用于真空反应腔的抽气栅以及PECVD反应腔制造技术

本实用新型专利技术提供用于真空反应腔的抽气栅以及PECVD反应腔。所述用于真空反应腔的抽气栅包括长条状的本体以及多个贯穿本体、沿本体的长边并行排列的栅孔，所述栅孔的密度沿着本体长度方向从边缘向中部逐渐减小。所述PECVD反应腔包括位于腔顶的淋喷头以及位于腔体两侧的抽气栅，所述抽气栅为本实用新型专利技术所述的用于真空反应腔的抽气栅。本实用新型专利技术能改善真空镀膜的膜厚均一性。镀膜的膜厚均一性。镀膜的膜厚均一性。

【技术实现步骤摘要】
用于真空反应腔的抽气栅以及PECVD反应腔


[0001]本技术涉及太阳能电池制造领域，特别涉及用于真空反应腔的抽气栅以及PECVD反应腔。

技术介绍

[0002]薄膜/晶硅异质结太阳能电池(以下简称异质结太阳能电池，又可称HIT或SHJ太阳能电池)属于第三代高效太阳能电池技术，它结合了第一代晶硅与第二代硅薄膜的优势，具有转换效率高、温度系数低等特点，特别是双面的异质结太阳能电池转换效率可以达到26％以上，具有广阔的市场前景。
[0003]在异质结太阳能电池制造中，需要通过等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)设备进行PECVD工艺，在硅片上沉积P型非晶硅、N型非晶硅以及本征非晶硅薄膜。进行PECVD工艺的PECVD反应腔所用的电池载板(或托盘)的尺寸已变大到1.5米
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1.5米或1.7米
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1.7米，由于载板尺寸较大，同时又需要在高频率如40Mhz下保持较高的镀膜均一性，所以需不断对布气板的孔分布进行改进，从而达到较高的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于真空反应腔的抽气栅，包括长条状的本体以及多个贯穿本体、沿本体的长边并行排列的栅孔，其特征在于，所述栅孔的密度沿着本体长度方向从边缘向中部逐渐减小。2.根据权利要求1所述的用于真空反应腔的抽气栅，其特征在于，所述抽气栅的长度范围为150cm
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200cm，宽度范围为10cm
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20cm，高度范围为20cm
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30cm。3.根据权利要求1所述的用于真空反应腔的抽气栅，其特征在于，所述栅孔的长度范围为5cm
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15cm，宽度为0.8mm
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2.5mm，高度范围为20cm
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30cm。4.根据权利要求1所述的用于真空反应腔的抽气栅，其特征在于，所述栅孔之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞云，
申请(专利权)人：理想万里晖半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：