本发明专利技术公开激光照射装置以及半导体器件制造方法，所述激光照射装置包括一光学系统模块，用于向一照射对象发射激光；第一遮光板，所述第一遮光板内形成有供所述激光通过的第一狭缝，所述第一遮光板朝所述光学系统模块弯曲；以及一反射光接收部件，设于所述光学系统模块与所述第一遮光板之间，其中，所述反射光接收部件能够接收所述激光中被所述第一遮光板反射的第一反射光。板反射的第一反射光。板反射的第一反射光。
【技术实现步骤摘要】
激光照射装置以及半导体器件制造方法
[0001]本申请是申请号为201780062257.1，申请日为2017年7月14日，专利技术名称为“激光照射装置以及半导体器件制造方法”的专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及一种激光照射装置以及半导体器件制造方法。举例而言，本专利技术涉及一种通过以激光照射形成于基片上的非晶膜而进行激光退火处理的激光照射装置，并涉及一种半导体器件制造方法。
技术介绍
[0003]一种已知的激光退火装置通过以激光照射形成于硅片或玻璃基片的非晶膜而使该非晶膜结晶化。专利文献1和专利文献2均公开一种激光退火装置，该装置通过使激光通过狭缝而阻挡与激光光轴垂直的激光截面上强度较低的边缘部分激光，并将所获得的具有均匀强度的激光用作照射光。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利第5717146号
[0007]专利文献2：日本专利第5907530号
技术实现思路
[0008]本专利技术解决的技术问题
[0009]在专利文献1和专利文献2公开的激光退火装置中，与激光光轴垂直的激光截面上的边缘部分激光无法通过狭缝，并被形成所述狭缝的遮光部分阻挡。可以想到的是，被遮光部分阻挡的激光会被该遮光部分反射。
[0010]可以想到的是，被遮光部分反射的反射光会抵达激光退火装置的光学系统模块，从而对该光学系统模块造成使该光学系统模块温度升高等负面作用。在该情况下，所述光学系统模块的外壳将因热应力而变形，从而导致该光学系统模块内设置的各光学元件发生位置偏差。可以想到的是，如此，用于使非晶膜结晶化的激光将发生不均匀照射，从而可能无法实施稳定的结晶化处理。
[0011]此外，经通过狭缝的激光被非晶膜或基片反射后的反射光以相反方向通过狭缝，并同样抵达光学系统模块。可以想到的是，如此，可导致与上述遮光部分反射的反射光类似的不均匀照射。
[0012]根据本说明书的描述以及附图，其他待解决的问题以及新颖特征将变得容易理解。
[0013]解决问题的技术手段
[0014]一种实施方式的激光照射装置包括：用于向照射对象发射激光的光学系统模块；第一遮光板，该第一遮光板内形成供激光通过的第一狭缝，所述第一遮光板朝所述光学系
统模块弯曲；以及设于所述光学系统模块和第一遮光板之间的反射光接收部件，其中，该反射光接收部件能够从所述激光中接收所述第一遮光板发射的第一反射光。
[0015]一种实施方式的半导体器件制造方法包括如下步骤：(A)光学系统模块向基片发射激光，该基片上形成有含半导体的膜；(B)提供第一遮光板，该第一遮光板内形成供所述激光通过的第一狭缝，并使得发射于所述第一狭缝和第一遮光板上的所述激光当中发射至该第一狭缝上的激光部分通过该第一狭缝，其中，所述第一遮光板朝所述光学系统模块弯曲；(C)由所述第一遮光板阻挡发射于所述第一狭缝和第一遮光板上的所述激光当中发射至该第一遮光板上的激光部分；(D)在所述光学系统模块和第一遮光板之间设置反射光接收部件，并使得该反射光接收部件接收第一反射光，该第一反射光为所述激光发射至所述第一遮光板并被该第一遮光板反射后形成的光；以及(E)以发射至所述第一狭缝和第一遮光板上的激光当中已经通过该第一狭缝的激光照射所述基片。
[0016]本专利技术的有益效果
[0017]根据上述实施方式，可提供一种能够防止不均匀照射并实施稳定结晶化处理的激光照射装置和半导体器件制造方法。
附图说明
[0018]图1为第一实施方式激光照射装置一例的截面图。
[0019]图2为第一实施方式激光照射装置主体部分一例的截面图。
[0020]图3为图2激光照射装置主体部分沿切割线A
‑
A的截面图。
[0021]图4为图2激光照射装置主体部分沿切割线B
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B的截面图。
[0022]图5为第一实施方式激光照射装置中激光与狭缝间关系一例的透视图。
[0023]图6为采用第一实施方式激光照射装置的激光照射方法一例的流程图。
[0024]图7为比较例激光照射装置一例的截面图。
[0025]图8为激光施加至基片后该基片上的例示激光形状放大视图。
