一种激光退火方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种激光退火方法及系统，涉及集成电路制造领域。其中，该方法包括：使用第一激光模块向晶圆发射波长为第一波长的第一激光束，使用第二激光模块向晶圆发射波长为第二波长的第二激光束；测量晶圆对第二波长和第一波长的激光束的反射率，并获得反射率比值；测量晶圆的退火温度；根据测得的退火温度和目标退火温度，确定目标总功率，并根据反射率比值和目标总功率，调节第一激光模块和第二激光模块的功率。该方法，晶圆对两个波长的激光束的反射率在一定程度上互补，从而能够改善图案效应，进而改善晶圆的退火温度均匀性，而根据退火温度和反射率的测量结果调节功率，则纠正了晶圆的退火温度不均，进一步提高了晶圆的退火温度均匀性。温度均匀性。温度均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种激光退火方法及系统


[0001]本专利技术涉及集成电路制造的
，具体而言，涉及一种激光退火方法及系统。

技术介绍

[0002]图案效应所引起的晶圆内部退火温度不均一直是激光退火领域的一大挑战，随着集成电路的发展，对退火温度均匀性的要求也越来越高，高端集成电路甚至需要全片
±
1摄氏度的温度均匀性，为此，业内提出了采用波长远超晶圆膜厚的中红外激光退火，从而降低薄膜干涉——图案效应之一带来的退火温度不均，但这是远远不够的，晶圆内的温度变化幅度仍有几十摄氏度之巨，退火温度均匀性仍不佳。

技术实现思路

[0003]本专利技术的第一个目的在于提供一种激光退火方法，以解决现有技术中存在的晶圆内部退火温度均匀性不佳的技术问题。
[0004]本专利技术提供的激光退火方法，包括如下步骤：
[0005]使用第一激光模块向晶圆发射波长为第一波长的第一激光束，使用第二激光模块向晶圆发射波长为第二波长的第二激光束，且所述第二波长与所述第一波长不同；
[0006]测量晶圆对所述第二波长和所述第一波长的激光束本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光退火方法，其特征在于，包括如下步骤：使用第一激光模块(300)向晶圆(900)发射波长为第一波长的第一激光束，使用第二激光模块(400)向晶圆(900)发射波长为第二波长的第二激光束，且所述第二波长与所述第一波长不同；测量晶圆(900)对所述第二波长和所述第一波长的激光束的反射率，并获得反射率比值；测量晶圆(900)的退火温度；根据测得的退火温度和目标退火温度，确定目标总功率，并根据所述反射率比值和所述目标总功率，调节所述第一激光模块(300)和所述第二激光模块(400)的功率，以使晶圆(900)的退火温度稳定在所述目标退火温度。2.根据权利要求1所述的激光退火方法，其特征在于，所述根据所述反射率比值和所述目标总功率，调节所述第一激光模块(300)和所述第二激光模块(400)的功率中，将所述第一激光模块(300)和所述第二激光模块(400)的功率分别调节为：其中，P为目标总功率，P1为所述第一激光模块(300)的目标功率，P2为所述第二激光模块(400)的目标功率；R为所述反射率比值，R1为晶圆(900)对所述第一波长的激光束的反射率，R2为晶圆(900)对所述第二波长的激光束的反射率。3.根据权利要求1或2所述的激光退火方法，其特征在于，所述第一激光束和所述第二激光束在晶圆(900)的表面均汇聚为线光斑，两个所述线光斑平行且沿宽度方向有重叠。4.根据权利要求1或2所述的激光退火方法，其特征在于，所述激光退火方法，还包括：获取晶圆(900)的位置和速度信息，并根据所述位置和速度信息，调节晶圆(900)的运动速度，使所述第一激光束和所述第二激光束在晶圆(900)的驻留时间均在100us～1000us之间。5.根据权利要求1或2所述的激光退火方法，其特征在于，所述测量晶圆(900)对所述第二波长和所述第一波长的激光束的反射率时，使用独立光源进行测量，所述独立光源发射的测量光束的光谱包括所述第一波长和所述第二波长，且除波长外，所述独立光源发射的测量光束的其他参数相同。6.根据权利要求1或2所述的激光退火方法，其特征在于，用于测量晶圆(900)的退火温度的测量光束的波长与所述第一波长和所述第二波长均不同。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：王福亮，周炯，王佳，王志远，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：