用于真空反应腔的抽气栅以及PECVD反应腔制造技术

本实用新型专利技术提供用于真空反应腔的抽气栅以及PECVD反应腔。所述用于真空反应腔的抽气栅包括长条状的本体以及多个贯穿本体、沿本体的长边并行排列的栅孔，所述栅孔的密度沿着本体长度方向从边缘向中部逐渐减小。所述PECVD反应腔包括位于腔顶的淋喷头以及位于腔体两侧的抽气栅，所述抽气栅为本实用新型专利技术所述的用于真空反应腔的抽气栅。本实用新型专利技术能改善真空镀膜的膜厚均一性。镀膜的膜厚均一性。镀膜的膜厚均一性。

【技术实现步骤摘要】
用于真空反应腔的抽气栅以及PECVD反应腔


[0001]本技术涉及太阳能电池制造领域，特别涉及用于真空反应腔的抽气栅以及PECVD反应腔。

技术介绍

[0002]薄膜/晶硅异质结太阳能电池(以下简称异质结太阳能电池，又可称HIT或SHJ太阳能电池)属于第三代高效太阳能电池技术，它结合了第一代晶硅与第二代硅薄膜的优势，具有转换效率高、温度系数低等特点，特别是双面的异质结太阳能电池转换效率可以达到26％以上，具有广阔的市场前景。
[0003]在异质结太阳能电池制造中，需要通过等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)设备进行PECVD工艺，在硅片上沉积P型非晶硅、N型非晶硅以及本征非晶硅薄膜。进行PECVD工艺的PECVD反应腔所用的电池载板(或托盘)的尺寸已变大到1.5米
×
1.5米或1.7米
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1.7米，由于载板尺寸较大，同时又需要在高频率如40Mhz下保持较高的镀膜均一性，所以需不断对布气板的孔分布进行改进，从而达到较高的膜厚均一性，较高的透过率均一性。
[0004]PECVD反应腔主要是通过不同的多级布气板来减小气阻来进一步改善气流均一性，使反应气体均匀流向每个角落及中心。PECVD工艺需将反应腔保持成真空低压，需要进气板与抽气系统相配合。抽气系统主要包括位于腔体两侧的抽气栅，如图1所示，现有技术中的抽气栅1包括长条状的本体10以及开设在本体10上的多个栅孔12，多个栅孔12为上下直栅且等距离布置，栅孔12之间的距离是固定的，例如为2mm。后经过工艺实验发现，膜厚在抽气栅1的中间会高，在抽气栅的两端会低。
[0005]因此，如何提供一种用于真空反应腔的抽气栅以及PECVD反应腔，以改善真空镀膜的膜厚均一性，已成为业内亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0006]针对现有技术的上述问题，本技术提出了一种用于真空反应腔的抽气栅，包括长条状的本体以及多个贯穿本体、沿本体的长边并行排列的栅孔，所述栅孔的密度沿着本体长度方向从边缘向中部逐渐减小。
[0007]在一实施例中，所述抽气栅的长度范围为150cm
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200cm，宽度范围为10cm
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20cm，高度范围为20cm
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30cm。
[0008]在一实施例中，所述栅孔的长度范围为5cm
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15cm，宽度为0.8mm
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2.5mm，高度范围为20cm
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30cm。
[0009]在一实施例中，所述栅孔之间的间距从本体边缘的2mm增大到在本体中部的1cm。
[0010]在一实施例中，所述栅孔密度从在本体边缘的5个/cm减小到在本体中部的1个/cm。
[0011]在一实施例中，所述抽气栅为不锈钢抽气栅或铝合金抽气栅。
[0012]本技术还提供一种PECVD反应腔，其包括位于腔顶的淋喷头以及位于腔体两侧的抽气栅，所述抽气栅为上述任一项所述的用于真空反应腔的抽气栅。
[0013]在一实施例中，所述PECVD反应腔包括分别设置在腔体两侧壁上的抽气孔，所述抽气栅临近所述抽气孔设置。
[0014]在一实施例中，所述PECVD反应腔还包括通过管道与所述抽气孔连通用于对反应腔抽真空或破真空的气泵。
[0015]与现有技术中抽气栅的栅孔的密度固定不变相比，本技术的用于真空反应腔的抽气栅包括长条状的本体以及多个贯穿本体、沿本体的长边并行排列的栅孔，所述栅孔的密度沿着本体长度方向从边缘向中部逐渐减小。本技术能改善真空镀膜的膜厚均一性。
附图说明
[0016]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本技术的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
