一种激光退火方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种激光退火方法，包括如下步骤：一种激光退火方法，其特征在于，包括如下步骤：水平移动载具机构至激光检测位置，使得激光射入激光检测装置的入射孔；检测所述激光的实际功率和

【技术实现步骤摘要】
一种激光退火方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种激光退火方法及装置
。

技术介绍

[0002]在对硅基半导体器件的表面进行杂质掺杂时，所掺杂杂质原子经常处于硅晶格中缺陷的状态，因而一般需要进行热退火
。
目前使用的热退火工艺需要进行激光检测来调整激光参数，现有激光退火方法在退火时需要将一部分激光用于激光检测，对激光能量有损耗，影响最终退火效果
。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一
。
[0004]为此，本申请的第一个目的在于提出一种激光退火方法，将激光检测和激光退火分开，从而不损耗激光退火时的能量，提高激光退火效果
。
[0005]本申请的第二个目的在于提出一种激光退火装置
。
[0006]本申请的第二个目的在于提出一种控制器
。
[0007]本申请的第二个目的在于提出一种非临时性计算机可读存储介质
。
[0008]为达上述目的，本申请第一方面实施例提出了一种激光退火方法，包括如下步骤：
[0009]水平移动载具机构至激光检测位置，使得激光射入激光检测装置的入射孔；
[0010]检测所述激光的实际功率和
/
或所述激光的质量；
[0011]水平移动所述载具机构至激光退火位置，使得所述激光射向所述载具机构的吸附载具的方向
。
[0012]本申请实施例的一种激光退火方法中，先水平移动载具机构至激光检测位置，使得激光射入激光检测装置的入射孔；再检测所述激光的实际功率和
/
或所述激光的质量；最后水平移动所述载具机构至激光退火位置，使得所述激光射向所述载具机构的吸附载具的方向
。
通过将激光检测和激光退火分开，从而不损耗激光退火时的能量，提高激光退火效果
。
[0013]为达上述目的，本申请第二方面实施例提出了一种激光退火装置，包括：
[0014]激光检测装置，用于检测激光的实际功率和
/
或所述激光的质量；
[0015]载具机构，可水平移动并与所述激光检测装置固定连接，所述载具机构设有吸附载具，当所述载具机构位于激光检测位置时使得激光能够射入所述激光检测装置的入射孔，当所述载具机构位于激光退火位置时使得所述激光能够射向所述载具机构的吸附载具的方向
。
[0016]本申请实施例的激光退火装置中，包括：
[0017]激光检测装置检测激光的实际功率和
/
或所述激光的质量；
[0018]载具机构可水平移动并与所述激光检测装置固定连接，所述载具机构设有吸附载具，当所述载具机构位于激光检测位置时使得激光能够射入所述激光检测装置的入射孔，
当所述载具机构位于激光退火位置时使得所述激光能够射向所述载具机构的吸附载具的方向
。
通过将激光检测和激光退火分开，从而不损耗激光退火时的能量，提高激光退火效果
。
[0019]为达上述目的，本申请第三方面实施例提出一种控制器，包括存储器
、
处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现如上所述的方法
。
[0020]为了实现上述目的，本申请第四方面实施例提出了一种非临时性计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的方法
。
[0021]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到
。
附图说明
[0022]本申请上述的和
/
或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0023]图1为本专利技术实施例的激光退火方法的流程图；
[0024]图2为本专利技术实施例的激光退火装置位于激光检测位置时的结构示意图；
[0025]图3为本专利技术实施例的激光退火方法的另一流程图；
[0026]图4为本专利技术实施例的激光退火装置的立体图；
[0027]图5为本专利技术实施例的激光退火装置的另一角度的立体图；
[0028]图6为本专利技术实施例的载具机构的立体图；
[0029]图7为本专利技术实施例的载具机构的另一立体图；
[0030]图8为本专利技术实施例的激光退火装置位于激光退火位置时的结构示意图；
[0031]图9为本专利技术实施例的激光整形装置的结构示意图；
[0032]图
10
为本专利技术实施例的激光整形装置的爆炸图；
[0033]图
11
为图9沿
AA
方向的剖视图；
[0034]图
12
为本专利技术实施例的激光整形装置的另一结构示意图；
[0035]图
13
为本专利技术实施例的光学衍射元件的截面图；
[0036]图
14
为本专利技术实施例的光学衍射元件的另一截面图；
[0037]图
15
为本专利技术实施例的光学衍射元件的俯视图；
[0038]图
16
为本专利技术实施例的气路装置的立体图；
[0039]图
17
为本专利技术实施例的激光检测装置的立体图；
[0040]图
18
为本专利技术实施例的激光检测装置的结构示意图；
[0041]图
19
为本专利技术实施例的激光检测装置的另一结构示意图；
[0042]图
20
为本专利技术实施例的控制器的结构示意图
。
具体实施方式
[0043]为了更了解本专利技术的
技术实现思路
，特举具体实施例并配合所附图式说明如下
。
[0044]在本公开中参照附图来描述本专利技术的各方面，附图中示出了许多说明的实施例
。
本公开的实施例不必定意在包括本专利技术的所有方面
。
应当理解，上面介绍的多种构思和实
施例，以及下面更加详细地描述的那些构思和实施方式可以以很多方式中任意一种来实施，这是因为本专利技术所公开的构思和实施例并不限于任何实施方式
。
另外，本专利技术公开的一些方面可以单独使用，或者与本专利技术公开的其他方面的任何适当组合来使用
。
[0045]需要说明的是，当元件被称为“连接于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上
。
当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上
。
[0046]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种激光退火方法，其特征在于，包括如下步骤：水平移动载具机构至激光检测位置，使得激光射入激光检测装置的入射孔；检测所述激光的实际功率和
/
或所述激光的质量；水平移动所述载具机构至激光退火位置，使得所述激光射向所述载具机构的吸附载具的方向
。2.
如权利要求1所述的激光退火方法，其特征在于，所述检测激光的实际功率和激光的质量步骤之后，包括：根据激光的实际功率，控制激光发生器调整到目标功率
。3.
如权利要求1所述的激光退火方法，其特征在于，所述检测激光的实际功率和
/
或激光的质量步骤之后，还包括：根据所述激光的质量，调整激光整形装置的高度
。4.
如权利要求1所述的激光退火方法，其特征在于，所述检测激光的实际功率和
/
或激光的质量步骤之后，还包括：将晶圆放置在所述吸附载具上，并移动所述载具机构到达晶圆厚度检测位置；通过晶圆厚度测量装置检测晶圆的实际厚度
。5.
如权利要求1所述的激光退火方法，其特征在于，所述通过晶圆厚度测量装置检测晶圆的实际厚度步骤之后还包括：根据所述晶圆的实际厚度，调整所述激光整形装置的高度，使得激光照射在所述晶圆上的光斑尺寸达到预设尺寸
。6.
一种激光退火装置，其特征在于，包括：激光检测装...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，
申请(专利权)人：瑶光半导体浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：