[0026]图9为第二实施方式激光照射装置主体部分一例的截面图。
[0027]图10为第二实施方式反射光接收部件一例的截面图。
[0028]图11为图10反射光接收部件沿切割线C
‑
C的截面图。
[0029]图12为第三实施方式激光照射装置主体部分一例的截面图。
[0030]图13为第三实施方式反射光接收部件一例的截面图。
[0031]图14为第三实施方式吸热元件一例的截面图。
[0032]图15为第四实施方式半导体器件制造方法一例的截面图。
[0033]图16为有机EL显示器概略截面图，其中，该有机EL显示器的像素电路以简化方式示出。
[0034]附图标记列表
[0035]1，101激光照射装置
[0036]10 光源
[0037]20 光学系统模块
[0038]21 光学系统外壳
[0039]22 反射镜
[0040]23密封窗
[0041]30密封部分
[0042]31密封壳体
[0043]33密封窗
[0044]34进气口
[0045]35出气口
[0046]37气体
[0047]40处理腔室
[0048]41容气盒
[0049]42入口窗
[0050]43照射窗
[0051]44进气口
[0052]45基片台
[0053]46底台
[0054]47扫描装置
[0055]48水平底座
[0056]49传输方向
[0057]51，51a，51b遮光板
[0058]52，52a，52b遮光板
[0059]54狭缝
[0060]55狭缝
[0061]57反射镜
[0062]58隔热材料
[0063]59a，59b多层吸热膜
[0064]61，62，63反射光接收部件
[0065]62a，63a主体部分
[0066]62b，63b隔热气层
[0067]62c，63c冷却剂通道
[0068]63d吸热元件
[0069]71遮光板
[0070]72水平部分
[0071]73倾斜部分
[0072]201玻璃基片
[0073]202栅电极
[0074]203栅极绝缘膜
[0075]204非晶硅膜
[0076]205多晶硅膜
[0077]206层间绝缘膜
[0078]207a源电极
[0079]207b 漏电极
[0080]300有机EL显本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光照射装置，其特征在于，包括：一光学系统模块，用于向一照射对象发射激光；第一遮光板，所述第一遮光板内形成有供所述激光通过的第一狭缝，所述第一遮光板朝所述光学系统模块弯曲；以及一反射光接收部件，设于所述光学系统模块与所述第一遮光板之间，其中，所述反射光接收部件能够接收所述激光中被所述第一遮光板反射的第一反射光。2.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，还包括第二遮光板，所述第二遮光板内形成有第二狭缝，供已通过所述第一狭缝的所述激光通过，其中，所述反射光接收部件能够接收所述激光中被所述第二遮光板反射的第二反射光。3.根据权利要求1或2所述的激光照射装置，其特征在于，所述反射光接收部件包括一冷却套管，所述冷却套管包括供冷却剂流动的一冷却剂通道。4.根据权利要求1或2所述的激光照射装置，其特征在于，所述反射光接收部件包括设于光学系统模块侧的一隔热气层，所述隔热气层含有空气。5.根据权利要求1或2所述的激光照射装置，其特征在于，所述反射光接收部件包括设于第一遮光板侧的一吸热元件，所述吸热元件用于吸收热量。6.根据权利要求5所述的激光照射装置，其特征在于，所述吸热元件的第一遮光板侧的表面上形成有一多层吸热膜，所述多层吸热膜包括多层用于吸收热量的吸热膜。7.根据权利要求6所述的激光照射装置，其特征在于，所述多层吸热膜针对所述第一反射光的入射角具有一预定容差。8.根据权利要求5所述的激光照射装置，其特征在于，所述吸热元件的第一遮光板侧的表面经过结霜工艺处理。9.根据权利要求5所述的激光照射装置，其特征在于，所述吸热元件的光学系统模块侧的表面上形成有一多层吸热膜，所述多层吸热膜包括多层用于吸收热量的吸热膜。10.根据权利要求5所述的激光照射装置，其特征在于，形成于所述吸热元件的第一遮光板侧的表面上且包括多层用于吸收热量的吸热膜的所述多层吸热膜的吸收率低于形成于所述吸热元件的光学系统模块侧的表面上的所述多层吸热膜的吸收率。11.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤大介，小田嶋保，清水良，町田政志，松岛达郎，
申请(专利权)人：JSW阿克迪纳系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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