一种制造技术

本发明专利技术属于靶材制备技术领域，公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种CoZrTa靶材退火校平方法


[0001]本专利技术涉及靶材制备
，具体涉及一种
CoZrTa
靶材退火校平方法
。

技术介绍

[0002]CoZrTa
合金由于其优良的软磁特性，被广泛应用于新一代信息技术产业，尤其在磁记录材料领域，常被用作
VTR
磁头，因此制备高纯的钴锆钽靶材尤为重要
。
在实际制备
CoZrTa
靶材的过程中，尤其是当大长宽比
、
厚度薄的大尺寸
CoZrTa
靶材加工至成品阶段后，靶材极易发生弯曲，导致平面度不合格的情况，从而出现了较多的不合格靶材，需要重新回收
、
提纯原料并重新制作高纯的钴锆钽靶材，这样会大大提升了生产成本并且影响了生产效率；因此需要研发一种对不合格靶材进行校平的方法，将一些可以矫正的不合格靶材校平成为合格的产品
。
[0003]由于
CoZrTa
靶材相关的技术较少，因此在研发过程中需要借鉴其他领域的产品校平技术来进行研发，如
D1
：中国专利
201310229373.1
公开了一种盘状板件校平装置及校平方法
。
盘状板件校平装置的炉体位于龙门架内，并固定在龙门架的炉体安装台上
。
液压缸固定在炉体的上横梁上
。
液压缸的液压缸活塞的下端穿位于炉体内，上部压头固定在液压缸活塞的下端面
。
平行度调整台位于炉体内，并固定在承力柱的上端面，下部压头位于平行度调整台的上表面
。
上部压头的表面与下部压头的表面相对应
。
三条电炉丝均布在炉体内壁圆周上，并且各电炉丝的两端分别与炉体外部相对应的一组电极焊接
。
三组电极均布在炉体上
。
校平中采用氮气保护气体，并实时监测和调节各项参数，使校平合格率提高至
95
％，并具有结构简单，操作方便的通道
。
[0004]上述专利采用对盘状板件进行加压后再加热保温的技术手段，将盘状板件校平后通过循环水冷却快速降温
。
[0005]但是采用上述专利的技术方案校平靶材的过程中，靶材会出现以下状况：
[0006]由于热胀冷缩的现象，高温会使靶材尺寸变大，若压力太小，不足以抵消靶材膨胀所产生的力，靶坯凸起，达不到校平靶材的效果，校平后靶材依然会变形或者尺寸不合格等问题，大大降低了生产效率和提升了生产成本；而如果一味地增加压力，压力过大会导致靶材过载而被压扁
。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的之一在于，提供一种
CoZrTa
靶材退火校平方法，以解决现有技术没有针对靶材的退火校平进行研发，难以校平靶材的技术问题，该方法有效校平靶材，大大提升了生产效率和降低了
CoZrTa
靶材的生产成本
。
[0008]为实现上述目的，本专利技术提供了一种
CoZrTa
靶材退火校平方法，包括如下步骤：
[0009]步骤1：将靶材至于热压炉内，在炉门开启的情况下启动上压头将待矫正靶材压制平整，记录上压头的行程位移
G1
；
[0010]步骤2：关闭炉门，抽真空至炉内压力
≤0.1Pa
，以
50
～
100℃/h
的升温速率升温至
1050℃
，然后保温6～
7h
；
[0011]步骤3：冷却靶材至室温得到矫正完成的靶材；
[0012]其中，在所述步骤2中，需要不断调整上压头施加给靶材的压力以使过程中上压头的行程位移
G2
在
G1
‑
0.5mm
～
G1+0.5mm
之间且确保上压头施加给靶材的压力＜
10t。
[0013]优选的，所述待矫正靶材的可加工余量＜
0.5mm。
[0014]进一步的，所述步骤3包括如下具体步骤：
[0015]步骤
31
：保温完成后维持炉内压力
≤0.1Pa
的情况下将待矫正靶材随炉自然冷却至
250
～
300℃
；
[0016]步骤
32
：持续通入惰性气体吹扫冷却靶材至室温得到矫正完成的靶材
。
[0017]优选的，所述靶材的长
≥460mm
，宽
≤110mm
，厚度
≤15mm。
[0018]有益效果
[0019]与现有技术相比，本专利技术提供了一种
CoZrTa
靶材退火校平方法，通过在升温
、
保温的过程中不断地调整上压头的压力避免靶材因冷胀热缩现象导致靶材出现变形的情况，有效校平靶材，大大提高了
CoZrTa
靶材的生产效率和降低了
CoZrTa
靶材的生产成本
。
附图说明
[0020]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步地说明；
[0021]图1是本专利技术的实施例1的
CoZrTa
靶材图正视图；
[0022]图2是本专利技术的实施例2的
CoZrTa
靶材图正视图；
[0023]图3是本专利技术的实施例3的
CoZrTa
靶材图正视图；
[0024]图4是本专利技术的对比例1的
CoZrTa
靶材图正视图；
[0025]图5是本专利技术的对比例2的
CoZrTa
靶材图正视图；
[0026]图6是本专利技术的对比例3的
CoZrTa
靶材图正视图；
[0027]图7是本专利技术的对比例4的
CoZrTa
靶材图正视图；
[0028]图8是本专利技术的对比例5的
CoZrTa
靶材图俯视图；
[0029]图9是本专利技术的对比例6的
CoZrTa
靶材图俯视图；
[0030]图
10
是本专利技术的实施例1的
CoZrTa
靶材图的俯视图
。
具体实施方式
[0031]下面结合实施例，对本专利技术作进一步的描述，但不构成对本专利技术的任何限制，任何在本专利技术权利要求范围所做的有限次的修改，仍在本专利技术的权利要求范围内
。
[0032]为了详细说明本专利技术的
技术实现思路
，以下结合实施方式作进一步说明
。
[0033]实施例1[0034]一种
CoZrTa
靶材退火校平方法，包括如下步骤：
[0035]步骤1：将靶材至于热压炉内，在炉门开启的情况下启动上压头将待矫正靶材压制平整，记录上压头的行程位移
G1
；
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
CoZrTa
靶材退火校平方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将靶材至于热压炉内，在炉门开启的情况下启动上压头将待矫正靶材压制平整，记录上压头的行程位移
G1
；步骤2：关闭炉门，抽真空至炉内压力
≤0.1Pa
，以
50
～
100℃/h
的升温速率升温至
1050℃
，然后保温6～
7h
；步骤3：冷却靶材至室温得到矫正完成的靶材；其中，在所述步骤2中，需要不断调整上压头施加给靶材的压力以使过程中上压头的行程位移
G2
在
G1
‑
0.5mm
～
G1+0.5mm
之间且确保上压头施加给靶材的压力＜
10t。2.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯潦，蔡新志，张磊，童培云，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：