【技术实现步骤摘要】
晶片的制造方法和磨削装置
[0001]本专利技术涉及晶片的制造方法和磨削装置。
技术介绍
[0002]在专利文献1所公开的技术中，从圆柱状的SiC的锭的上表面侧照射对于SiC具有透过性的波长的激光光线，使会聚在规定的深度的聚光点与上表面平行地移动。由此，形成包含改质层和从改质层延伸的裂纹的剥离层，以剥离层为起点，将圆板状的工件剥离。对该工件进行磨削，由此从锭制造晶片。
[0003]在使用该技术制造晶片时，在结束了从锭获取多个工件之后，对新的锭照射激光光线而获取工件。此时，在照射至新的锭的激光光线的输出与照射至之前的锭的激光光线的输出相同的情况下，有时剥离层变薄或者变厚。
[0004]在剥离层较薄的情况下，由于从锭的上表面观察时彼此相邻的裂纹未连接等，因此难以剥离工件。另一方面，在剥离层较厚的情况下，剥离而获取的工件变薄、或者能够从锭获取的工件的张数变少。
[0005]为了解决这样的问题，调整激光光线的输出而使剥离层成为预先设定的规定的厚度。即，每当锭改变时，都对剥离层的厚度进行测量。
[000...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片的制造方法，从锭的一个面侧照射对于锭具有透过性的激光光线，使会聚至规定的深度的激光光线的聚光点与该一个面平行地移动而形成剥离层，利用磨削磨具对以该剥离层为起点进行剥离而获取的板状的工件进行磨削而制造晶片，其中，该晶片的制造方法具有如下的工序：输出调整工序，在该锭中形成调整用剥离层，将作为残留在以该调整用剥离层为起点剥离出的调整用工件上的剥离层的第1残留剥离层去除，进行照射至该锭的激光光线的输出调整；工件获取工序，将进行了该输出调整的激光光线照射至该锭而形成剥离层，以该剥离层为起点而从该锭剥离工件，由此获取在一个面上具有第1残留剥离层的工件；以及磨削工序，对去除了该第1残留剥离层的该调整用工件和具有该第1残留剥离层的该工件的两面进行磨削，制造规定的厚度的晶片。2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，该输出调整工序包含如下的工序：第1厚度测量工序，对形成该调整用剥离层之前的该锭的厚度即第1厚度进行测量；第1剥离层形成工序，在该锭中形成该调整用剥离层；第1剥离工序，以该调整用剥离层为起点而从该锭剥离调整用工件；第1锭磨削工序，利用剥离层磨具将作为残留在该锭上的剥离层的第2残留剥离层磨削去除；第2厚度测量工序，对磨削去除了该第2残留剥离层的该锭的厚度即第2厚度进行测量；工件磨削工序，利用该剥离层磨具将从该锭剥离的该调整用工件的该第1残留剥离层磨削去除；第3厚度测量工序，对磨削去除了该第1残留剥离层的该调整用工件的厚度即第3厚度进行测量；调整用剥离层厚度测量工序，通过从该第1厚度减去该第2厚度和该第3厚度而测量该调整用剥离层的厚度；以及调整工序，按照使通过该调整用剥离层厚度测量工序测量的该调整用剥离层的厚度成为预先设定的厚度的方式，调整激光光线的输出。3.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，该工件获取工序包含如下的工序：第2剥离层形成工序，对该锭照射进行了该输出调整的激光光线而形成剥离层；第2剥离工序，获取以该剥离层为起点剥离出的具有第1残留剥离层的工件和将该工件剥离而残留的具有第2残留剥离层的该锭；第2锭磨削工序，在该第2剥离工序之后，将该锭的该第2残留剥离层磨削去除；以及重复工序，重复进行该第2剥离层形成工序、该第2剥离工序以及该第2锭磨削工序，获取具有该第1残留剥离层的工件。4.根据权利要求3所述的晶片的制造方法，其中，该工件获取工序包含使通过该重复工序获取的具有该第1残留剥离层的工件和在该输出调整工序中获取的去除了该第1残留剥离层的该调整用工件混合存在于盒中的过程。5.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，
该磨削工序包含如下的工序：保持工序，利用卡盘工作台的保持面对在一个面上具有该第1残留剥离层的工件的另一面进行保持；剥离层磨削工序，利用剥离层磨具将该保持面所保持的该工件的该第1残留剥离层磨削去除；以及精磨削工序，利用精加工磨具将形成于由该剥离层磨具磨削后的该工件的两面的磨削痕磨削去除。6.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，该磨削工序包含判断在该工件的一个面上有无第1残留剥离层的剥离层有无判断工序，在判断为具有该第1残留剥离层时，在利用剥离层磨具将该工件的该第1残留剥离层磨削去除之后，利用精加工磨具对该工件的两面进行磨削，另一方面，在判断为没有该第1残留剥离层时，不实施该剥离层磨具的磨削而利用精加工磨具对该工件的两面进行磨削。7.根据权利要求6所述的晶片的制造方法，其中，该剥离层有无判断工序包...
【专利技术属性】
技术研发人员：福士畅之，黑川浩史，山下真司，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：
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