【技术实现步骤摘要】
激光照射装置以及半导体器件制造方法
[0001]本申请是申请号为201780062257.1，申请日为2017年7月14日，专利技术名称为“激光照射装置以及半导体器件制造方法”的专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及一种激光照射装置以及半导体器件制造方法。举例而言，本专利技术涉及一种通过以激光照射形成于基片上的非晶膜而进行激光退火处理的激光照射装置，并涉及一种半导体器件制造方法。
技术介绍
[0003]一种已知的激光退火装置通过以激光照射形成于硅片或玻璃基片的非晶膜而使该非晶膜结晶化。专利文献1和专利文献2均公开一种激光退火装置，该装置通过使激光通过狭缝而阻挡与激光光轴垂直的激光截面上强度较低的边缘部分激光，并将所获得的具有均匀强度的激光用作照射光。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利第5717146号
[0007]专利文献2：日本专利第5907530号
技术实现思路
[0008]本专利技术解决的技术问题
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光照射装置，其特征在于，包括：一光学系统模块，用于向一照射对象发射激光；第一遮光板，所述第一遮光板内形成有供所述激光通过的第一狭缝，所述第一遮光板朝所述光学系统模块弯曲；以及一反射光接收部件，设于所述光学系统模块与所述第一遮光板之间，其中，所述反射光接收部件能够接收所述激光中被所述第一遮光板反射的第一反射光。2.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，还包括第二遮光板，所述第二遮光板内形成有第二狭缝，供已通过所述第一狭缝的所述激光通过，其中，所述反射光接收部件能够接收所述激光中被所述第二遮光板反射的第二反射光。3.根据权利要求1或2所述的激光照射装置，其特征在于，所述反射光接收部件包括一冷却套管，所述冷却套管包括供冷却剂流动的一冷却剂通道。4.根据权利要求1或2所述的激光照射装置，其特征在于，所述反射光接收部件包括设于光学系统模块侧的一隔热气层，所述隔热气层含有空气。5.根据权利要求1或2所述的激光照射装置，其特征在于，所述反射光接收部件包括设于第一遮光板侧的一吸热元件，所述吸热元件用于吸收热量。6.根据权利要求5所述的激光照射装置，其特征在于，所述吸热元件的第一遮光板侧的表面上形成有一多层吸热膜，所述多层吸热膜包括多层用于吸收热量的吸热膜。7.根据权利要求6所述的激光照射装置，其特征在于，所述多层吸热膜针对所述第一反射光的入射角具有一预定容差。8.根据权利要求5所述的激光照射装置，其特征在于，所述吸热元件的第一遮光板侧的表面经过结霜工艺处理。9.根据权利要求5所述的激光照射装置，其特征在于，所述吸热元件的光学系统模块侧的表面上形成有一多层吸热膜，所述多层吸热膜包括多层用于吸收热量的吸热膜。10.根据权利要求5所述的激光照射装置，其特征在于，形成于所述吸热元件的第一遮光板侧的表面上且包括多层用于吸收热量的吸热膜的所述多层吸热膜的吸收率低于形成于所述吸热元件的光学系统模块侧的表面上的所述多层吸热膜的吸收率。11.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤大介，小田嶋保，清水良，町田政志，松岛达郎，
申请(专利权)人：JSW阿克迪纳系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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