半导体装置的制造方法及半导体制造装置制造方法及图纸

提供半导体装置的制造方法及制造装置，即使对于产生了裂缝的基板，也能够对不良情况进行抑制，并且进行激光退火处理。对在基板的主面产生的裂缝进行检测，以向包含检测出的裂缝的裂缝区域内的单位面积照射的退火用的激光的光量的时间积分小于向与裂缝区域不同的区域内的单位面积照射的激光的光量的时间积分的方式，使激光在基板的主面之上扫描，对基板进行激光退火处理。进行激光退火处理。进行激光退火处理。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法及半导体制造装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造方法及半导体制造装置。

技术介绍

[0002]作为半导体装置的制造工序之一的激光退火工序是使用激光局部地对半导体基板进行加热而进行例如半导体层的激活的工序。当前，为了应对低损耗的市场要求，正在推进半导体基板的薄膜化。
[0003]在专利文献1中公开了对被加工基板进行激光切割的技术。在专利文献1中，为了避免激光照射的重复，在激光通过一度照射过的区域时，将激光阻断。
[0004]专利文献1：日本特开2014
‑
11358号公报
[0005]由于通过薄膜化工序使基板变薄，因此如果在基板的一个主面产生裂缝，则该裂缝容易延伸至基板的另一个主面。如果通过激光退火将激光照射至一个主面的裂缝，则激光容易到达基板的另一个主面，基板的另一个主面被不必要地加热。由于该加热，例如在对基板的另一个主面进行支撑的工作台和基板之间有可能产生熔接等不良情况。
[0006]为了消除这样的不良情况，考虑预先将产生了裂缝的基板废弃，仅对未产生裂缝的基板进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其中，对在基板的主面产生的裂缝进行检测，以向包含检测出的所述裂缝的裂缝区域内的单位面积照射的退火用的激光的光量的时间积分小于向与所述裂缝区域不同的区域内的单位面积照射的所述激光的光量的时间积分的方式，使所述激光在所述基板的所述主面之上扫描，对所述基板进行激光退火处理。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在进行所述激光退火处理时，金属制的冷却工作台在对所述基板的与所述主面相反侧的主面进行支撑的同时进行冷却。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，使对所述激光的通过及阻断进行切换的激光开闭装置的切换动作、由扫描部实现的所述激光的扫描同步，避免向所述裂缝区域照射所述激光，并且使所述激光在所述基板的所述主面之上扫描，进行所述激光退火处理。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，通过使与沿扫描线的...

【专利技术属性】
技术研发人员：三神和章，石井智洋，中村胜光，金田和德，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：