【技术实现步骤摘要】
一种晶圆承载框及晶圆分片装置
[0001]本专利技术涉及处理半导体的设备
，具体为一种晶圆承载框及晶圆分片装置
。
技术介绍
[0002]晶圆生产工艺中，在其一面涂抹磷源并烘干之后，为了让磷源扩散到晶圆片内部，需要将晶圆送入高温炉内进行烧结
。
为了降低成本提高单炉产品量，以及防止正面的磷源挥发跑去背面，因此烧结时通常会将晶圆堆叠放置，在烧结之后晶圆片之间相互粘连，整体呈圆柱体状，需要浸泡在氢氟酸中进行分片处理，以使晶圆分离
。
现有分片处理工艺采用静止的方式进行浸泡，分片时间较长；另一方面，在浸泡时通常采用固定结构的篮子或框架对已经烧结在一起的晶圆柱体进行放置，导致无法直接目视观察分片进度，需要时不时地将篮子或框架提起后，再用手或工具拨动一下晶圆，才能确定分片工作是否完成，如果没有完全分离，则还需继续放入浸泡池进行浸泡，过程较为漫长且繁琐
。
[0003]经检索专利
CN115881596B
公开了晶圆承载框及晶圆分片装置，其包括从上至下呈间隔设...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种晶圆承载框，其特征在于，包括对称并竖直设置的左限位板和右限位板，以及设置在左限位板和右限位板底部之间的承载部，左限位板
、
右限位板及承载部围成了用于放置烧结后呈柱状晶圆的承载腔；所述承载部包括沿承载腔长度方向交错穿插设置的若干个第一隔板和若干个第二隔板，第一隔板和第二隔板均竖直设置并与左限位板和右限位板垂直，若干个第一隔板均匀固定在左限位板上，若干个第二隔板均匀固定在右限位板上，第一隔板的顶部具有朝向左限位板斜上方的第一斜面，第二隔板的顶部具有朝向右限位板斜上方的第二斜面，若干个第一隔板和若干个第二隔板之间具有重叠部分和未重叠部分，第一隔板相邻未重叠部分之间形成右分片腔，第二隔板相邻未重叠部分之间形成左分片腔，相邻第一隔板之间的间距和相邻第二隔板之间的间距均与晶圆的厚度适配，左限位板与右限位板之间的间距小于两块晶圆的直径之和
。2.
根据权利要求1所述的晶圆承载框，其特征在于，所述第一斜面和第二斜面的两侧均开设有导向斜面
。3.
根据权利要求2所述的晶圆承载框，其特征在于，所述第一隔板和第二隔板之间横向滑动配合，且左限位板和右限位板沿水平方向能进行相背然后相向的往复移动
。4.
根据权利要求3所述的晶圆承载框，其特征在于，若干个第一隔板和若干个第二隔板的重叠部分中部均贯穿开设有椭圆通孔，且椭圆通孔的长轴与水平方向平行，椭圆通孔的中心设有转动轴，转动轴上沿其长度方向均匀间隔设置有第一凸起和第二凸起，第...
【专利技术属性】
技术研发人员：张孝忠，田文超，
申请(专利权)人：山东汉芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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