激光退火方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种激光退火方法，包括如下步骤：接收目标退火模式选择指令；根据接收的所述目标退火模式选择指令，执行所述目标退火模式的退火操作

【技术实现步骤摘要】
激光退火方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种激光退火装置及方法
。

技术介绍

[0002]在对硅基半导体器件的表面进行杂质掺杂时，所掺杂杂质原子经常处于硅晶格中缺陷的状态，因而一般需要进行热退火
。
晶圆退火的作用是通过瞬时的高能量激光来改变材料的晶向结构，进而改变其一些特性
。
该过程是将高能量密度激光照射到晶圆表面，在不到1毫秒的时间内将表层原子层加热到
1000℃
以上再急速冷却，从而有效减少工序中产生的晶圆电极缺陷，提高产品性能，提升晶圆生产良品率
。
退火时面临的问题比较复杂，例如，晶圆在设计过程中为达到某些目的，使得某些区域不适合退火，在退火时需要应当充分考虑
。
另外，扫描路径也对最终退火效果有很大影响
。
另一方面退火设备结构复杂退火模式相对固定，目前各种各样的退火需求不能得到有效满足
。

技术实现思路

[0003]本专利技术第一方面公开了一种激光退火方法，包括如下步骤：
[0004]接收目标退火模式选择指令；
[0005]根据接收的所述目标退火模式选择指令，执行所述目标退火模式的退火操作
。
[0006]可选的，所述接收目标退火模式选择指令步骤还包括；
[0007]接收第1退火模式选择指令后，接收一级子模式选择指令；
[0008]其中，所述一级子模式包括第1退火模式一级子模式
1、r/>第1退火模式一级子模式
2、
至第1退火模式一级子模式
n
任一种
,n
为大于等于1的自然数
。
[0009]可选的，所述接收目标退火模式选择指令步骤还包括；
[0010]接收第2退火模式选择指令后，接收一级子模式选择指令；
[0011]所述一级子模式包括第2退火模式一级子模式
1、
第2退火模式一级子模式
2、
至第2退火模式一级子模式
m
任一种
,m
为大于等于1的自然数
。
[0012]可选的，所述第1退火模式为全扫描退火模式，所述第2退火模式为局部退火模式
。
[0013]可选的，所述接收目标退火模式选择指令步骤还包括：
[0014]接收到退火模式切换指令，将当前退火模式切换为所述目标退火模式
。
[0015]可选的，所述接收目标退火模式选择指令步骤包括：
[0016]接收目标退火模式的语音控制指令；
[0017]将所述目标退火模式的语音控制指令转换为相应的所述目标退火模式的控制执行指令
。
[0018]本专利技术第二方面提供了一种激光退火装置，包括：
[0019]接收模块，用于接收目标退火模式指令；
[0020]处理器，根据接收到的所述目标退火模式指令控制退火执行模块执行相应的退火操作
。
[0021]可选的，所述控制器还用于当接收到退火模式切换指令时，将当前退火模式切换为所述目标退火模式
。
[0022]本专利技术的第三方面提供了一种控制器，其特征在于，包括存储器
、
处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现上述任一所述的方法
。
[0023]本专利技术的第四方面提供了一种非临时性计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一所述的方法
。
[0024]本专利技术的有益效果：本专利技术的退火方法及装置设置有不同的退火模式，用户可根据自身需求灵活选择退火模式，克服了晶圆本身结构或质量对退火工艺的影响，兼具方便快捷与成功率高的优势
。
附图说明
[0025]图1为本专利技术实施例的激光退火方法的流程图；
[0026]图2为本专利技术实施例的晶圆的结构示意图；
[0027]图3为本专利技术实施例的另一种激光退火方法的流程图；
[0028]图4为本专利技术实施例的另一种激光退火方法的流程图；
[0029]图5为本专利技术实施例的激光退火设备的结构示意图；
[0030]图6为本专利技术实施例的控制器的结构框图
。
具体实施方式
[0031]为了更了解本专利技术的
技术实现思路
，特举具体实施例并配合所附图式说明如下
。
[0032]在本公开中参照附图来描述本专利技术的各方面，附图中示出了许多说明的实施例
。
本公开的实施例不必定意在包括本专利技术的所有方面
。
应当理解，上面介绍的多种构思和实施例，以及下面更加详细地描述的那些构思和实施方式可以以很多方式中任意一种来实施，这是因为本专利技术所公开的构思和实施例并不限于任何实施方式
。
另外，本专利技术公开的一些方面可以单独使用，或者与本专利技术公开的其他方面的任何适当组合来使用
。
[0033]需要说明的是，当元件被称为“连接于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上
。
当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上
。
[0034]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量
。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征
。
在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定
。“多个”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定
。
[0035]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制
。
[0036]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相
连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系
。
对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义
。
[0037]在整个说明书中参考“一个实施例”或“实施例”意味着结合实施例描述的特定特征，结构或特性包括在本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种激光退火方法，其特征在于，包括如下步骤：接收目标退火模式选择指令；根据接收的所述目标退火模式选择指令，执行所述目标退火模式的退火操作
。2.
如权利要求2所述的激光退火方法，其特征在于，所述接收目标退火模式选择指令步骤还包括；接收第1退火模式选择指令后，接收一级子模式选择指令；其中，所述一级子模式包括第1退火模式一级子模式
1、
第1退火模式一级子模式
2、
至第1退火模式一级子模式
n
任一种
,n
为大于等于1的自然数
。3.
如权利要求2所述的激光退火方法，其特征在于，所述接收目标退火模式选择指令步骤还包括；接收第2退火模式选择指令后，接收一级子模式选择指令；所述一级子模式包括第2退火模式一级子模式
1、
第2退火模式一级子模式
2、
至第2退火模式一级子模式
m
任一种
,m
为大于等于1的自然数
。4.
如权利要求1所述的激光退火方法，其特征在于，所述第1退火模式为全扫描退火模式，所述第2退火模式为局部退火模式
。5.<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，
申请(专利权)人：瑶光半导体浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：