PVD制造技术

本实用新型专利技术提供

【技术实现步骤摘要】
PVD用载板以及PVD设备


[0001]本技术涉及太阳能电池制造领域，特别涉及
PVD
用载板以及
PVD
设备
。

技术介绍

[0002]薄膜
/
晶硅异质结太阳能电池
(
以下简称异质结太阳能电池，又可称
HIT
或
SHJ
太阳能电池
)
属于第三代高效太阳能电池技术，它结合了第一代晶硅与第二代硅薄膜的优势，具有转换效率高
、
温度系数低等特点，特别是双面的异质结太阳能电池转换效率可以达到
26
％以上，具有广阔的市场前景
。
[0003]在异质结太阳能电池制造中，需要通过物理气相沉积
(Physical Vapor Deposition
，
PVD)
设备进行
PVD
工艺，从而在经
PECVD
工艺形成的
P
型非晶硅及
N
型非晶硅上沉积透明导电膜
(TCO)。
随着异质结太阳能电池整线产能的不断提高，
PVD
设备也需不断提高产能
。
如图1所示，现有技术中的
PVD
用载板包括多个硅片承载板
1、
支撑杆2以及传动支撑板3，多个硅片承载板
1、
支撑杆2相互间隔排布且设置在两个传动支撑板3之间
。
如图2所示，其为沿图1中的剖切线<br/>A
‑
A
的剖视图，支撑杆2的横截面为圆形，硅片承载板1伸入支撑杆2的凹槽中并且通过诸如螺栓的固定件5固定在底座4上
。
随着硅片承载板1尺寸的增大，支撑杆2的支撑及抑制形变的作用逐渐减弱，
PVD
用载板整体形变能达到4‑
5mm。
此形变会加大所承载的硅片从载板中脱离及破碎的概率
。
[0004]因此，如何提供一种
PVD
用载板以及
PVD
设备，以降低
PVD
载板的变形量并能满足
PVD
产能不断增大的需求，已成为业内亟待解决的技术问题
。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的上述问题，本技术提出了一种
PVD
用载板，其包括设置在两个传动支撑板之间且相互间隔排布的多个硅片承载板以及支撑杆，所述支撑杆的横截面为菱形六边形或圆角长方形
。
[0006]在一实施例中，所述支撑杆为空心不锈钢杆，其壁厚范围为2‑
6mm
，所述菱形六边形的高度范围为
20
‑
50mm
，宽度范围为
20
‑
40mm
，菱形角的角度范围为
60
‑
120
度
。
[0007]在一实施例中，所述圆角长方形的高度小于所述菱形六边形的高度，所述圆角长方形的宽度大于所述菱形六边形的宽度，所述圆角长方形的高度范围为
20
‑
40mm
，宽度范围为
20
‑
50mm
，圆角的角度范围为
90
‑
150
度
。
[0008]在一实施例中，所述
PVD
用载板的长度范围为
2.5m
‑
3m
，其宽度范围为
2m
‑
2.5m
，重量范围为
100Kg
‑
150Kg。
[0009]在一实施例中，所述支撑杆在与硅片承载板相邻且平行的两侧面上开设有与硅片承载板边缘相匹配的凹槽，并在每侧凹槽下侧各设置有支持臂，所述硅片承载板的边缘伸入凹槽中并通过固定件固定在所述支持臂上
。
[0010]在一实施例中，所述支撑杆的长度范围为
2m
‑
2.5m
，所述支撑杆沿其长度方向均匀设置有5‑
10
对支持臂
。
[0011]在一实施例中，所述
PVD
用载板包括三个硅片承载板，每个硅片承载板上设置有以矩阵方式排列的硅片承载区，所述硅片承载区适于承载
156mm
×
156mm、166mm
×
166mm、182mm
×
182mm、91mm
×
182mm、105mm
×
210mm
或
210mm
×
210mm
尺寸的硅片
。
[0012]在一实施例中，所述传动支撑板构造为
C
形件或工字形件，其侧壁上对应所述支撑杆设置有第一方形固定块
。
[0013]在一实施例中，所述支撑杆的两端构造成第二方形固定块，所述第二方形固定块对应固定在所述
C
形件或工字形件的第一方形固定块上
。
