用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体的是一种用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板及其制备方法
。

技术介绍

[0002]在半导体行业中，在对芯片进行封装之前，通常需要采用探针卡对芯片进行检测
。
基板
(
转接板
)
是探针卡的主要组成部件之一，其上分布有多个用于检测的元件
。
伴随着半导体行业的高速发展，芯片逐渐小型化，芯片上各特征
(
元件
)
尺寸也随之缩小，这对探针卡的基板上
Pad(
焊盘
)
的小型化提出了要求
。
[0003]目前，探针卡的基板多采用多层有机基板
(Multi layered Organic substrate,
简称
MLO)
制备
。
采用传统工艺制备的多层有机基板，其引脚间距
(pitch)
最小只能达到
54
μ
m
，该
pitch
的多层有机基板已经无法满足探针卡上小间距焊盘的制作需求
。
为此，业内通常会采用
Thin film(
薄膜
)
技术在多层有机基板上进行再加工，但是，该再加工工艺中，由于
PI
膜固化温度较高，会使得多层有机基板本身产生材料的损失，对基板造成损伤
。
>
技术实现思路

[0004]为了克服现有技术中的缺陷，本专利技术实施例提供了一种用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板及其制备方法，其用于解决上述问题
。
[0005]本申请实施例公开了：一种用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板的制备方法，包括以下步骤：
[0006]提供多层有机基板，在所述多层有机基板上制作第一走线层；
[0007]在所述第一走线层上涂覆
SU8
胶，在所述
SU8
胶上制作过孔；
[0008]在所述
SU8
胶上制作第二走线层，所述第二走线层通过所述过孔与所述第一走线层导通
。
[0009]具体地，在所述多层有机基板上制作第一走线层，具体包括以下步骤：
[0010]提供多层有机基板，在所述多层有机基板上制作第一金属层；
[0011]在所述第一金属层上涂覆光刻胶，采用第一光刻版进行曝光显影，然后第一次电镀形成第一走线层；
[0012]将所述第一金属层及其上的光刻胶去除
。
[0013]具体地，在所述
SU8
胶上制作过孔，具体包括以下步骤：
[0014]在所述多层有机基板和第一走线层上涂覆
SU8
胶，采用第二光刻版进行曝光显影，在所述
SU8
胶上制作第一过孔，对所述
SU8
胶进行定影和后烘；
[0015]在所述
SU8
胶上制作第二金属层，在所述第二金属层上涂覆光刻胶，采用所述第二光刻版进行曝光显影，在所述光刻胶上制作第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔连通，然后第二次电镀以将
SU8
胶上的第一过孔填满；
[0016]将所述
SU8
胶表面的光刻胶和第二金属层去除，并将所述第一过孔内的金属抛光
至与所述
SU8
胶同一高度
。
[0017]具体地，在所述
SU8
胶上制作第二走线层，具体包括以下步骤：
[0018]在所述
SU8
胶上制作第三金属层，在所述第三金属层上涂覆光刻胶，采用第三光刻版进行曝光显影，然后第三次电镀形成第二走线层；
[0019]将所述第三金属层及其上的光刻胶去除
。
[0020]具体地，在所述多层有机基板上制作第一金属层之前，还包括步骤：对所述多层有机基板进行研磨抛光，使所述多层有机基板的总厚度偏差降低至不超过2μ
m。
[0021]具体地，所述
SU8
胶的厚度介于
28
～
32
μ
m
之间
。
[0022]具体地，所述第一金属层和所述第三金属层通过湿法腐蚀的方法去除
。
[0023]具体地，所述第二金属层通过抛光的方法去除
。
[0024]具体地，所述
SU8
胶后烘干的温度为
150℃。
[0025]本申请实施例还公开了：一种用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板，其采用本实施例所述的方法制备
。
[0026]本专利技术至少具有如下有益效果：本实施例的用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板的制备方法，通过在具有较大线间距的原始的多层有机基板上布置多个线间距逐渐缩小的走线层，使得基板最外走线层上的线间距满足更小间距的
C4 Pad
的制作，满足探针卡上小间距焊盘的制作需求，节约了探针卡用
MLO
的制作周期，降低成本；同时，由于采用
SU8
胶作为走线层和过孔层的载体，可对原始的基板进行保护
、
防止原始的多层有机基板本身受到损伤
。
[0027]为让本专利技术的上述和其他目的
、
特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下
。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0029]图1是本专利技术实施例中用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板的制备方法的流程图
。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0031]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“之上”或“之下”可以包括第一特征和第二特征直接接触，也可以包括第一特征和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触
。
而且，第一特征在第二特征“之上”、“之下”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征
。
第
一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供多层有机基板，在所述多层有机基板上制作第一走线层；在所述第一走线层上涂覆
SU8
胶，在所述
SU8
胶上制作过孔；在所述
SU8
胶上制作第二走线层，所述第二走线层通过所述过孔与所述第一走线层导通
。2.
根据权利要求1所述的用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板的制备方法，其特征在于，在所述多层有机基板上制作第一走线层，具体包括以下步骤：提供多层有机基板，在所述多层有机基板上制作第一金属层；在所述第一金属层上涂覆光刻胶，采用第一光刻版进行曝光显影，然后第一次电镀形成第一走线层；将所述第一金属层及其上的光刻胶去除
。3.
根据权利要求2所述的用于表面制作小间距焊盘的多层有机基板的制备方法，其特征在于，在所述
SU8
胶上制作过孔，具体包括以下步骤：在所述多层有机基板和第一走线层上涂覆
SU8
胶，采用第二光刻版进行曝光显影，在所述
SU8
胶上制作第一过孔，对所述
SU8
胶进行定影和后烘；在所述
SU8
胶上制作第二金属层，在所述第二金属层上涂覆光刻胶，采用所述第二光刻版进行曝光显影，在所述光刻胶上制作第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔连通，然后第二次电镀以将
SU8
胶上的第一过孔填满；将所述
SU8
胶表面的光刻胶和第二金属层去除，并将所述第一过孔内的金属抛光至与所述
SU8
胶同一高度

【专利技术属性】
技术研发人员：侯克玉，邵宇，于海超，
申请(专利权)人：强一半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：