【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像处理和光刻
,具体为一种将GDSII文件转换为无掩模光 刻机曝光数据的方法。
技术介绍
光刻技术是用于在衬底表面上印刷具有一定特征的构图。这样的衬底可用做制造 半导体器件、多种集成电路、平面显示器(例如液晶显示器)、电路板、生物芯片、微机械电 子芯片、光电子线路芯片等的基片。经常使用的基片为表面涂有光敏感介质的半导体晶片 或玻璃基片。在光刻过程中,晶片放置在晶片台上,通过处在光刻设备内的曝光装置,将特征构 图投射到晶片表面。半导体行业使用的传统分步重复式或分步扫描式光刻工具,利用分划 板将特征构图在各个场一次性的投影或扫描到晶片上,一次曝光或扫描一个场。然后通过 移动晶片来对下一个场进行重复性的曝光过程。传统的光刻系统通过重复性曝光或扫描过 程,实现高产出额的精确特征构图的印刷。为了在晶片上制造器件,需要多个分划板。由于特征尺寸的减少以及对于较小特 征尺寸的精确公差需求的原因,这些分划板对于生产而言成本很高,耗时很长,从而使利用 分划板的传统晶片光刻制造成本越来越高,非常昂贵。无掩模(如直接写或数字式等)光刻系统相对于传统使用分划板的方法 ...
【技术保护点】
一种将GDSII文件转换为无掩模光刻机曝光数据的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)在计算机中,将待曝光的GDSII文件原图转换为只包含多个多边形的矢量图形,并以任意点为原点建立二维坐标系;(2)将步骤(1)得到的矢量图形分别按水平和竖直方向分割为多个面积相等的曝光区域;(3)采用四叉图形搜索树,将所述矢量图形中的所有多边形分别划分到其所在的曝光区域中;(4)采用四叉树图形分割法,将每个曝光区域中的多边形分别分解为矩形,分解得到的矩形的长度是x方向分辨率降低系数的整数倍,分解得到的矩形的宽度是y方向分辨率降低系数的整数倍;(5)将每个曝光区域中的矩形按照x方向偏移量和y方 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋兴华,李辉,李显杰,
申请(专利权)人:芯硕半导体中国有限公司,
类型:发明
国别省市:34[中国|安徽]
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