富碘西瓜的栽培方法技术

本发明专利技术提供了一种富碘西瓜的栽培方法，该方法包括步骤：１）西瓜砧木种苗的培育；２）砧木播种４～７天后，对西瓜种子进行浸种处理；３）将浸种后的西瓜种子种植于育苗盘中，在温室中进行培育；４）待砧木苗为一叶一心期时，进行西瓜苗的嫁接，嫁接苗在温室中进行培育，育苗期为４０天左右；５）在西瓜嫁接苗定植之前，将含碘固体肥料与农家肥进行混合并一次性施入种植区土壤中，深翻；使用Ｎ、Ｐ、Ｋ复合肥作为基肥；６）在西瓜嫁接苗定植之后，在西瓜的不同生长时期喷施液体碘肥。采用本方法不仅能够直接栽培出富碘西瓜，同时可以改变土壤以及生物链中碘含量水平，能够有针对性的改变缺碘地区的生态环境，以更好的预防“碘缺乏病”的发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及农业种植领域，具体地说，涉及一种。
技术介绍
碘是人体不可少的微量营养元素之一，是在人类代谢中起重要作用的甲状腺合成 的重要成分，人体缺碘会导致碘缺乏病(IodineDeficiency Disorders，IDD)。人体内80% 的碘是通过食物摄入的，而土壤-作物系统中碘的严重缺乏导致了碘缺乏病的广泛流行。 据国际碘缺乏病防治委员会报道，目前全球有22亿人生活在缺碘地区，约占全球总人数的 38%。中国所有省市均有IDD，病区人口达到了 4. 25亿，严重影响了人民健康和社会发展。长期以来，国内对碘IDD采用传统补碘的方法，主要是以食盐加碘为主，肌肉注射 或口服碘油为辅的防治措施，取得了很好的效果。但食盐加碘在控制IDD流行的同时，其缺 陷也日益突显，如碘盐中无机碘不稳定易挥发，相当一部分的碘会在储运和烹调过程中损 耗，研究表明油煎碘盐可导致碘损失达到55. 6%以上。另一方面，碘具有双侧阈值，高碘和 低碘都会对人类机体产生不同性质和不同程度的生物学效应，摄入碘量过高同样会引起疾 病，如过敏或中毒。2004年相关统计表明，通过近十年的全民碘盐补碘后，一些城市如上海、 福州、吉林、丹东等地甲亢患者比补碘前上升了 0. 3 3. 0倍。因此，通过单一食盐加碘及 碘油措施来控制和预防IDD存在一定的负面效应。近年来，通过食用海带等富碘海产品在一定程度上克服了由于单一碘盐补碘带来 的负面效应，实践证明具有良好的补碘效果。然而，由于海产品数量有限，富碘海产品种类 单一，运输成本较高，加上个人在饮食生活上的习惯各异，通过海产品补碘也存在一定的劣 势。通过人为放大环境中的碘量，探索多种补碘方式，是从根本上解决这一问题的关键。研 究人员提出通过农业生物强化法补碘，通过农业措施增加农作物生长环境中的碘含量，提 高农产品的碘富集量，并通过食物链进入人体，达到防治IDD的目的，包括灌溉水补碘、作 物施碘、牲畜补碘或其他补碘措施。西瓜作为一种常见水果，其口感佳、品质好，受到广泛的赞誉；通过直接栽培出富 碘西瓜，可以同时改变土壤以及生物链中碘含量水平，能够有针对性的改变缺碘地区的生 态环境，以更好的预防“碘缺乏病”的发生。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，包括以下步骤1)将西瓜砧木种子用30 35°C温水浸种24 48小时，用浸湿的纱布包好，在 28 32°C环境下保湿催芽；然后，播种于营养钵中(培养基质为土壤与草炭按照重量比 3 1的混合物，或土壤与有机肥按照重量比5 1的混合物)，在温室中进行砧木种苗的 培育(温度20 28°C，湿度60 70%，普通日光光照)；2)砧木播种4 7天后，将西瓜种子置于容器中，加入85 95°C水以浸没种子， 搅动5 10秒后，加入冷水使浸种温度达到30 35°C，室温下浸种6 8个小时；3)将浸种后的西瓜种子种植于育苗盘中，育苗盘中培养基质为蛭石与草炭按照重量比1 1的混合物，在温室(温度25 28°C，湿度40 70%，普通日光光照)中进行培 育；4)待砧木苗为一叶一心期时，进行西瓜苗的嫁接，嫁接苗在温室(温度25 28°C，湿度40 70%，普通日光光照)中进行培育，育苗期为40天左右；5)在西瓜嫁接苗定植之前，将含碘固体肥料与农家肥进行混合并一次性施入种植 区土壤中，深翻；使用N、P、K复合肥作为基肥；6)在西瓜嫁接苗定植之后，在西瓜开花期、座果期、成熟期不同生长时期喷施碘浓 度为25 50mg/L的液体碘肥，每次IOL/亩。前述的栽培方法，其中所述步骤1)中西瓜砧木种子采用西瓜嫁接专用葫芦科植 物种子，包括葫芦种子、南瓜种子或葫芦与瓠瓜的杂交种子。前述的栽培方法，其中所述种子选自西瓜优良品种，包括京欣一号、京欣二号、京 欣三号或航兴一号等。前述的栽培方法，其中所述步骤4)中西瓜嫁接方法采用顶插接法或靠接法。