所述沟槽的底部位于所述
LK
层内
。
[0012]可选地，对清洗后的所述半导体结构进行热处理的方法包括：在预设温度下对所述半导体结构进行加热
。
[0013]可选地，所述预设温度的范围包括
300℃
～
350℃。
[0014]可选地，对清洗后的所述半导体结构进行热处理的方法包括：将所述半导体结构置于烘箱中进行热处理
。
[0015]可选地，所述保护层延伸至所述光刻胶层的表面
。
[0016]可选地，所述保护层的材质包括聚丙烯酸酯类气溶胶
。
[0017]可选地，所述半导体结构还包括介电质层，且所述介电质层形成于所述
NDC
层的下表面
。
[0018]可选地，所述后续工艺包括形成通孔的光刻工艺及刻蚀工艺
。
[0019]如上所述，本专利技术的改善
Q
‑
time
的方法，通过在对
TiN
层进行刻蚀
、
清洗后，对其进行热处理以去除水汽，并将与光刻胶成分类似的聚丙烯酸酯类气溶胶喷涂在晶圆表面，使得
TiN
层与外界隔离，以避免其受到外界污染，从而防止聚合物缺陷产生，改善
TiN
层清洗后与通孔光刻前的
Q
‑
time。
附图说明
[0020]图1显示为现有的形成有聚合物缺陷的半导体结构剖面结构示意图
。
[0021]图2显示为本专利技术的改善
Q
‑
time
的方法的流程图
。
[0022]图3显示为本专利技术的半导体结构形成沟槽
、
进行清洗及热处理后的剖面结构示意图
。
[0023]图4显示为本专利技术的半导体结构形成保护层后的剖面结构示意图
。
具体实施方式
[0024]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效
。
本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变
。
[0025]请参阅图1至图
4。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目
、
形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态
、
数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂
。
[0026]如图2所示，本实施例提供一种改善
Q
‑
time
的方法，所述方法包括：
[0027]步骤
1)
提供一半导体结构，所述半导体结构自下而上包括
NDC
层
、LK
层
、TiN
层
、PEOX
层及
BARC
层；
[0028]步骤
2)
通过刻蚀工艺刻蚀所述
BARC
层
、
所述
PEOX
层及所述
TiN
层以形成沟槽；
[0029]步骤
3)
对刻蚀后的所述半导体结构进行清洗；
[0030]步骤
4)
对清洗后的所述半导体结构进行热处理；
[0031]步骤
5)
于所述沟槽的底部及侧壁形成保护层以等待进行后续工艺
。
[0032]下面对本实施例的改善
Q
‑
time
的方法进行具体说明
。
[0033]在步骤
1)
中，提供一半导体结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种改善
Q
‑
time
的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构自下而上包括
NDC
层
、LK
层
、TiN
层
、PEOX
层及
BARC
层；通过刻蚀工艺刻蚀所述
BARC
层
、
所述
PEOX
层及所述
TiN
层以形成沟槽；对刻蚀后的所述半导体结构进行清洗；对清洗后的所述半导体结构进行热处理；于所述沟槽的底部及侧壁形成保护层以等待进行后续工艺
。2.
根据权利要求1所述的改善
Q
‑
time
的方法，其特征在于，在通过刻蚀工艺刻蚀所述
BARC
层
、
所述
PEOX
层及所述
TiN
层之前，所述方法还包括：于所述
BARC
层表面形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理的步骤
。3.
根据权利要求1或2所述的改善
Q
‑
time
的方法，其特征在于，在通过刻蚀工艺形成所述沟槽时，所述方法还包括刻蚀部分厚度的所述
LK
层，以使得所述沟槽的底部位于所述
LK
层内
。4.
根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：董献国，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：