[0017]图1为现有技术中的用于真空反应腔的抽气栅实施例的组成结构示意图。
[0018]图2为本技术的用于真空反应腔的抽气栅实施例的组成结构示意图。
[0019]图3为本技术的PECVD反应腔实施例的组成结构正视示意图。
[0020]图4为本技术的PECVD反应腔实施例的组成结构俯视示意图。
具体实施方式
[0021]以下结合附图和具体实施例对本技术作详细描述，以便更清楚理解本技术的目的、特点和优点。应理解的是，以下结合附图和具体实施例描述的诸方面仅是示例性的，而不应被理解为对本技术的保护范围进行任何限制。除非上下文明确地另外指明，否则单数形式“一”和“所述”包括复数指代物。本说明书以及权利要求书中所使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。
[0022]图2为本技术的用于真空反应腔的抽气栅实施例的组成结构示意图。如图2所示，用于真空反应腔的抽气栅2包括长条状的本体20以及多个栅孔22，多个栅孔22贯穿本体20并沿本体20的长边并行排列，所述栅孔22的密度沿着本体20长度方向从边缘向中部逐渐减小。
[0023]所述抽气栅2的长度范围为150cm
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200cm，宽度范围为10cm
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20cm，高度范围为20cm
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30cm。所述栅孔22的长度范围为5cm
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15cm，宽度为0.8mm
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2.5mm，高度范围为20cm
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30cm。所述栅孔22之间的间距从本体边缘B的2mm增大到在本体中部M的1cm。所述栅孔22密度从在本体边缘B的5个/cm逐渐减小到在本体中部M的1个/cm。所述抽气栅2为不锈钢抽气栅或铝合金抽气栅等。
[0024]与现有技术中的抽气栅1相比，抽气栅2中部区域M的栅孔22数量明显减少，使得中部区域M的换气频次比边缘区域B少，中部区域M上的成膜就会比现有技术中的薄，使得中部区域M上的膜厚与边缘区域B上的膜厚更加趋向一致，从而有效改善真空镀膜的膜厚均一
性。经试验验证，使用本技术的抽气栅2的膜厚均一性比现有技术的抽气栅1的膜厚均一性改善了近5％。
[0025]参见图3，本技术的PECVD反应腔3包括位于腔顶的淋喷头32以及位于腔底的基座34，承载有硅片的托盘可放置在基座34上，抽气栅2设置在腔体两侧，抽气栅2可为图2所示的用于真空反应腔的抽气栅2。对应的PECVD可仅包括单层PECVD反应腔3，也可包括多个层叠设置的PECVD反应腔3。
[0026]所述PECVD反应腔3包括分别设置在腔体两侧壁上的抽气孔30，所述抽气栅2临近所述抽气孔30设置。所述PECVD反应腔3还包括通过管道40与所述抽气孔30连通用于对反应腔3抽真空或破真空的气泵4。
[0027]本技术的用于真空反应腔的抽气栅包括长条状的本体以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于真空反应腔的抽气栅，包括长条状的本体以及多个贯穿本体、沿本体的长边并行排列的栅孔，其特征在于，所述栅孔的密度沿着本体长度方向从边缘向中部逐渐减小。2.根据权利要求1所述的用于真空反应腔的抽气栅，其特征在于，所述抽气栅的长度范围为150cm
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200cm，宽度范围为10cm
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20cm，高度范围为20cm
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30cm。3.根据权利要求1所述的用于真空反应腔的抽气栅，其特征在于，所述栅孔的长度范围为5cm
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15cm，宽度为0.8mm
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2.5mm，高度范围为20cm
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30cm。4.根据权利要求1所述的用于真空反应腔的抽气栅，其特征在于，所述栅孔之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞云，
申请(专利权)人：理想万里晖半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：