半导体的切割方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体的切割方法，包括：将半导体固定在UV胶带的粘性层上；控制激光器对所述半导体的切割道进行激光束照射，以将所述半导体分离成多个单元；控制紫外线灯对所述UV胶带照射第一预设时间，以使所述粘性层减粘；将所述多个单元与所述UV胶带分离。采用本发明专利技术实施例，能够减少半导体的边缘崩裂以及因应力过大引起的受力变型的现象发生。因应力过大引起的受力变型的现象发生。因应力过大引起的受力变型的现象发生。

【技术实现步骤摘要】
半导体的切割方法


[0001]本专利技术涉及微电子加工
，尤其涉及一种半导体的切割方法。

技术介绍

[0002]随着电子行业日新月异的发展，对于半导体的尺寸要求越来越小，就要求有更加薄的半导体切割技术。传统的切割方式是将半导体长形条粘贴在具有切割道的陶瓷夹具上，夹具上有沟槽，沟槽的深度通常为5.0mm，磨轮切割时通过切割道，磨轮的刃口通常深入沟槽0.5
‑
3.0mm，即磨轮在通过切割道的沟槽时，多处于没有接触到沟槽的底部的悬空状态，产生振动，从而容易造成半导体的边缘崩裂，以及因应力过大引起的受力变型。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体的切割方法，能够减少半导体的边缘崩裂以及因应力过大引起的受力变型的现象发生。
[0004]本专利技术一实施例提供一种半导体的切割方法，包括：
[0005]将半导体固定在UV胶带的粘性层上；
[0006]控制激光器对所述半导体的切割道进行激光束照射，以将所述半导体分离成多个单元；
[0007]控制紫外线灯对所述UV胶带照射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体的切割方法，其特征在于，包括：将半导体固定在UV胶带的粘性层上；控制激光器对所述半导体的切割道进行激光束照射，以将所述半导体分离成多个单元；控制紫外线灯对所述UV胶带照射第一预设时间，以使所述粘性层减粘；将所述多个单元与所述UV胶带分离。2.如权利要求1所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述将半导体固定在UV胶带的粘性层上，包括：控制紫外线灯对UV胶带照射第二预设时间，以使所述UV胶带的粘性层的粘度从初始粘度降低至目标粘度；将半导体粘在所述粘性层上，并控制紫外线灯对所述UV胶带照射第三预设时间，以使所述粘性层固化。3.如权利要求2所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述粘性层的厚度为0.3
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0.5mm，所述初始粘度为20
‑
25N/in。4.如权利要求3所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述第二预设时间为5
‑
7s，所述目标粘度为13
‑
15N/in。5.如权利要求2所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述第三预设时间为95
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨圣合，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：