[0014]本技术还提供一种
PVD
设备，其包括沉积腔以及设置在所述沉积腔中的
PVD
用载板，所述
PVD
用载板上承载有进行
PVD
工艺的硅片，所述
PVD
用载板为上述任一项所述的
PVD
用载板
。
[0015]与现有技术中支撑杆的横截面为圆形导致载板变形量较大相比，本技术的
PVD
用载板包括设置在两个传动支撑板之间且相互间隔排布的多个硅片承载板以及支撑杆，所述支撑杆的横截面为菱形六边形或圆角长方形
。
本技术的
PVD
用载板能降低载板变形量并能满足
PVD
产能不断增大的需求
。
附图说明
[0016]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本技术的上述特征和优点
。
在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记
。
[0017]图1为现有技术中的
PVD
用载板实施例的组成结构示意图
。
[0018]图2为沿图1中的剖切线
A
‑
A
形成的剖视示意图
。
[0019]图3为本技术的
PVD
用载板实施例的组成结构示意图
。
[0020]图4为
PVD
用载板实施例沿图3中的剖切线
B
‑
B
形成的剖视示意图
。
具体实施方式
[0021]以下结合附图和具体实施例对本技术作详细描述，以便更清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
PVD
用载板，其包括设置在两个传动支撑板之间且相互间隔排布的多个硅片承载板以及支撑杆，其特征在于，所述支撑杆的横截面为菱形六边形，所述菱形六边形的高度范围为
20
‑
50mm
，宽度范围为
20
‑
40mm
，菱形角的角度范围为
60
‑
120
度
。2.
根据权利要求1所述的
PVD
用载板，其特征在于，所述支撑杆为空心不锈钢杆，其壁厚范围为2‑
6mm。3.
根据权利要求2所述的
PVD
用载板，其特征在于，所述
PVD
用载板的长度范围为
2.5m
‑
3m
，其宽度范围为
2m
‑
2.5m
，重量范围为
100Kg
‑
150Kg。4.
根据权利要求1所述的
PVD
用载板，其特征在于，所述支撑杆在与硅片承载板相邻且平行的两侧面上开设有与硅片承载板边缘相匹配的凹槽，并在每侧凹槽下侧各设置有支持臂，所述硅片承载板的边缘伸入凹槽中并通过固定件固定在所述支持臂上
。5.
根据权利要求4所述的
PVD
用载板，其特征在于，所述支撑杆的长度范围为
2m
‑
2.5m
，所述支撑杆沿其长度方向均匀设置有5‑
10
对支持臂
。6.
根据权利要求1所述的
PVD
用载板，其特征在于，所述
PVD
用载板包括三个硅片承载板，每个硅片承载板上设置有以矩阵方式排列的硅片承载区，所述硅片承载区适于承载
156mm
×
156mm、166mm
×
166mm、182mm
×
182mm、91mm
×
182mm、105mm
×
210mm
或
210mm
×
210mm
尺寸的硅片
。7.
根据权利要求1所述的
PVD
用载板，其特征在于，所述传动支撑板构造为
C
形件或工字形件，其侧壁上对应所述支撑杆设置有第一方形固定块
。8.
根据权利要求7所述的
PVD
用载板，其特征在于，所述支撑杆的两端构造成第二方形固定块，所述第二方形固定块对应固定在所述
C
形件或工字形件的第一方形固定块上
。9.
一种
PVD
设备，其包括沉积腔以及设置在所述沉积腔中的
PVD
用载板，所述
PVD
用载板上承载有进行
PVD
工艺的硅片，其特征在于，所述
PVD<...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂文杰，徐升东，
申请(专利权)人：理想万里晖半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：