前述的栽培方法，其中所述步骤1)中砧木苗种植用营养钵为软质塑料盆，其形状 为圆柱体，上Φ 10cm，下Φ8cm，高10cm，其底部具有Icm圆孔，可保证土壤中水分的自然流通ο前述的栽培方法，其中所述步骤5)中，农家肥的使用量为12 15m3/亩；N、P、K复 合肥的使用量为50 70kg/亩。前述的栽培方法，其中所述步骤5)中，将固体碘肥与农家肥按照一定比例进行混 合后，其中碘的含量为10 20mg/Kg，混合后施于土壤表面5 10cm。前述的栽培方法，其中所述步骤6)中，液体碘肥包括无机液体碘肥和有机液体碘 肥。前述的栽培方法，其中所述西瓜栽培为每垄两行种植，行距约为1. 2m，株距约为 0. 6m，垄距约为2. 4m。本专利技术的优点在于，采用本专利技术方法栽培的西瓜，西瓜品质良好，果瓤中富含有高 于其它西瓜的碘含量，另外，可以改变栽培土壤以及生物链中碘含量水平，能够有针对性的 改变缺碘地区的生态环境，以更好的预防“碘缺乏病”的发生，同时为富碘农产品的开发提 出了 一种新方式。附图说明图1为本专利技术实施例1-4富碘西瓜栽培的田间种植模式。 具体实施例方式以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。实施例1京欣一号西瓜的富碘化栽培具体方式为(1)将西瓜砧木种子用30 35°C温水浸种24 48小时，用浸湿的纱布包好，在 28 32 °C环境下保湿催芽；播种于营养钵中(上Φ 10cm,下Φ 8cm，高10cm)，在温室中进行砧木种苗的培育(温度20 28°C，湿度60 70%，普通日光光照)；(2)砧木播种7天后，将京欣一号西瓜种子置于搪瓷盆中，加入85°C水以浸没种子，搅动5 10秒后，加入冷水使浸种温度达到35°C，室温下浸种8个小时；(3)将浸种后的西瓜种子种植于育苗盘中，每穴播种1 2粒种子在温室(温度 25 28 °C，湿度50 70%，普通日光光照)中进行培育；(4)砧木苗为一叶一心期时，采用顶插接法进行西瓜苗的嫁接，嫁接苗在温室(温 度25 28°C，湿度40 70 %，普通日光光照)中进行培育，育苗期为40天左右；(5)在西瓜定植之前，将含碘固体肥料与农家肥进行混合(使其中碘含量为20mg/ Kg)并一次性施入种植区土壤中，深翻，混合后使其置于土壤8cm深度处；使用N、P、K复合 肥作为基肥；(6)农家肥的使用量为15m3/亩；N、P、K复合肥的使用量为50kg/亩；(N、P、K复 合肥购自山东三利农业科技发展有限公司)(7)在西瓜定植之后，可在西瓜开花期、座果期、成熟期喷洒碘浓度为50mg/L的液 体碘肥(液体碘肥购自山东三碘生化科技有限公司)，每次IOL/亩；(8)西瓜栽培为每垄两行种植，行距为1. 2m，株距为0. 6m，垄距为2. 4m，如图1所7J\ ο实施例2京欣二号西瓜的富碘化栽培(1)将西瓜砧木种子用30 35°C温水浸种24 48小时，用浸湿的纱布包好，在 28 32 °C环境下保湿催芽；播种于营养钵中(上Φ 10cm,下Φ 8cm，高10cm)，在温室中进 行砧木种苗的培育(温度20 28°C，湿度60 70%，普通日光光照)；(2)砧木播种7天后，将京欣二号西瓜种子置于搪瓷盆中，加入85°C水以浸没种 子，搅动5 10秒后，加入冷水使浸种温度达到35°C，室温下浸种8个小时；(3)将浸种后的西瓜种子种植于育本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种富碘西瓜的栽培方法，其特征在于，其包括以下步骤：１）将西瓜砧木种子用３０～３５℃温水浸种２４～４８小时，用浸湿的纱布包好，在２８～３２℃环境下保湿催芽；然后，播种于营养钵中，在温室中进行砧木种苗的培育，培养条件为温度２０～２８℃，湿度６０～７０％，普通日光光照；２）砧木播种４～７天后，将西瓜种子置于容器中，加入８５～９５℃水以浸没种子，搅动５～１０秒后，加入冷水使浸种温度达到３０～３５℃，室温下浸种６～８个小时；３）将浸种后的西瓜种子种植于育苗盘中，在温室中进行培育，培养条件为温度２５～２８℃，湿度４０～７０％，普通日光光照；４）待砧木苗为一叶一心期时，进行西瓜苗的嫁接，嫁接苗在温室中进行培育，培养条件为温度２５～２８℃，湿度４０～７０％，普通日光光照，育苗期为３８～４２天；５）在西瓜嫁接苗定植之前，将含碘固体肥料与农家肥进行混合并一次性施入种植区土壤中，深翻；使用Ｎ、Ｐ、Ｋ复合肥作为基肥；６）在西瓜嫁接苗定植之后，分别在西瓜开花期、座果期和成熟期喷施碘浓度为２５～５０ｍｇ／Ｌ的液体碘肥，每次７～１０Ｌ／亩。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩平，马智宏，潘立刚，栾云霞，王纪华，李云伏，
申请(专利权)人：北京市农林科学院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]